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[发明专利]实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件-CN201110413121.5有效
发明人：王智;许晓鹏;孙汉炳 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司
申请日： 2011-12-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件。其方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属底座上，玻璃钝化单管另一端与电极烧结；实现玻璃钝化二极管大功率方面的应用。其器件包括底座（1），底座上设有一组切除管引线的玻璃钝化单管（2），玻璃钝化单管底部与底座烧结，玻璃钝化单管顶部与电极（3）烧结。本发明利用玻璃钝化实体封装二极管的性能优点，通过多颗玻璃钝化单管并联的方式，将玻璃钝化单管烧结在金属底座上。在工艺上，按玻璃钝化实体封装二极管正常工艺流程到成型工序，然后采用单管匹配性测试、线切割、二次烧结等技术手段制成可以在大功率范围内应用的玻璃钝化实体封装二极管。
实现玻璃钝化二极管大功率应用方法器件

[发明专利]一种防止含铅玻璃铅离子溶出的钝化设备和钝化方法-CN201610127086.3有效
发明人：陈福;续芯如;贾立丹;冯建业;周琳琳;李晓杰;韩影 -专利权人：秦皇岛玻璃工业研究设计院
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止含铅玻璃铅离子溶出的钝化设备和钝化方法，包括盛有钝化熔盐的钝化熔盐槽、包裹在钝化熔盐槽外部的保温壳体、及位于保温壳体和钝化熔盐槽之间的电加热系统；将含铅玻璃完全浸没于钝化熔盐中，使含铅玻璃表面的铅离子被钝化熔盐中的锌离子置换至钝化熔盐中本发明的钝化设备体积小、单位能耗低、对环境污染少、自动化程度高、能够一次连续制备铅离子溶出率低的含铅玻璃，使得综合成本降低。本发明的钝化方法，能够大大降低含铅玻璃表面的Pb2+溶出，同时提高含铅玻璃表面Zn2+、Ca2+和Mg2+的含量，使得钝化后的含铅玻璃能够满足更苛刻的使用要求，也就大大扩展了含铅玻璃的应用范围。
一种防止铅玻璃离子钝化设备方法

[发明专利]一种集成保护台面晶闸管及其制作方法-CN201610207115.7在审
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成保护台面晶闸管及其制作方法，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本发明的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管及其制作方法

[实用新型]一种集成保护台面晶闸管-CN201620276025.9有效
发明人：何春海 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成保护台面晶闸管，它在玻璃钝化层上面形成一定厚度的PI胶钝化层，该PI胶钝化层在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层亚胺化并和玻璃钝化层融合所述台面晶闸管的玻璃钝化层表面覆盖有PI胶钝化层，玻璃钝化层和PI胶钝化层形成集合保护层。通过本实用新型的上述技术方案，采用玻璃钝化+PI胶钝化工艺，形成集成保护层。有效改善了钝化层的电荷分布，从而有效的降低了晶闸管的漏电流，提高了晶闸管的可靠性。
一种集成保护台面晶闸管

[实用新型]高频高压玻璃钝化叠片二极管-CN201720808899.9有效
发明人：庄娟梅 -专利权人：常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及高频高压玻璃钝化叠片二极管，包括铜线、铜线钉头和多个玻璃钝化芯片，所述多个玻璃钝化芯片串接连接，铜线钉头的一面焊接在玻璃钝化芯片的两端，铜线则焊接在铜线钉头的另一面上，铜线钉头与玻璃钝化芯片之间通过焊片连接，在两个铜线钉头之间设有用于包覆玻璃钝化芯片的硅橡胶，硅橡胶包覆的形状为圆形；所述玻璃钝化芯片都为圆形的高频芯片，每两个高频芯片之间通过焊片相连。
高频高压玻璃钝化二极管

[发明专利]玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法-CN200910162147.X有效
发明人：李轶;赵宇;闵大勇;卢飞星 -专利权人：武汉华工激光工程有限责任公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，用于对玻璃钝化硅晶圆进行切割，该方法包括有如下步骤：在玻璃钝化硅晶圆背面制作与玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道，使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割借由本发明中的背面激光切割方法，可以提高玻璃钝化硅晶圆器件的电学性能，并且切割速度快，无崩碎现象。
玻璃钝化硅晶圆背面激光切割方法

