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[发明专利]基于金刚石图形衬底的大功率发光二极管及其制备方法-CN202310383677.7在审
发明人：许晟瑞;卢灏;王宇轩;范晓萌;高源;陶鸿昌;张涛;张金风;张进成;郝越 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明意在公开一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管，主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石衬底层，氮化硼插入层，氮化物材料成核层，氮化物缓冲层，n型Ⅲ族氮化物材料层，该n型Ⅲ族氮化物材料层的左上部依次为Ⅲ族氮化物材料量子阱层，p型Ⅲ族氮化物材料层，透明导电层和金属电极层，右上部为金属电极层。本发明利用图形化金刚石衬底，提高了衬底的导热能力和光提取效率及材料的晶体质量，利用在衬底上增设的氮化硼插入层，避免了键合工艺，简化了器件制备过程，可用于大功率的照明、显示及背光。
基于金刚石图形衬底大功率发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027177.X在审
发明人：张金风;杨智清;苏凯;何琦;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
一种改善晶格失配硼铝氮金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法-CN202310072475.0在审
发明人：任泽阳;马源辰;张金风;苏凯;祝子辉;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管，包括N型金刚石衬底、P‑型金刚石外延层、P+型金刚石外延层、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极以及背电极，其中，P‑型金刚石外延层设置在N型金刚石衬底上表面；在P‑型金刚石外延层上表面左右两侧分别设置P+型金刚石外延层，源电极和漏电极分别设置在左右两侧的P+型金刚石外延层上，P+型金刚石外延层分别与其上方的源电极和漏电极形成欧姆接触；栅介质层设置在P‑型金刚石外延层未被P+型金刚石外延层覆盖的上表面，栅电极设置在栅介质层的上表面；背电极设置在N型金刚石衬底下表面。本发明的金刚石场效应管具有高热导率、高抗辐照性、耗尽型与增强型灵活的可选择性等优势。
可调沟道宽度金刚石可变阈值场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法-CN202310427884.8在审
发明人：高香香;白皓宇;常晶晶;林珍华;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/30 文献下载
摘要：本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
一种 swcnts 薄膜晶体管器件掺杂方法

[发明专利]一种带隙基准电路及芯片-CN202210457492.1有效
发明人：文冠果;张进成;廖健生 -专利权人：珠海天威技术开发有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙基准电路及芯片，该带隙基准电路包括带隙核心电路、启动电路、偏置电流产生电路、运放偏置电路，运放偏置电流包括反馈管、上偏置电流源、电流镜负载、运放NMOS输入管，偏置电流产生电路连接上偏置电流源，上偏置电流源连接电流镜负载，电流镜负载连接运放NMOS输入管，电流镜负载连接反馈管运放NMOS输入管连接带隙核心电路，反馈管连接启动电路，启动电路连接带隙核心电路，反馈管连接电源端以及带隙核心电路。本发明的还提供了包括上述带隙基准电路的芯片。本发明的隙基准电路在工作温度范围内保持合适的共模输入范围而可靠工作，具有工作电压低、低噪声、高可靠性等优点。
一种基准电路芯片

[发明专利]一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法-CN202211611093.2在审
发明人：苏凯;米天和;张金风;王唯;任泽阳;王东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构，提高了探测器的工作耐压，降低了器件的漏电。
一种压低漏电金刚石探测器及其制备方法

[发明专利]单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法-CN202310218005.0在审
发明人：毛维;谢渊源;杨翠;赵天龙;王树龙;郑雪峰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件双向导通特性差，其电路成本高，性能差的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层和源极，该沟道层的两侧设有P型GaN层，P型GaN层上方依次设有第一N型GaN层、第二N型GaN层和栅极，P型GaN层下方漂移层内部设有m层第一渐变P型GaN层，漂移层2的上方中央等间距设有n块P型调制岛，每块P型调制岛下方漂移层内部设有m层第二渐变P型GaN层，调制岛结构与结型场效应管结构交替排列。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其关断状态下泄漏电流小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。
单片集成逆导型氮化纵向功率器件及其制作方法

[发明专利]一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法-CN202310151872.7在审
发明人：张苇杭;文钰;张进成;冯欣;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。其包括：衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、n‑‑InGaN漂移层、Mg离子注入区域、阴极、钝化层和阳极。其中在n‑‑GaN漂移层上外延n‑‑InGaN漂移层；在Mg离子高温激活工艺中，靠近表面的In从InGaN材料中析出，使得Mg进入In的晶格格点，降低Mg的激活能，在远离表面的InGaN材料中，Mg在InGaN中的激活能低于GaN材料，故Mg在InGaN中具有更高的激活效率，催化n‑‑InGaN转为p‑(In)GaN。本发明可以显著提高GaN基JBS二极管中Mg离子注入p型掺杂的激活效率，提升GaN基JBS二极管的反向耐压，降低导通损耗，可广泛应用于高频开关和整流系统中。
一种基于离子注入 gan jbs 二极管及其制备方法

[发明专利]复合渐变层氮化镓功率晶体管-CN202310218004.6在审
发明人：毛维;谢渊源;杨翠;张涛;杜鸣;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合渐变层氮化镓功率晶体管及其制作方法，主要解决现有的功率开关器件双向导通特性差，导致其所用系统的成本高，功率效率低的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层、N+型层和源极，该沟道层的两侧的漂移层内设有第一渐变层，其间距小于沟道层宽度，且其上部设有栅极，漂移层上部中央设有调制岛极，调制岛极下方的漂移层内设有等间隔的n块第二渐变层，该第一渐变层由第一渐变P型层和第一渐变N型层组成，第二渐变层由第二渐变P型层和第二渐变N型层组成。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其阻断时泄漏电小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。
复合渐变氮化功率晶体管

