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[实用新型]一种双向ESD保护器件-CN201921766696.3有效
发明人：张鹏;杨钰琳;宋文龙 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双向ESD保护器件，由N+衬底层、P型外延层和N+掺杂层组成的芯片；所述N+衬底层上方设P型外延层，P型外延层上方设N+掺杂层；深隔离槽位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽内设有掺杂的多晶浮岛，隔离介质层介于深隔离槽与正面电极之间，正面电极位于N+掺杂层和隔离介质层上方，背面电极形成于N+衬底层之下。本实用新型针对普通电容、大电流泄放能力应用的ESD保护，采用槽栅隔离的纵向三极管结构，解决了集成电路静电释放问题。
一种双向 esd 保护器件

[发明专利]一种双向ESD保护器件-CN201911000838.X在审
发明人：张鹏;杨钰琳;宋文龙 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双向ESD保护器件，由N+衬底层101、P型外延层102和N+掺杂层103组成的芯片；所述N+衬底层101上方设P型外延层102，P型外延层102上方设N+掺杂层103；深隔离槽104位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽104内设有掺杂的多晶浮岛108，隔离介质层105介于深隔离槽104与正面电极106之间，正面电极106位于N+掺杂层103和隔离介质层105上方，背面电极107形成于N+衬底层101之下。本发明针对普通电容、大电流泄放能力应用的ESD保护，采用槽栅隔离的纵向三极管结构，解决了集成电路静电释放问题。
深隔离槽掺杂层衬底层隔离介质层正面电极双向ESD保护器件芯片三极管结构背面电极静电释放能力应用芯片中心左右两侧掺杂的大电流电容槽栅多晶浮岛泄放集成电路隔离

[发明专利]一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺-CN201810508350.7在审
发明人：宋锐;周健;候云娣 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺，芯片包括从上往下依次设置的N⁺型阴极区1、正面P型短基区、硅单晶片、背面P型区，芯片两端设置对通隔离扩散区，芯片正面表面设有SiO₂保护膜，背面表面设有金属电极，芯片正面的正面P型短基区内设有正面沟槽，背面在对通隔离扩散区设有背面应力平衡槽，正面沟槽之间设有门极铝电极、阴极铝电极，正面P型短基区内阴极铝电极下方设有N⁺型阴极区，本发明利用镓扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取镓硼同扩工艺，即可获得较低的体内浓度、较低的电容，使击穿电压VBR与导通电压VBO极为接近，又可获得较高的表面浓度与短基区横向电阻，同时扩散时间较短，节约了生产成本。
隔离扩散区晶闸管芯片阴极铝电极扩散工艺台面结构芯片正面正面沟槽制作工艺阴极区短基背面背面应力平衡槽门极铝电极背面P型区导通电压硅单晶片横向电阻击穿电压金属电极芯片两端依次设置电容短基区硼扩散镓扩散生产成本体内芯片扩散节约

[实用新型]一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管-CN201721380877.3有效
发明人：张鹏 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。本实用新型采用N+PN+P+四层构成的单向单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。
瞬态电压抑制二极管背面浪涌金属化电极氧化层增强型结区电导调制效应电位本实用新型表面刻蚀电流能力浪涌电流浪涌特性反型层金属化整个面加高覆盖延伸

[实用新型]一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器-CN201721380947.5有效
发明人：张鹏 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器，包括N型硅片，其制作方法主要包括：N型衬底准备——氧化层生长——P+隔离区光刻，预扩散再分布——P‑BASE区中P+区光刻，扩散——背面N+光刻，预扩散再分布——P‑BASE区和背面P+区光刻，扩散——P‑BASE区中N+区光刻，扩散——表面BPSG钝化——接触孔光刻、刻蚀——金属淀积、光刻、刻蚀——合金、退火等。本实用新型通过体内电场的优化，设计多路表面并联半导体保护器，集成了多个晶闸管浪涌抑制器的功率所形成的保护电路，具有多通道过压保护功能，芯片在工作中，电流横向流动，衬底功率为零。该工艺降低了封装工艺的难度，从三颗单独的芯片整合成单颗集成度高的芯片。
光刻晶闸管浪涌抑制器扩散本实用新型再分布衬底刻蚀三路背面芯片过压保护功能退火氧化层生长电流横向封装工艺金属淀积芯片整合电场保护器多通道隔离区集成度接触孔并联钝化多路半导体合金电路体内流动制作优化

[实用新型]一种高压平面闸流管器件-CN201721380929.7有效
发明人：许志峰;周健 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本实用新型采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
硅片玻璃钝化区闸流管器件短基区本实用新型分压环背面聚酰亚胺保护膜高工作电压漏电玻璃钝化钝化玻璃阳极电极阴极电极隔离区截止环失效率电极场板穿通钝化多层门极对称隔离

[发明专利]一种高EB双极性半导体保护器件及其制造方法-CN201711005268.4在审
发明人：许志峰 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高EB双极性半导体保护器件，包括芯片，芯片左上方设置2个NPN晶体管，芯片左下方设置2个PNP晶体管，芯片中部设置2个SCR晶闸管，芯片右部设置2个TRIAC晶闸管。制造方法，包括提供N型CZ衬底硅片；将硅片衬底进行高温长时间湿氧氧化；P型隔离墙光刻；P型隔离墙扩散；二次光刻；基区扩散1；三次光刻；基区扩散2；四次光刻；磷扩散；LPCVD；五次光刻；金属化；六次光刻（金属反刻）；铝合金；背面金属化。本发明通过半导体功率器件建模仿真软件，在硅基内部集成PNP、NPN 晶体管、SCR闸流管、交流开关TRAIC多型源胞单元，通过合理版图布局，利用晶体管高EB电压特性、SCR触发导通机理、TRAIC双向导通、双向阻断特性实现集成互补、双极性保护功能。
一种 eb 极性半导体保护器件及其制造方法

