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[发明专利]一种高效肖特基接触超势垒整流器-CN202310821634.2在审
发明人：徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
一种高效肖特基接触超势垒整流器

[实用新型]一种大尺寸蓝宝石多线切割机-CN202321316780.1有效
发明人：石刚;胡飞;刘苏慷;张成方;张军;姜超;傅聚杰;陈国炜 -专利权人：宁夏晶环新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大尺寸蓝宝石多线切割机，其包括机体、切割系统和喷淋系统，切割系统至少部分设置于机体中，切割系统沿第一方向延伸，切割系统包括切割线，喷淋系统设置于切割系统的一侧，喷淋系统沿第一方向延伸，喷淋系统包括能够沿第一方向往复运动的往复装置、连接至往复装置上的喷淋装置及为喷淋装置提供切削液的供液装置，喷淋装置包括若干沿第一方向分布的喷嘴。本申请通过在大尺寸蓝宝石多线切割机内设置能够往复运动的喷淋系统，通过在切割系统上往复喷淋切削液，增加切削液在切割系统上分布的均匀性的同时，还减少了切削液的用量，不仅提高了大尺寸蓝宝石多线切割机切割效率及切割质量，还能减少加工成本。
一种尺寸蓝宝石切割机

[发明专利]一种混合导通机制二极管-CN202310826403.0在审
发明人：徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
一种混合机制二极管

[发明专利]面向非结构化数据的高效跨云智能安全布局构建方法-CN202310744502.4有效
发明人：吴勇;丁文林;姚鑫;张成方;王安;陈德华;潘乔 -专利权人：上海联鼎软件股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明涉及面向非结构化数据的高效跨云智能安全布局构建方法，该方法支持对跨多个公有云的非结构化数据的智能安全布局构建，即实现数据打散加密存储和重建。由于用户存储数据时通常会使用多个云服务商提供的公有云，数据的云备份存储过程中会存在被黑客盗取信息的风险，存储完成后也有被系统管理员、网络管理员和云服务商等泄漏用户数据的风险。该方法通过深度学习预测各云的网络传输速率以及数据存储速率并结合云服务器的CPU利用率以及内存利用率智能生成数据存储策略，根据此数据存储策略将数据加密后散列存储进入不同的多个云服务器，通过这样的跨云打散数据存储方法能够保证用户数据的安全性和隐私性。
面向结构数据高效智能安全布局构建方法

[发明专利]一种晶棒切削装置和晶片生产系统-CN202311074274.0在审
发明人：石刚;胡飞;刘苏慷;张成方;张军;姜超;王立苍;陈国炜 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏晶环新材料科技有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒切削装置和晶片生产系统，晶棒切削装置包括：切削网，晶棒横置于所述切削网处，所述切削网对所述晶棒进行切削，以在所述晶棒底部形成切缝；喷液头，位于所述晶棒的上方并对所述晶棒的顶部喷淋切削液；及喷气头，朝向所述切缝设置。切削液对晶棒整个外壁面为浸泡式效果，切缝开口处具有足够的切削液，借由冷却气流可以将切缝开口处的切削液吹入切缝内，从而实现切缝内部的降温。即使切缝开口处的切削液量不足，至少可以通过冷却气流实现切缝内部的冷却作用，确保切缝内部的散热效果。
一种切削装置晶片生产系统

[实用新型]半导体器件的跳线连接结构-CN202122900656.7有效
发明人：夏大权;马鹏;周玉凤;闫瑞东;徐向涛;马红强;王兴龙;张成方;李述洲 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。
半导体器件跳线连接结构

[实用新型]一种真空自动放水阀-CN202020853894.X有效
发明人： 张成方;马建强;王建坤;李振江;张良杰;赵彪;李洋;王福建;刘传祥 -专利权人：三门峡龙王庄煤业有限责任公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： F16K31/20 文献下载
摘要：一种真空自动放水阀，包括上阀体、中阀体和下阀体，上阀体内开设有上腔室，上阀体和中阀体之间设置有上隔板，上隔板上开设有进水口；中阀体内开设有工作室，中阀体内设置有导向环，导向环与中阀体侧壁固定连接，导向环内设置有用于封堵进水口的悬浮桶；中阀体和下阀体之间设置有下隔板，下隔板上开设有出水口，下隔板中部设置有支杆；支杆一端与支架中部铰接，支架一端铰接有连杆，连杆另一端部与悬浮桶底部连接；支架另一端设置有撞针，出水口处设置有用于封堵出水口的浮球；支架另一端还设有软绳，软绳另一端连接浮球，下阀体内开设有排水室，下阀体底部开设有排水口。本实用新型制作简单、工作稳定可靠、并且可以实现连续放水。
一种真空自动水阀