[发明专利]一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027176.5在审
发明人：张金风;任泽阳;杨智清;苏凯;何琦;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取C面单晶蓝宝石衬底；在C面单晶蓝宝石衬底上外延生长具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮，形成硼铝氮外延层；在硼铝氮生长过程中，通过对硼源与铝源的比值进行调控以控制所述硼铝氮外延层的硼与铝的组分；在硼铝氮外延层上生长金刚石外延层，以形成异质结。本发明基于蓝宝石衬底材料制作金刚石异质结器件，异质结所需金刚石层由外延生长所得，突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，同时降低了异质结制造成本，提供了获取大尺寸金刚石异质结的有效方法。
一种基于极性硼铝氮材料金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]氮化物PN结肖特基二极管及制备方法-CN202310080426.1在审
发明人：薛军帅;李泽辉;吴冠霖;袁金渊;郭壮;李祖懋;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物PN结肖特基二极管，主要解决现有垂直型氮化物肖特基二极管击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极(5)、衬底(1)、n+AlxGa1‑xN传输层(2)、钪钇铝氮/氮化镓叠层结构(3)、钪钇铝氮/氮化铝叠层结构(4)及阳极(6)。这两个叠层结构(3，4)中的氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长，每层钪钇铝氮厚度为3nm‑50nm，组分保持不变，两者的总厚度和周期相同或不同，且整体钪组分为0％‑35％，钇组分为0％‑25％。本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结，利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压，降低了反向漏电，提高了击穿电压，可用于微波整流和功率开关电路。
氮化物 pn 结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310028324.5在审
发明人：张金风;杨智清;朱家铎;苏凯;任泽阳;何琦;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法，包括以下步骤：步骤一、获取金刚石层；步骤二、对金刚石层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；步骤三、在氮终端表面上外延生长Al面极性纤维锌矿结构的单晶氮化铝或硼铝氮，形成氮化铝外延层或硼铝氮外延层，以形成基于氮终端金刚石的二维电子气异质结结构。本发明能够形成高质量的氮化铝/氮终端金刚石异质结或硼铝氮/氮终端金刚石异质结，能够产生高电子迁移率、高载流子浓度的二维电子气，显著提升该异质结基器件在高压、高频和大功率方面的应用潜力。
一种基于氮化物材料终端金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种提高阈值电压稳定性及栅耐压的GaN HEMT器件及制备方法-CN202211607698.4在审
发明人：陈大正;穆昌根;张春福;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高阈值电压稳定性及栅耐压的GaN HEMT器件及制备方法，方法包括：在衬底层层叠生长缓冲层、沟道层、势垒层、第一钝化层；在势垒层两端之上制备源极和漏极；在暴露的势垒层上制备p型SnO层；在p型SnO层上制备n型SnO2层；利用ICPCVD工艺制备第二钝化层；刻蚀掉中间部分的第二钝化层，以暴露部分n型SnO2层，并在暴露的n型SnO2层上制备栅极。本发明通过在p型SnO层上生长一层n型SnO2层的方式，成功缓解了GaN HEMT器件面临的阈值电压不稳定性问题和栅耐压较低的问题。
一种提高阈值电压稳定性耐压 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202211643770.9在审
发明人：常晶晶;马馨童;林珍华;焦勇;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法，包括第一基底、正摩擦层、负摩擦层、电极层和第二基底，负摩擦层和电极层之间设置有电荷传输限制层，电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯与银的混合纳米层，用于对界面电荷进行捕获及限制。正摩擦层为掺杂碘氧化铋和氟化碳纳米管混合纳米颗粒的有机无机钙钛矿薄膜；负摩擦层为多壁碳纳米管/聚二甲基硅氧烷/聚偏二氟乙烯/二氧化钛复合膜；电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯/银纳米粒子杂化膜。本发明通过控制界面电荷，进一步拓宽摩擦电极性，提升TENG的电输出特性。
一种引入电荷传输限制响应摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种含沟槽电极的抗单粒子效应FinFET器件及其制备方法-CN202211591790.6在审
发明人：张春福;郭云峰;张泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种含沟槽电极的抗单粒子效应FinFET器件及其制备方法，所述器件包括衬底层、鳍部、浅沟槽隔离区、栅氧化层、沟槽金属电极和栅极，其中，浅沟槽隔离区设置在衬底层上表面，鳍部设置在浅沟槽隔离区上方中心区域且向下延伸至衬底层上表面，鳍部沿纵向方向包括位于两端的源极和漏极以及位于源极与漏极之间的导电沟道；鳍部的纵向方向两侧分别设置有一个沟槽金属电极，沟槽金属电极的侧面与鳍部相间隔且沟槽金属电极的下表面延伸至衬底层内部；栅氧化层覆盖在导电沟道的上表面和侧面；栅极覆盖在栅氧化层上表面和侧面。本发明通过在FinFET器件的衬底上制造两个沟槽电极，调控Fin下方的电场，解决了FinFET器件抗单粒子效应能力较弱的缺点。
一种沟槽电极粒子效应 finfet 器件及其制备方法