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[发明专利]一种高压平面闸流管器件及其制作方法-CN201711005291.3在审
发明人：许志峰;周健 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本发明采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
一种高压平面流管器件及其制作方法

[实用新型]一种高压平面闸流管器件-CN201721380929.7有效
发明人：许志峰;周健 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本实用新型采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
硅片玻璃钝化区闸流管器件短基区本实用新型分压环背面聚酰亚胺保护膜高工作电压漏电玻璃钝化钝化玻璃阳极电极阴极电极隔离区截止环失效率电极场板穿通钝化多层门极对称隔离

[发明专利]一种高可靠高压二极管及其制作工艺-CN201711402690.3在审
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠高压二极管，包括晶圆本体，所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区，所述P+区的四周设有上沟槽，所述N+区的四周设有下沟槽，所述上沟槽从P+区延伸至N区，所述P+区的上表面设有第一镍层，所述N+区的下表面设有第二镍层，所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层，所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层，所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度，本发明通过双沟槽、双面SIPOS钝化保护层以及双面玻璃钝化保护层的方式，提高了产品的可靠性，避免了产品在玻璃钝化后发生单向卷曲的情况，提高了反向电压均值以及反向电压的一致性。
钝化保护层上沟槽下沟槽高压二极管反向电压晶圆本体高可靠玻璃钝化保护层玻璃钝化从上至下第二镍层第一镍层双面玻璃制作工艺上表面双沟槽下表面卷曲延伸

[实用新型]一种高可靠高压二极管-CN201721824609.6有效
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高可靠高压二极管，包括晶圆本体，所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区，所述P+区的四周设有上沟槽，所述N+区的四周设有下沟槽，所述上沟槽从P+区延伸至N区，所述P+区的上表面设有第一镍层，所述N+区的下表面设有第二镍层，所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层，所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层，所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度，本实用新型通过双沟槽、双面SIPOS钝化保护层以及双面玻璃钝化保护层的方式，提高了产品的可靠性，避免了产品在玻璃钝化后发生单向卷曲的情况，提高了反向电压均值以及反向电压的一致性。
钝化保护层上沟槽下沟槽本实用新型高压二极管反向电压晶圆本体高可靠玻璃钝化保护层玻璃钝化从上至下第二镍层第一镍层双面玻璃上表面双沟槽下表面卷曲延伸

[实用新型]一种双向触发二极管芯片-CN200920048011.1有效
发明人：申云;周明 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种双向触发二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本实用新型在P-区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置N+扩散区，在所述两个N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述镀膜区的外周设置玻璃钝化区，在所述玻璃钝化区的外周设置划片区。本实用新型可达到不同的击穿电压值，在镀膜区的外周设置划片区，不在玻璃钝化层上划片，避免玻璃钝化膜应力的产生，结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。
一种双向触发二极管芯片

[实用新型]一种N型背结太阳能电池-CN201420182717.8有效
发明人：刘运宇;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型背结太阳能电池，包括N型硅片衬底，N型硅片衬底的前表面设有绒面结构，绒面结构上具有N+区，N+区上设有减反射膜层；减反射膜层上设有正面电极；所述N型硅片衬底的背表面上设有P+区，P+区上依次设有硼硅玻璃钝化层、阻挡层和铝背电极；所述N型硅片衬底的背表面上还设有点接触开口，使所述铝背电极穿过所述硼硅玻璃钝化层和阻挡层与P+区电连接；所述硼硅玻璃钝化层的厚度为20~100纳米。本实用新型制在N型硅片衬底背表面的P+区上依次设有硼硅玻璃层、阻挡层和铝背电极，将硼硅玻璃层作为钝化层，不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝，从而大大简化了工艺步骤。
一种型背结太阳能电池

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统-CN202211115283.5在审
发明人：王永谦;林文杰;邱开富;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅衬底；依次设于硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，第一电极穿过第一表面钝化层和硼硅玻璃层，并与P型半导体层接触；依次设于硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，第二电极穿过第二表面钝化层和磷硅玻璃层，并与N型半导体层接触。如此，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
一种太阳能电池及其制作方法电池组件系统

[实用新型]一种太阳能电池、电池组件、光伏系统-CN202222434847.3有效
发明人：王永谦;林文杰;邱开富;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅衬底；依次设于硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，第一电极穿过第一表面钝化层和硼硅玻璃层，并与P型半导体层接触；依次设于硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，第二电极穿过第二表面钝化层和磷硅玻璃层，并与N型半导体层接触。如此，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
一种太阳能电池电池组件系统

