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[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201911013284.7有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；去除所述第一掩膜层；制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。上述方法可以优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201710380274.1有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]水浸式超声扫描显微镜样品传送装置及控制方法-CN202310193393.1在审
发明人：赵英伟;张文朋;曹健;秦天;吴爱华;张辉;任泽生;王峻澎;程壹涛 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N29/22 文献下载
摘要：本申请适用于集成电路测试设备和仪器技术领域，提供了水浸式超声扫描显微镜样品传送装置及控制方法，该装置包括：承片台、滑车、导轨、导轨支架、推拉驱动机构、液体槽和底板；底板设置在液体槽的底壁上，导轨支架设置于底板上，导轨设置于导轨支架上，滑车设置于导轨上，承片台设置于滑车上；导轨的两端的高度不同，且导轨较低的一端低于预设高度，预设高度为盛放在液体槽中液体的液面高度；推拉驱动机构设置于液体槽的底板上，且与滑车连接，推拉驱动机构能够控制滑车在导轨的两端之间移动。本申请提高了晶圆检测完成后更换晶圆过程的效率，使更换过程更加快速平稳。
水浸式超声扫描显微镜样品传送装置控制方法

[发明专利]电流复用低噪声放大器及集成电路-CN202310224502.1在审
发明人：杨楠;刘飞飞;戴剑;崔亮;王磊;宋学峰;杨琦;陈南庭;王凯;王海龙;任健;俊祥;曾雁声;晗琛;成立鑫;张忠山 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。
电流低噪声放大器集成电路

[实用新型]基于图像识别的加工装置和激光隐形切割设备-CN202223603201.X有效
发明人：李纪东;易飞跃;张彪;杨顺凯;孙晓丹;李保第;张力江;闫荟羽 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于图像识别的加工装置和激光隐形切割设备，加工装置包括包括：安装座、驱动组件、激光切割组件和摄像装置；驱动组件承载于安装座上；激光切割组件与驱动组件传动连接，驱动组件驱动激光切割组件移动，激光切割组件包括激光切割头，激光切割头被构造成提供激光到晶圆上进行晶圆切割；摄像装置设于激光切割组件背离驱动组件的一侧，摄像装置与晶圆相对设置，以采集晶圆的图像信息。这样，通过在加工装置上设有摄像装置，摄像装置能够对晶圆进行识别，以节省了确定mark点的工序，提升加工效率。且加工装置会根据摄像装置图像识别的数据进行分析后进行晶圆切割，晶圆的切割过程更为准确可靠，避免晶圆的浪费，降低生产成本。
基于图像识别加工装置激光隐形切割设备

[发明专利]5G网络切片资源的分配方法、系统、终端设备及存储介质-CN202310312718.3在审
发明人：刘奇;谢甲林;王增双;高晓强;张加程;朱大成;刘兰坤;曹振坤;张献武;耿栋;郝晓超;陈君涛;刘银生;马世恒 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04L41/0893 文献下载
摘要：本申请适用于通信技术领域，提供了一种5G网络切片资源的分配方法、系统、终端设备及存储介质，该方法包括：接收用户设备UE发送的网络切片使用请求；基于神经网络和网络切片使用请求生成切片描述符；将切片描述符发送给域编排器，域编排器对切片描述符创建资源查询，收集资源查询的响应，并将响应发送给构建器；将切片描述符发送给构建器，构建器基于切片描述符、响应和强化学习方法创建端到端网络切片；端到端网络切片符合网络切片使用请求。本申请能够改善整个网络的性能和提高整个网络的效率。
网络切片资源分配方法系统终端设备存储介质

[发明专利]PIND试验夹具及TO同轴类未封盖器件的试验方法-CN202310314297.8在审
发明人：崔绍晖;沈牧;李松松;房玉锁;李晓红;张港;张厚博;崔璐;许向前;李宇;马汉超;王媛媛;孙芮;孙奕涛 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种PIND试验夹具及TO同轴类未封盖器件的试验方法，属于微电子器件测试技术领域，包括底座和盖板，底座上设有用于未封盖器件的引脚伸出的定位孔；盖板盖合在底座上，使管帽封装在未封盖器件；盖板上设有用于器件管帽伸出的通孔，盖板设有压紧管帽的压紧台。本发明提供的PIND试验夹具，在器件未封盖的状态下进行PIND检测，及时检测出器件内部是否含有自由粒子，并对含有多余物的器件内部进行及时处理，能够有效的提高后续筛选过程中的PIND合格率，减少器件的浪费，提高器件的可靠性。
pind 试验夹具 to 同轴类未封盖器件方法

[发明专利]偏置电路、功率开关及功率芯片-CN202310080388.X在审
发明人：杨卅男;许春良;高茂原;刘帅;游恒果 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本申请提供一种偏置电路、功率开关及功率芯片。该偏置电路包括：第一节点、第二节点和二极管模块；第一节点用于接受外部供电，第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；其中，功率开关管的漏极连接射频传输线；二极管模块，阴极与第一节点连接，阳极与第二节点连接。本申请能够在不增加功率开关管的插入损耗的同时保证功率开关管的工作可靠性。
偏置电路功率开关芯片