[发明专利]一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器及其制造方法-CN201711005229.4在审
发明人：张鹏 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器，包括N型硅片，其制作方法主要包括N型衬底准备——氧化层生长——P+隔离区光刻，预扩散再分布——P‑BASE区中P+区光刻，扩散——背面N+光刻，预扩散再分布——P‑BASE区和背面P+区光刻，扩散——P‑BASE区中N+区光刻，扩散——表面BPSG钝化——接触孔光刻、刻蚀——金属淀积、光刻、刻蚀——合金、退火等。本发明通过体内电场的优化，设计多路表面并联半导体保护器，集成了多个晶闸管浪涌抑制器的功率所形成的保护电路，具有多通道过压保护功能，芯片在工作中，电流横向流动，衬底功率为零。该工艺降低了封装工艺的难度，从三颗单独的芯片整合成单颗集成度高的芯片。
一种具有保护晶闸管浪涌抑制器及其制造方法

[发明专利]一种高压平面闸流管器件及其制作方法-CN201711005291.3在审
发明人：许志峰;周健 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本发明采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
一种高压平面流管器件及其制作方法

[发明专利]一种提高正向耐压的可控硅台面结构及其制造工艺-CN201310682429.9有效
发明人：耿开远;周建;刘宗贺;李建新 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开一种提高正向耐压的可控硅台面结构，包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述硼穿通扩散区设于长基区的四周，每个硼穿通扩散区上开有穿通环，所述台面槽内填充有玻璃粉，台面槽的台面结构形成正角。还公开了一种提高正向耐压的可控硅台面结构的制造工艺。此种正角台面结构，使用一种特殊的化学腐蚀液，使得槽型改变，合适的槽型使得可控硅台面结构形成正角，正向耐压大大提高；且工艺简单，仅更换一种硅腐蚀液，工艺稳定、一致性高，且形成的正角角度可根据需求调整，大大提高了可控硅的耐压水平。
一种提高正向耐压可控硅台面结构及其制造工艺

[实用新型]一种大功率抗震动方片TVS芯片-CN201621300138.4有效
发明人：许志峰;张鹏;李建新 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率抗震动方片TVS芯片，包括N‑单晶硅，所述N‑单晶硅的两侧由内向外依次设有P硼区、P+浓硼区和金属层，所述P硼区和P+浓硼区的终端设有经过倒角处理的终端保护区。采用芯片终端倒角处理后，芯片抗机械冲击能力增加，避免了传统芯片失效现象，工作可靠性提高，特别适合汽车等震动频繁的控制电路工作环境。
一种大功率抗震动方片 tvs 芯片

[实用新型]一种瞬态抑制电压二极管器件-CN201621300136.5有效
发明人：张鹏;许志峰;李建新 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瞬态抑制电压二极管器件，包括N型衬底、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，N型衬底正面和背面的中央对称刻蚀有P‑型反型层，P‑型反型层上刻蚀有P+型浅结区，第一氧化层形成于N型衬底的表面并覆盖部分P‑型反型层，第二氧化层形成于第一氧化层的表面，第三氧化层形成于P‑型反型层的表面并覆盖部分P+型浅结区，P+型浅结区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至第二氧化层。本实用新型采用P+P‑N型结合三层氧化层的结构，能在相对宽的硅片电阻率范围内，在保证浪涌能力不变的前提下实现相同的电压范围。
一种瞬态抑制电压二极管器件

[实用新型]一种可控硅边缘结构-CN201320822981.9有效
发明人：邹有彪;张鹏 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅边缘结构，包括阴极区，该阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧，该内弯大圆弧的弧度为90°~140°。本实用新型的优点是：内弯的大圆弧拐角边缘削弱了电荷的聚集，同时一部分短路作用也较大地辅助了电流和电压的泄放，有效地避免了可控硅经常被大电流和高电压烧毁的现象，提高了可控硅的可靠性和寿命。
一种可控硅边缘结构

[实用新型]一种双台面可控硅器件封装结构-CN201320823589.6有效
发明人：邹有彪;张鹏 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双台面可控硅器件封装结构，该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料和线框底座，双台面可控硅芯片下表面设置有可供焊接的金属，软焊料设置在双台面可控硅芯片下表面的可焊接金属与线框底座之间，线框底座的上表面设置有凹槽结构，凹槽结构用于存储过量的软焊料。本实用新型在线框底座的上表面设置了凹槽，凹槽环绕双台面可控硅芯片，凹槽可以用于存储过量的软焊料，防止过量的软焊料流入可控硅的台面中引起器件表面击穿，从而可以有效避免双台面可控硅器件反向阻断能力退化，提高双台面可控硅器件封装成品率。
一种台面可控硅器件封装结构

[实用新型]一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构-CN201320823483.6有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;张鹏;王泗禹;耿开远;周健;李建新 -专利权人： 启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P型硼结区和N型磷结区，N型磷结区上下两端均设有P型硼结区，在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si₃N₄薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。本实用新型的有益效果是：该台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构既可用于单台面功率半导体器件钝化也可用于双台面功率半导体器件钝化，应用广泛，采用多层复合薄膜，能改善台面大功率半导体器件的结表面钝化性能，减小器件的漏电流，提高器件的高温工作稳定性和可靠性，提高器件的工作结温，大幅提高生产线产品良率。
一种台面大功率半导体器件多层复合钝化结构

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