本发明涉及一种高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法，GaN HEMT器件结构包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、钝化层、纯p型SnO层、原子掺杂的SnO基薄膜层和栅极，其中，衬底、缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；源极位于势垒层的一端，漏极位于势垒层的另一端；纯p型SnO层位于源极和漏极之间的部分势垒层上；原子掺杂的SnO基薄膜层覆盖纯p型SnO层的上表面；栅极位于原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面上；钝化层覆盖纯p型SnO层和源极之间的势垒层表面、纯p型SnO层和漏极之间的势垒层表面，且覆盖原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面。本发明实施例总体上改善了纯p型SnO GaN HEMT的栅耐压及栅漏电。