[发明专利]硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法-CN200710199102.0无效
发明人：林楠 -专利权人：林楠
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法，其特征在于，在减薄硅大直径圆晶片衬底背面前，采用划刀法、光刻刻蚀法分离硅衬底上管芯之间的钝化玻璃膜层；或采用丝网掩膜隔离法在玻璃钝化中分离硅衬底上管芯之间的钝化玻璃膜层在芯片间的小范围内就有效地释放或消除在玻璃钝化工艺中由于钝化玻璃-硅热膨胀系数的差异所引入的玻璃-硅内应力，这样可有效地防止硅大直径圆晶片衬底背面减薄时所引起的硅片翘曲、龟裂或破碎。本技术方法能保证玻璃钝化硅半导体器件电参数最优化设计和可靠性最优化设计的实现，特别适合于大直径硅圆晶片玻璃钝化半导体器件的规模化生产。
直径晶片半导体器件玻璃钝化技术方法

[发明专利]玻璃钝化二极管芯片及其制作方法-CN201410270013.0在审
发明人：李建利;黄亚发 -专利权人：安徽芯旭半导体有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃钝化二极管芯片及其制作方法，包括：提供一PN结衬底，PN结衬底包括有第一沟槽，且第一沟槽使PN结衬底形成有至少一个台面；在第一沟槽内形成玻璃钝化层，玻璃钝化层与台面齐平；通过光刻工艺曝光显影，并在玻璃钝化层的中央区域进行刻蚀，以形成贯穿玻璃钝化层的第二沟槽；在PN结衬底上形成电极，沿第二沟槽切割得到至少一个玻璃钝化二级管芯片。通过刻蚀玻璃钝化层而形成第二沟槽，避免了出现第二沟槽的槽底残留玻璃的情况，进而提高了切割效率。本发明提供的玻璃钝化二级管芯片，在台面的边缘区域没有多余的环状玻璃，避免了在封装焊接时，环状玻璃与金属引线接触而产生封装结构应力，进而降低产品可靠性的情况出现。
玻璃钝化二极管芯片及其制作方法

[发明专利]碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术-CN200910118401.6无效
发明人：林楠 -专利权人：林楠
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供碳化硅、氮化镓新型半导体器件表面钝化保护技术新途径，即使用玻璃钝化技术较好地解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。本发明所提供的碳化硅、氮化镓新型半导体器件玻璃钝化技术可以使用锌系钝化玻璃也可以使用铅系钝化玻璃；可以使用包括：刮涂、电泳、溅射、离心、化学气相沉积等在内的多种沉积/涂覆方法实现钝化玻璃覆盖；通过热处理技术可以精确控制钝化玻璃膜与碳化硅、氮化镓半导体器件材料的热匹配并同时获得优异的器件高温反向特性；在上述器件上还可实现钝化玻璃与SiO2或Si3N4双重介质膜的钝化形式以满足不同器件设计要求。
碳化硅氮化半导体器件玻璃钝化技术

[实用新型]一种GPP芯片裂片结构-CN201520815183.2有效
发明人：袁正刚;许小兵;胡忠;孟繁新;郭丽萍;包祯美 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GPP芯片裂片结构，包括GPP芯片、硅片或钝化玻璃层、掩膜片；所述GPP芯片上固定有硅片或钝化玻璃层；所述掩膜片底部有盲孔，盲孔结构形状和硅片或钝化玻璃层完全一致，掩膜片紧压覆盖在硅片或钝化玻璃层上，使硅片或钝化玻璃层嵌于掩膜片底部的盲孔中。本实用新型通过采用“凹”形吹砂掩膜片，使得裂片可用吹砂的方式进行，能很好的保护玻璃钝化层免受裂片加工过程的，从而使得加工出的GPP芯片硅片或钝化玻璃层无崩落现象，同时也不会导致的芯片边缘表面金属化层氧化
一种 gpp 芯片裂片结构

