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[发明专利]一种触针式表面轮廓仪探针系统的制备方法及调校方法-CN202210470107.7有效
发明人：张晓东;李锁印;韩志国;徐森峰;赵琳;许晓青;吴爱华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本申请适用于微电子计量领域，提供了一种触针式表面轮廓仪探针系统的制备方法，其特征在于，包括：确定探针系统的材质和图纸，探针系统包括针尖和底座，针尖的材质为钨钢，底座的材质为铝；采用微细电火花加工方式对钨钢材料进行加工，制备针尖；采用机械加工方式对铝制材料进行加工，制备底座；将针尖和底座组装为探针系统。本申请为触针式表面轮廓仪提供了一套材料选择、图形设计、电火花加工、机械加工以及位置调校系统化的方案，在一定程度上解决了探针系统磨损的问题，提高了台阶测量的准确度。
一种触针式表面轮廓仪探针系统制备方法调校

[发明专利]一种负反馈型放大器-CN202011330411.9有效
发明人：孔令甲;周彪;王建;许向前;宋学峰;韩玉朝;张磊;彭同辉;李玺;孙雷;王旭东;石光楠;郭业达;朱菲;顾浩波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明属于电路领域，具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路；负反馈电路，包括输入支路和输出支路，输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端；输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信号耦合到输入支路；放大电路，接收输入支路的信号，并放大后输出。上述负反馈型放大器电路通过耦合得到负反馈信号，用负反馈电路代替了传统并联负反馈型放大器中的并联负反馈电阻，减少了功率损失，可以实现在工作频带内达到比相同反馈系数下的并联电阻方案更低的噪声系数，达到更高的输出三阶交调功率。
一种负反馈放大器

[发明专利]半导体激光器封装叠阵烧结夹具-CN201710401334.3有效
发明人：王媛媛 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/02365 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器封装叠阵烧结夹具；涉及光电技术领域；包括夹具本体和若干个固定夹板；夹具本体上设有放置槽；固定夹板的内夹板放置在放置槽中，并与放置槽内壁配合；固定夹板的外夹板与夹具本体外壁固定连接；内夹板与外夹板通过连接板相连接；固定夹板的内夹板上设有与要烧结激光器芯片相配合的卡槽孔，卡槽孔贯穿内夹板下部；内夹板与放置槽内壁之间防置要烧结激光器芯片；结构简单，使正多边形半导体激光器封装叠阵烧结简单、操作方便、烧结位置不易偏移。
半导体激光器封装烧结夹具

[发明专利]一种压控振荡器电路及芯片-CN201910611048.9有效
发明人：吴永辉;魏洪涛;吴洪江 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明涉及技术领域，公开了一种压控振荡器电路及芯片，包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、耦合线和限流模块；耦合线的第一端与第一晶体管模块的高电位端共接，耦合线的第二端与第二晶体管模块的受控端相连，耦合线的第三端与第一晶体管模块的受控端相连，耦合线的第四端与第二晶体管模块的高电位端共接，耦合线的电压输入端为压控振荡器电路的第一输入端，第一晶体管模块的低电位端、第二晶体管模块的低电位端和限流模块的第一端相连，限流模块的第二端为压控振荡器电路的第二输入端。本发明通过耦合线、第一晶体管模块和第二晶体管模块的交叉耦合反馈设计，实现了压控振荡器的输出频率大的调谐范围的超宽带特性。
一种压控振荡器电路芯片

[发明专利]格栅标准样片测量方法、装置及终端设备-CN202010447868.1有效
发明人：张晓东;梁法国;李锁印;韩志国;赵琳;冯亚南;许晓青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种格栅标准样片测量方法、装置及终端设备，该方法包括：基于预设间隔对格栅标准样片的平面区域进行划分，得到多个样片区域；获取多个样片区域的多个扫描图像，并对多个扫描图像进行图像拼接，得到样片图像；其中，多个扫描图像由关键尺寸扫描电镜系统对多个样片区域扫描得到；基于关键尺寸扫描电镜系统的透镜阵列建立笛卡尔坐标系，并基于样片图像确定格栅标准样片中第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标；基于第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标确定格栅标准样片的长度。本发明提供的格栅标准样片测量方法、装置及终端设备能够有效扩大关键尺寸扫描电镜的测量视场。
格栅标准样片测量方法装置终端设备

[发明专利]低气压条件下高频大功率波导同轴转换器-CN202111525251.8有效
发明人：吴小帅;陈昱宇;祁云飞 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01P5/103 文献下载
摘要：本发明提供了一种低气压条件下高频大功率波导同轴转换器，属于波导同轴转换器技术领域，包括壳体和形成于壳体内部的波导腔体，壳体上具有连通波导腔体的通孔，通孔内设置有同轴绝缘子，同轴绝缘子内端与波导腔体内壁之间直线距离不小于1.4mm，以增大电极间有效间距和降低波导腔体内部最大电场强度。本发明提供的低气压条件下高频大功率波导同轴转换器，解决了在低气压条件下，高频大功率传输转换出现的馈入波导内同轴微波绝缘子出现打火、局部烧毁的技术问题，具有实现在在低气压条件下、高频大功率传输转换情况下，增大电极间有效间距，降低击穿场强，不发生低气压打火问题，并通过试验验证，以确保可靠工作的技术效果。
气压条件下高频大功率波导同轴转换器

