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[发明专利]一种籽晶杆的可调式稳定装置-CN201811521929.3有效
发明人：姜剑;孙聂枫;孙同年;史艳磊;王书杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明一种籽晶杆的可调式稳定装置，套装于晶体生长炉内的籽晶杆上，关键在于：包括套装在籽晶杆上的胀紧套，胀紧套外周面上均布有3‑6根螺杆，每个螺杆上螺纹连接有旋套，旋套的顶端设置有滚珠，滚珠与圆筒形炉腔内壁接触形成籽晶杆的支撑、稳定结构。通过在籽晶杆上加装胀紧套，并在胀紧套上设置可调式支撑稳定装置，使籽晶杆的运动平稳、同心度高。
一种籽晶调式稳定装置

[外观设计]睫毛夹-CN202330317601.5有效
发明人：姜剑 -专利权人：温州摩科电子科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：睫毛夹。2.本外观设计产品的用途：用于修整睫毛。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
睫毛夹

[发明专利]一种栅极驱动器及其驱动方法-CN202310714126.4在审
发明人：韩笛;姜剑 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：公开了一种栅极驱动器，用于驱动常通型器件和常闭型器件，所述常通型器件与常闭型器件串联耦接。栅极驱动器包括第一驱动器、第二驱动器和欠压检测器。第一驱动器根据PWM信号控制常通型器件，在正常工作状态下控制常闭型器件维持在开通状态。第二驱动器用于控制常闭型器件。若用于第一驱动器的负向电源电压、第二驱动器的正向电源电压以及输入电源电压中的任一电压被检测到处于欠压状态，第二驱动器控制常闭型器件关断。该栅极驱动器可提高开关性能并减小开通电阻，同时可避免常闭型器件承受较高电压应力。
一种栅极驱动器及其驱动方法

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法-CN202310773147.3在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;梁庭敬;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体方法

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置-CN202310773170.2在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;高颖;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体装置

[发明专利]一种Web机器人的识别方法、装置、设备和介质-CN202210729514.5有效
发明人：姜剑;荆昆仑;赵粤征;叶建伟;黄俊;叶晓虎 -专利权人：绿盟科技集团股份有限公司;北京神州绿盟科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Web机器人的识别方法、装置、设备和介质，由于该方法中是通过被动获取的每个web数据包提取到的每个TCP/IP指纹、第一操作系统类型及第一操作系统版本，在根据每个TCP/IP指纹生成的第一特征向量输入第一识别模型后得到的第二操作系统类型和第二操作系统版本、与第一操作系统类型及第一操作系统版本对Web机器人进行识别，在第一操作系统类型与第二操作系统类型不匹配，或第一操作系统版本与第二操作系统版本不匹配时，确定客户端为Web机器人，因此不会影响到客户端的性能从而提高了客户体验，并且该方法中不需要依赖用户经验设置阈值，从而提高了Web机器人识别的准确度。
一种 web 机器人识别方法装置设备介质

[发明专利]基于层状双金属氢氧化物的纳米材料、制备方法及应用-CN202210272076.4有效
发明人：于杰;梁萍;姜剑;张坤;罗婷;陈思彤;窦建萍;张东云 -专利权人：中国人民解放军总医院第五医学中心
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61K33/26 文献下载
摘要：公开一种基于层状双金属氢氧化物的纳米材料、制备方法及应用，能够促进芬顿反应产生高浓度活性氧ROS，进而诱发肿瘤细胞的免疫原性细胞死亡ICD，同时，通过材料内离子的限域效应，创新性的在未包载任何抗肿瘤药物的前提下，实现对肿瘤微波消融治疗的增敏与抑制肿瘤疗效的综合提升，成本较低，合成产物性质稳定。这种基于层状双金属氢氧化物的纳米材料，包括：层状双金属氢氧化物纳米材料、NaCl、薄荷醇，NaCl和薄荷醇复合在纳米材料表面，所述层状双金属氢氧化物包括铁、铝两种元素。
基于层状双金属氢氧化物纳米材料制备方法应用

[发明专利]一种纳滤浓水和氯化钠蒸发母液的处理方法-CN202111032235.5有效
发明人：罗金华;赵钪;单大铭;梅杰;姜剑;王妍如;王宇轩 -专利权人：中冶赛迪工程技术股份有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明属于污水处理领域，涉及一种纳滤浓水和氯化钠蒸发母液的处理方法，包括以下步骤：(1)在氯化钠蒸发母液中投加碱，再投加铝粉，去除硝酸根；(2)在氯化钠蒸发母液和纳滤浓水的混合液中投加酸，利用第一步的产物生成硅铝酸盐沉淀除硅；(3)投加酸后再投加BaCO3，生产BaSO4沉淀去除硫酸根；(4)加石灰，去除混合液中少量碳酸盐硬度、氟；再加入Na2CO3，去除混合液中非碳酸盐硬度和少量钡离子，反应后沉淀物经沉淀去除；经处理后的纳滤浓水和氯化钠蒸发母液可以直接进入氯化钠蒸发结晶系统进行处理，不影响蒸发结晶器的稳定运行，也不影响结晶盐的品质，从而减少一套混盐蒸发结晶系统。该方法投资省、运行稳定，具有良好的应用及推广前景。
一种纳滤浓水氯化钠蒸发母液处理方法