[发明专利]液晶显示器的母玻璃和使用母玻璃制造液晶显示器的方法-CN200710109055.6有效
发明人：金真焕;张大贤 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示器的母玻璃和使用母玻璃制造液晶显示器的方法。该母玻璃包括：在基板上的多个单元区，其中形成有多个薄膜；在所述基板上的空白区，其设置在所述多个单元区的外侧；以及钝化层。该钝化层被涂敷在各单元区的整个部分上，并在所述空白区中沿横向形成为直线形带以在纵向上将所述多个单元区彼此隔离。
液晶显示器玻璃使用制造方法

[发明专利]一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法-CN202010473422.6有效
发明人：耿开远 -专利权人：济宁东方芯电子科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法，UV膜模板，包括UV膜，UV膜上设有若干段镂空区，相邻镂空区端部之间形成UV膜连接区。本发明利用了UV膜自身有粘性粘贴到硅片表面，刮涂时采用镂空区对玻璃进行选择性填入芯片槽，芯片槽填充后除去UV膜模板，可彻底清除残留的玻璃粉，解决了现有技术中刮涂玻璃钝化时硅片表面清洁不净的技术问题；本发明获得了良好的玻璃钝化效果，可以非常好的保护PN结界面；本发明玻璃有效地保护到了上沿，避免了光刻胶涂布不好的问题。
一种 uv 模板利用实现洁净玻璃钝化方法

[实用新型]台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构-CN201320272788.2有效
发明人：徐永平;何春海;王仁书;刘纪云 -专利权人：扬州中芯晶来半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：包括硅衬底片，其特征是，所述硅衬底片上设有氧化层、玻璃钝化台面槽和门极引线孔、阴极引线孔，玻璃钝化台面槽内设有钝化玻璃层。所述硅衬底片为在N-单晶硅片上有完成隔离P+区、阳极P区和门极P区扩散以及阴极N+区。所述阴极N+区与门极P区间周边表面PN结设置在所述玻璃钝化台面槽内。
台面保护阴极 pn 可控硅芯片结构

[发明专利]背钝化钙钛矿光伏器件-CN202310391913.X在审
发明人：麦耀华;何明珠;吴绍航;刘冲;刘亮 -专利权人：广东脉络能源科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本申请涉及钙钛矿光伏器件领域，尤其是一种背钝化钙钛矿光伏器件。一种背钝化钙钛矿光伏器件，包括玻璃基板，玻璃基板由下至上形成有透明电极层、第一界面层、钙钛矿层、第二界面层界面，所述钙钛矿层部分被第二界面层致密覆盖，但另外部分未被第二界面层致密覆盖；未被第二界面层致密覆盖的部分原位处理形成钝化区，即被第二界面层致密覆盖区不会变成绝缘的钝化区，未被第二界面层致密覆盖区原位处理后会变成绝缘的钝化区；钙钛矿层背向第一界面层的表面形成有背电极层；第二界面层、钝化层与背电极层相接。
钝化钙钛矿光伏器件

[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法-CN201410030037.9有效
发明人：曾绍钦;庄天劭;林昆志 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触式太阳能电池及其制造方法，所述方法包含提供一基板；形成第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区于所述基板；形成钝化层于所述基板，以覆盖所述第一导电型掺杂区与所述第二导电型掺杂区；间隔设置多个第一电极浆料团块于所述钝化层上，各所述第一电极浆料团块对应所述第一导电型掺杂区与所述第二导电型掺杂区，所述第一电极浆料团块包含金属成分与玻璃成分；以第二电极浆料包覆所述多个第一电极浆料团块；加热至少所述第一电极浆料团块一预定温度，使所述金属成分、所述玻璃成分以及与所述第一电极浆料团块接触的所述钝化层共同形成多个接触区域；所述电池包括基板、钝化层、多个接触区域与多个电极结构。
接触太阳能电池及其制造方法

[实用新型]门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件-CN200920267065.7有效
发明人：中原基 -专利权人：武汉光谷微电子股份有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，属于微电子技术领域。包括N-衬底层(1)、P+扩散区(2)、N+扩散区(4)、台面凹槽玻璃钝化层(5)、门极(G)、阴极(T1)和阳极(T2)，门极(G)和阴极(T1)均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极(G)和阴极(T1)一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层(7)。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。
阴极采用玻璃钝化保护可控硅器件

[发明专利]一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片-CN201811046696.6在审
发明人：冯亚宁;曹孙根;黄志祥;朱浩然;汪海波 -专利权人：安徽微半半导体科技有限公司
申请日： 2018-09-08 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片，芯片台面的采用单沟槽设计，沟槽内壁表面采用复合内钝化层结构，复合内钝化层由多晶硅膜以及底层高纯度纳米级氧化膜、氮化硅膜、玻璃组成。芯片由中间层单晶半导体本体、上层为P型硼结区和下层为N型磷结区的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层。本发明解决了芯片沟槽采用玻璃作为钝化层的保护膜的可靠性差和高温特性差的问题。
一种复合钝化沟槽结构可靠性整流器件应用芯片

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