[发明专利]一种线性限幅器-CN201910285268.7有效
发明人：邓世雄;陈书宾;周全;吴波;高长征;王乔楠;赵瑞华;王磊;潘海波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03G11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性限幅器，包括至少两个限幅模块和至少一个分隔模块，所述分隔模块的个数小于所述限幅模块的个数；第一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输入端，最后一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输出端；所有的限幅模块的第二端接地；每个分隔模块均设置在两个相邻的限幅模块之间，其中，所述分隔模块的第一端与相邻的一个限幅模块的第一端连接，所述分隔模块的第二端与相邻的另一个限幅模块的第一端连接。通过在两个限幅模块之间设置分隔模块，使两个限幅模块之间的电长度增长，使线性限幅器在电压增加时，输出的电压更接近目标电压，提高了线性限幅器的线性度。
一种线性限幅器

[发明专利]一种三次谐波混频器电路-CN201910784324.1有效
发明人：孟范忠;方园;林勇;张贞鹏;吴洪江;郑俊平;卢军廷;王子青;王雨桐;陈艳;薛昊东 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种三次谐波混频器电路，其特征在于，包括：本振信号单元、偏压信号单元、混频单元、中频信号单元和射频信号单元；所述偏压信号单元的输入端用于接收偏压信号，所述偏压信号单元的输出端连接所述本振信号单元的第二输入端；所述本振信号单元的第一输入端用于接收本振信号，所述本振信号单元的输出端用于连接混频单元的输入端；所述射频信号单元的输入端用于接收射频信号；所述混频单元的输入输出端和所述射频信号的输出端共接后连接所述中频信号单元的输入端；所述中频信号单元的输出端输出中频信号。本发明能满足在W及以上频段的混频的使用要求。
一种三次谐波混频器电路

[发明专利]单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710392372.7有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。
单面石英鳍线二极管赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]微波单片电路抗扰度测试夹具-CN201710487535.X有效
发明人：迟雷;高金环;黄杰;杨洁;张希军 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波单片电路抗扰度测试夹具，用于夹持微波单片电路并进行抗扰度测试，包括底座主体、PCB电路板、定位块、可拆卸连接在底座主体上的金属盒盖、设置在金属盒盖上的并用于压靠固定微波单片电路的压块，定位块上设有用于定位微波单片电路的微波单片电路定位孔，压块上设有与微波单片电路对应的第二电磁兼容信号辐射信号孔，金属盒盖上设有与第二电磁兼容信号辐射信号孔对应的第一电磁兼容信号辐射信号孔，PCB电路板与电源电性连接。本发明提供的微波单片电路抗扰度测试夹具，定位简单准确，安装方便，能有效消除线路耦合信号测试噪声，实现微波单片电路的电磁辐射抗扰度测试，提高测试的准确性。
微波单片电路抗扰度测试夹具

[实用新型]一种磷化铟多晶合成设备-CN202223271542.1有效
发明人：林朋;杨鹏;付莉杰;孙聂枫;史艳磊;王书杰;秦敬凯 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：一种磷化铟多晶合成设备，属于半导体技术领域，包括框架、石英磷容器、磷加热器、冷凝器、与冷凝器相对设置的液磷通道、液磷输送管、液磷输送管底部开口处设置的封堵、多晶生长部分的装配空间，液磷输送管连接液磷通道和石英磷容器；多晶生长部分包括坩埚、加热器，坩埚底部设置微米级孔洞；多晶生长部分装配到多晶生长部分的装配空间，在框架内形成密闭空间。本实用新型采用冷凝技术将逃逸的磷蒸汽回收后继续参与反应，大大提高原材料的利用率；提高单次多晶的合成量，大幅提高合成效率；逃逸的磷蒸汽回收利用，省去了了繁琐的炉子清洗过程；可以实现装填一次磷，多次合成磷化铟。
一种磷化多晶合成设备

[实用新型]基于硅基微系统的三维封装结构及硅基微组装器件-CN202223357456.2有效
发明人：刘星;李晓林;杨栋;陈东博;王清源;胡雅丽;彭桢哲;赵宇 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构，属于硅基微系统微组装技术领域，包括第一层硅基板以及第二层硅基板，第一层硅基板上设有功能元件胶接区；第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面，第二层硅基板上设有用于避让功能元件的第一窗口，第一窗口的尺寸大于功能元件胶接区的尺寸；其中，第一层硅基板或/和第二层硅基板上设有隔离环，隔离环环绕在第一窗口的外围，且连接在第一层硅基板与第二层硅基板之间。本实用新型在芯片周围设置了隔离环，芯片涂覆导电胶胶接时，由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用，使导电胶只能在隔离环内，避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
基于硅基微系统三维封装结构组装器件