[发明专利]一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法-CN201410244676.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨工大华生电子有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法，是采用磷硅玻璃钝化膜经过磷含量控制后，经过磷处理后，采用PECVD方法生长氮化硅膜，保护磷硅玻璃钝化膜防止潮解的一项工艺优化过程。本发明采用了对磷硅玻璃钝化膜中磷含量的控制、钝化膜磷处理和钝化膜保护等优化工艺，解决了磷硅玻璃钝化膜自身缺陷而引起的刻蚀侵蚀，表面潮解而引起的极化效应。通过工艺优化，达到了器件表面漏电的控制和钝化膜刻蚀和保存的难题。
一种玻璃钝化优化方法

[发明专利]硅半导体器件玻璃钝化工艺-CN200410041716.2有效
发明人：林立强 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种硅半导体器件玻璃钝化工艺，其特征在于：a.将配制钝化玻璃的各种氧化物或相应的氢氧化物或碳酸盐制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为原材料；b.经高温烧结后，将已成的钝化玻璃重新制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为钝化器件的玻璃粉；c.在玻璃钝化热成型时采用低真空10－10^－1Pa加热处理。采用本发明的工艺可以制取均匀性好，各种微缺陷基本消除，内应力小，窗孔刻蚀图形边缘完整性好，精度高的玻璃钝化膜，使玻璃钝化器件高温反向漏电流减小，成品率和可靠性均得到提高。
半导体器件玻璃钝化工艺

[实用新型]一种防止含铅玻璃铅离子溶出的钝化设备-CN201620171561.2有效
发明人：陈福;续芯如;贾立丹;冯建业;周琳琳;李晓杰;韩影 -专利权人：秦皇岛玻璃工业研究设计院
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止含铅玻璃铅离子溶出的钝化设备，包括盛有钝化熔盐的钝化熔盐槽、包裹在钝化熔盐槽外部的保温壳体、及位于保温壳体和钝化熔盐槽之间的电加热系统；将含铅玻璃完全浸没于钝化熔盐中，使含铅玻璃表面的铅离子被钝化熔盐中的锌离子置换至钝化熔盐中本实用新型的钝化设备体积小、单位能耗低、对环境污染少、自动化程度高、能够一次连续制备铅离子溶出率低的含铅玻璃，使得综合成本降低。
一种防止铅玻璃离子钝化设备

[实用新型]瞬态电压抑制组件-CN202223213048.X有效
发明人：周继峰;牟宗文 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种瞬态电压抑制组件，包括瞬态电压抑制半导体和玻璃钝化托盘半导体。瞬态电压抑制半导体和玻璃钝化托盘半导体具有相同的宽度。瞬态电压抑制半导体是重掺杂的。玻璃钝化托盘半导体是轻掺杂的。瞬态电压抑制半导体被焊接到玻璃钝化托盘半导体。
瞬态电压抑制组件

[发明专利]用于半导体器件的钝化玻璃-CN201780048810.6有效
发明人：斯里尼瓦桑·斯里德哈兰;约翰·J·马洛尼;乔治·E·萨科斯克;格雷戈里·R·普林斯巴赫;大卫·维德莱夫斯基;杰基·戴维斯;布拉德福德·史密斯 -专利权人：福禄公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：提供了钝化玻璃涂覆组合物，用于在具有p‑n结的半导体基底上形成烧制的钝化玻璃层。钝化玻璃涂覆组合物包含无铅、无镉、无碱金属氧化物并且无有色过渡金属氧化物(即V、Fe、Co、Ni、Cr、Cu、Mn的金属氧化物)的玻璃组分。玻璃组分包括铋基玻璃，并且提供500℃至900℃的烧制温度范围以及受控的失透。在被烧制到半导体器件上之后，烧制的钝化玻璃层提供优异的器件性能，包括烧制的钝化玻璃层不开裂、与硅优良的热膨胀匹配、对酸和碱的良好的化学抗性以及改进的器件性能。
用于半导体器件钝化玻璃

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