[发明专利]增强型场效应晶体管-CN201910892871.1有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;房玉龙;尹甲运 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
增强场效应晶体管

[发明专利]微波噪声接收机的噪声参数确定方法及装置-CN202010717444.2有效
发明人：刘晨;吴爱华;王一帮;孙静;孔令甲;栾鹏;霍晔;张立飞;丁立强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01R23/20 文献下载
摘要：本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种微波噪声接收机的噪声参数确定方法及装置，该方法包括：通过对噪声参数测量系统进行校准，并采用校准后的噪声参数测量系统进行测量得到噪声相关参数；根据噪声相关参数，建立噪声接收机的线性超定方程；求解线性超定方程得到未知列向量的值，并根据未知列向量的值计算噪声接收机的噪声参数，从而可以对噪声接收机的噪声参数进行表征。本发明通过采用高精度噪声参数测量系统测量噪声相关参数，然后设定线性超定方程并运用最小二乘法进行求解，根据得到的线性超定方程的未知列向量计算噪声接收机噪声参数，从而使得噪声参数测量精度较高，且噪声参数计算方法简单，可以提高噪声参数测量效率。
微波噪声接收机参数确定方法装置

[发明专利]基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统-CN201911301656.6有效
发明人：徐淑壹;王占奎;刘兰坤;陈中平;牛占鲁;孟昭建;戴文涛;朱晴;李运慈;王立亚;唐彦鹏;杨海利 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压，再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压，该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率，从而减小晶体振荡器的频率变化，优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
基于加速度补偿技术晶体振荡器频率系统

[发明专利]微米级台阶高度标准样块的制备方法-CN201911348036.8有效
发明人：冯亚南;梁法国;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;张晓东;吴爱华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。
微米台阶高度标准制备方法

[发明专利]一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器-CN202310009442.1在审
发明人：张立森;宋旭波;徐鹏;顾国栋;梁士雄;吕元杰;冯志红 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。
一种赫兹倍频电路芯片倍频器

[发明专利]一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法-CN202210829230.3有效
发明人：党冀萍;孙聂枫;王书杰;徐森锋;史艳磊;刘峥;邵会民;姜剑;李晓岚;王阳;张晓丹;康永;刘惠生 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置；合成完毕后，控制垂直温度梯度，完成单晶生长。在离心力的作用下，密度较重的铟原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的磷原子会向坩埚中心运动，合成速率较快，加速整体合成过程，同时减少熔体污染。
一种垂直温度梯度凝固制备磷化晶体装置方法

[发明专利]基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制作方法-CN202211356642.6在审
发明人：王绍东;王生国;银军;赵永志;许春良;吴家锋 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制备方法，属于微电子封装技术领域，包括微波封装管壳、金属基微流道散热器以及芯片和电路模块，微波封装管壳包括底板、固设于底板上的墙体以及封装于墙体上的盖板。金属基微流道散热器包括微流道载板、冷媒进管和冷媒出管；微流道载板内设有微流道，冷媒进管和冷媒出管连接于微流道的进口和出口，微流道载板固定于底板上，冷媒进管和冷媒出管外露在微波封装管壳的外面。芯片和电路模块封装于微流道载板上。本发明将芯片和电路模块直接组装在微流道载板上，可以实现导热性、可加工性、导电性，提升微波封装管壳的散热效果。
基于微流道散热器微波功率器件封装结构制作方法

[发明专利]SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202211434790.5在审
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度大于等于沟槽开口宽度的一半，使沟槽闭合；光刻定义侧壁剩余厚度，使用干刻设备刻蚀沟槽侧壁多余厚度的二氧化硅层，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度并淀积多晶硅；多晶硅刻蚀及源接触孔刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；完成源、漏端的欧姆接触和栅电极的制备。所述方法可以更好的控制槽栅氧化层的形貌，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决沟槽拐角处易提前击穿问题，提高器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓双向TVS器件及制备方法-CN202310004376.9在审
发明人：卜爱民;宋旭波;吕元杰;冯志红;梁士雄;王元刚;周幸叶 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P‑氮化镓层和P+氮化镓层，且均嵌入设置在钝化层内；两个台面结构各自的下表面间隔预设距离；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台面结构上表面的第二正极；两个正极嵌入设置在钝化层内；且钝化层上与第一正极对应的位置设置有第一电极孔，钝化层上与第二正极对应的位置设置有第二电极孔。本发明通过调节两个台面结构下表面间隔的预设距离，可以调节氮化镓双向TVS器件的击穿电压，从而有利于满足低钳位电压的工作需要。
氮化双向 tvs 器件制备方法