[发明专利]一种同步整流模块、整流方法及其制造方法-CN201711461280.6有效
发明人：徐向涛;马红强;张成方;王兴龙;李述洲 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
一种同步整流模块方法及其制造

[发明专利]一种沟槽肖特基整流器-CN201910712748.7在审
发明人：徐向涛;陈文锁;张成方;廖瑞金 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司;重庆大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽肖特基整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区和上电极区。本发明可以获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。
第一导电类型沟槽栅沟槽肖特基整流器肖特基势垒接触反向恢复开关损耗下电极层衬底层电极区介质区漂移层填充区重掺杂

[发明专利]一种高效整流器及其制造方法-CN201910712156.5在审
发明人：陈文锁;徐向涛;张成方;廖瑞金 -专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效整流器及其制造方法，高效整流器包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区、隔离介质区和上电极层。制造方法步骤为：1)准备重掺杂第一导电类型衬底层；2)形成第一导电类型漂移层；3)在第一导电类型漂移层表面刻蚀出槽型；4)形成沟槽栅介质区；5)形成沟槽栅填充区；6)形成隔离介质区；7)形成肖特基势垒接触区；8)形成上电极层；9)形成下电极层。本发明在不增加制造工艺步骤和制造成本的基础上获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。
第一导电类型沟槽栅漂移层肖特基势垒接触隔离介质区下电极层衬底层电极层介质区填充区整流器重掺杂表面刻蚀反向恢复开关损耗制造成本制造工艺制造

[发明专利]功率半导体器件的形成方法-CN201810651306.1在审
发明人：李述洲;张成方;张力;刘道广;万欣;李豪 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层；在所述半导体层表面形成具有开口的图形化掩膜层；采用扩散工艺对所述开口下方的半导体层内进行离子掺杂，形成载流子吸收区，所述扩散工艺采用的掺杂离子能够在所述载流子吸收区内形成能级缺陷。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件载流子吸收半导体层扩散工艺开口能级半导体层表面图形化掩膜层掺杂离子离子掺杂掺杂的

[发明专利]功率半导体器件的形成方法-CN201810651307.6在审
发明人：李述洲;王建平;张成方;刘道广;万欣;孙永生 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层，所述半导体层表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区；在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件半导体层栅极结构掺杂的体区半导体层表面载流子吸收

[发明专利]一种清洗装置-CN201810406180.1在审
发明人：孙延奎;张成方;赵威;施小明 -专利权人：海宁市高级技工学校
申请日： 2018-04-30 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： B08B9/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗装置，包括容器，所述容器的顶部设置有储液装置，所述储液装置顶部左侧设置有进液管，所述储液装置顶部右侧设置有排气管，所述储液装置的内腔底部安装有旋转电机，所述容器的顶部右侧安装有止液开关，所述储液装置的右侧设置有出液管，所述容器的内腔底部安装有空心螺丝，且清洁杆的顶部通过空心螺丝与容器的内腔底部连通，所述容器两侧与支架连接，所述支架的内腔底部设置有升降装置，所述升降装置顶部安装有试管台，本发明清洗装置具备补充清洗液的功能，在清洗试管的时候，不需要将清洁杆取出就能补充清洗液。
储液装置内腔清洗装置空心螺丝升降装置清洁杆清洗液试管底部连通顶部安装顶部设置旋转电机支架连接出液管进液管排气管补充支架清洗取出

[发明专利]双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法-CN201610516692.4在审
发明人：马红强;李述洲;徐向涛;张成方;王强;王兴龙 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法，包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤，在步骤(3)中，采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的一端与芯片焊接；再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的另一端与芯片焊接；铝带除焊接点外，其余部位均向上拱起，铝带向上拱起的高度不超过420um；在步骤(4)中，塑封后，铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法，能够迅速将热量传导到器件表面，达到迅速散热从而保护产品的目的。
双面散热引脚扁平封装功率半导体器件生产方法

[发明专利]一种光伏旁路模块的封装工艺-CN201410745589.8有效
发明人：徐向涛;王兴龙;张成方 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
一种旁路模块封装工艺

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