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[实用新型]一种肖特基接触超级势垒整流器-CN201721208936.9有效
发明人：黄彬;陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触超级势垒整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型势垒高度调节区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层和上电极层。所述第一导电类型势垒高度调节区和肖特基接触区均覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面、第二导电类型体区之上的部分表面、肖特基接触区之上的部分表面。所述栅介质层还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层之上，所述上电极层还覆盖于肖特基接触区之上的部分表面。
第一导电类型肖特基接触势垒导电类型高度调节栅介质层电极层覆盖体区栅电极层轻掺杂外延层整流器本实用新型下电极层衬底层重掺杂

[实用新型]一种双外延超级势垒整流器-CN201721207222.6有效
发明人：黄彬;陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述肖特基接触区覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面和第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅电极层覆盖于栅介质层之上。
第一导电类型外延层导电类型轻掺杂体区覆盖栅介质层肖特基接触栅电极层衬底层整流器重掺杂势垒本实用新型下电极层电极层

[实用新型]一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器-CN201721207225.X有效
发明人： 陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上电极层。该欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器具有制造工艺简单、优化电性特征和耐受过流能力的特点。
肖特基接触欧姆接触整流器势垒第一导电类型掩蔽本实用新型欧姆接触区导电类型电性特征下电极层栅电极层栅介质层制造工艺衬底层电极层介质层轻掺杂外延层重掺杂体区优化

[发明专利]一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201711166197.6在审
发明人： 陈文锁;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述栅介质层嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面区域。所述栅介质层呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度。所述栅电极层覆盖于U型栅介质层之内。所述肖特基势垒接触区覆盖于第二导电类型体区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层和肖特基势垒接触区之上。
一种沟槽型肖特基接触超级整流器及其制作方法

[发明专利]一种双外延超级势垒整流器-CN201710854731.6在审
发明人： 陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡;黄彬 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种双外延超级势垒整流器，其特征在于包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述肖特基接触区覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面和第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅电极层覆盖于栅介质层之上。
一种外延超级整流器

[发明专利]一种带有外延调制区的半导体装置及其制造方法-CN201610889084.8在审
发明人： 陈文锁;杨婵;刘建;陈兴;杨伟;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有外延调制区的半导体装置及其制造方法，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型外延调制区和场介质层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型外延调制区浮空于轻掺杂第一导电类型外延层之中。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有外延调制半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法-CN201610890158.X在审
发明人： 陈文锁;欧宏旗;钟怡;杨婵;张培健;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法，其特征在于，包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型衬底埋层和场介质层。所述第一导电类型衬底埋层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于第一导电类型衬底埋层之上。所述轻掺杂第一导电类型外延层还覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有衬底半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种浅埋层高压肖特基整流器及其制造方法-CN201610889907.7在审
发明人： 陈文锁;张培健;杨伟;陈兴;杨婵;钟怡;欧宏旗 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅埋层高压肖特基整流器及其制造方法，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型浅埋层、肖特基势垒层、场介质层、阳极金属层和阴极金属层。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型浅埋层浮空于轻掺杂第一导电类型外延层内部。所述第一导电类型浅埋层与第二导电类型保护环区接触或者不接触。所述肖特基势垒层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面和第二导电类型保护环区之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述阳极金属层覆盖于介质层和肖特基势垒层之上。
一种浅埋层高压肖特基整流器及其制造方法

[发明专利]一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法-CN201610890159.4在审
发明人： 陈文锁;钟怡;欧宏旗;杨婵;刘建;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法；所述带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型表面杂质浓度调节区、场介质层、阳极金属层和阴极金属层。所述带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及其制造方法，能够使所获得的产品保持高反向击穿电压，低正向压降和高抗冲击可靠性等特性的前提下，还具有低漏电流的优点。
一种带有表面杂质浓度调节肖特基整流器制造方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法-CN201710101799.7在审
发明人： 陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器及其制造方法

[发明专利]一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法-CN201710118996.X在审
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;易前宁;陈文锁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金属和基极金属；本发明是在常规横向双极结型集体管的基础上，在集电区与发射区之间加入了N型环状注入，再通过优化第一层金属的布局，使金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高30％以上、漏电能力提升一个量级。本发明提供的一种横向高压双极结型晶体管。
一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种横向高压功率双极结型晶体管及其制造方法-CN201710118997.4在审
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健;易前宁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压功率双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的横向功率双极结型集体管的基础上，在所有集电区与发射区之间加入了N型环状注入，以及通过优化第一层所有金属的布局，使集电极第一层金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍，而发射极金属通过通孔以及第二次金属引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，所有集电结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，耐压急剧变大，而N环的加入可以大大的减小器件集电极与发射极之间的漏电流。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压功率双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高40％以上、漏电能力提升一个量级。
一种横向高压功率双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人： 陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器-CN201720168934.5有效
发明人： 陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器

[实用新型]一种横向高压功率双极结型晶体管-CN201720194577.X有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健;易前宁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向高压功率双极结型晶体管；具体是在一种常规的横向功率双极结型集体管的基础上，在所有集电区与发射区之间加入了N型环状注入，以及通过优化第一层所有金属的布局，使集电极第一层金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍，而发射极金属通过通孔以及第二次金属引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，所有集电结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，耐压急剧变大，而N环的加入可以大大的减小器件集电极与发射极之间的漏电流。通过仿真以及实际流片结果得出本实用新型的横向高压功率双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高40％以上、漏电能力提升一个量级。
一种横向高压功率双极结型晶体管