[实用新型]一种基于手指开合的康复训练器-CN202223506376.9有效
发明人：姜剑 -专利权人：姜剑
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： A63B23/16 文献下载
摘要：本实用新型属于医疗器械技术领域，具体是一种基于手指开合的康复训练器。提供一种能够便于提升训练效率的基于手指开合的康复训练器。一种基于手指开合的康复训练器，包括有手掌套、指套和拉力组件等，相邻所述指套之间均设置有能够调节张力大小且可供手指进行开合训练的拉力组件。通过在相邻的指套侧边之间设置有多根可进行调节力度的弹性件，便于患者根据自身实际情况进行相应调整，以便提升对手指开合训练的效率；且通过将手指向掌心处进行收拢对训练球进行抓取训练，便于达到对手指进行弯曲训练的目的；在进行手指弯曲训练时，使得部分训练球能够对掌心进行按摩，进而有利于促进掌心的血液循环，有利于提高对手指进行开合训练的效率。
一种基于手指康复训练器

[外观设计]剃须刀-CN202330136216.0有效
发明人：姜剑 -专利权人：温州摩科电子科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：剃须刀。2.本外观设计产品的用途：用于修剪、剃除胡须。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
剃须刀

[发明专利]三维封装结构和方法-CN202210745651.8在审
发明人：蒋航;姜剑;韩笛 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维封装结构和方法。所述三维封装结构包括：支撑层，包含有金属线；第一磁性层，附着于支撑层的第一表面；上板，被堆叠在支撑层之上；第一磁性层，附着于支撑层的第二表面和上板之间，其中所述支撑层的第一表面和第二表面互为对立面；集成电路裸片，被堆叠在上板之上，所述集成电路裸片包含有稳压器。所述三维封装结构和方法加大了功率输出量、弱化了辐射、并显著减小了封装尺寸。
三维封装结构方法

[发明专利]一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法-CN202210829230.3有效
发明人：党冀萍;孙聂枫;王书杰;徐森锋;史艳磊;刘峥;邵会民;姜剑;李晓岚;王阳;张晓丹;康永;刘惠生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置；合成完毕后，控制垂直温度梯度，完成单晶生长。在离心力的作用下，密度较重的铟原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的磷原子会向坩埚中心运动，合成速率较快，加速整体合成过程，同时减少熔体污染。
一种垂直温度梯度凝固制备磷化晶体装置方法

[发明专利]一种离心扩散合成化合物的装置和方法-CN202210938188.9在审
发明人：史艳磊;孙聂枫;徐成彦;秦敬凯;王书杰;付莉杰;徐森锋;康永;姜剑;刘惠生;邵会民;王阳;李晓岚;刘峥;张晓丹;张鑫;李亚旗;赵红飞;薛静;谷伟侠;吴中超;吴畏;高鹏;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：一种离心扩散合成化合物的装置和方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动离心扩散系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
一种离心扩散合成化合物装置方法

[发明专利]一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法-CN202211703548.3在审
发明人：王书杰;孙聂枫;徐森锋;邵会民;史艳磊;李晓岚;王阳;刘峥;张晓丹;姜剑;康永;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，属于半导体材料技术领域，包括：将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3‑5遍；将多晶料在流动惰性气体下加热至800‑850℃，持续20‑60min，然后降低温度至室温；打磨，去掉表层的磷化铟；将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1‑2min，然后用去离子水清洗3‑5遍；用沸腾的去离子水煮10‑30min；真空烘干。本发明采用物理和化学相结合的方法，能有效避免多晶料氧化层的形成，提高多晶料材料的纯度；工艺简单，酸腐蚀工艺环节少，对环境污染少，且成本低；针对回炉用多晶料形状多样性的特点，可以有效地进行清洗。
一种回炉配比磷化多晶清洗方法

[发明专利]一种非配比熔体制备碳化硅晶体的装置和方法-CN202211186389.4在审
发明人：王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;李晓岚;邵会民;刘峥;王阳;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种非配比熔体制备碳化硅晶体的装置和方法，属于半导体材料制备领域，所述装置包括离心电机、旋转主轴、固定在旋转主轴上的支撑杆、连接支撑杆的离心轮、设置在离心轮边缘内侧石墨坩埚、设置在旋转主轴的籽晶杆、设置在离心轮上下两侧的磁场发生器。所述方法包括将多晶硅放置在坩埚中，旋转产生离心力，同时施加双向磁场，加热熔化材料，实现碳化硅单晶的生长。采用本发明提出的技术方案，加速了碳原子的传输，生长界面处碳原子源源不断的供应，可以有效避免夹杂物和多晶的形成，实现高效制备低缺陷、无夹杂的高品质碳化硅单晶。
一种配比体制碳化硅晶体装置方法

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