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[实用新型]电动便携水带收卷装置-CN202321037388.3有效
发明人：高昂;宋学峰 -专利权人：高昂
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B65H54/44 文献下载
摘要：电动便携水带收卷装置，涉及水带收卷工具，包括挡板、挂肩勾、倒Y型支架、收卷装置，所述挡板上设置有倒Y型支架，倒Y型支架下部设置有2个支腿，支腿上部有压带杆，压带杆上装有滚动套筒；所述收卷装置包括：水带缠绕头通过轴承置于挡板上，收卷套的缠绕头套头为中空结构，能够套于水带缠绕头上，收卷套的套管与电机或摇把插头互为阴阳配合关系，能够为简易电机或摇把带动转动。本实用新型的有益效果是：1、轻便，便于移动、操作。2、安全。采用与身体平行结构，规避危险和泥水。3、省力。电动收卷节省体力，提高工作效率。4、结构简单、制作方便，便于维护，成本降低。5、延长水带使用寿命。6、适用性广泛。
电动便携水带收卷装置

[实用新型]一种外加热式离子渗氮炉加热控制系统-CN202223464174.2有效
发明人：李传杰;吴俊平;宋学峰;戴金起;李振杰 -专利权人：青岛丰东热工技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外加热式离子渗氮炉加热控制系统，涉及到金属化学热处理设备领域，包括炉体，炉体的内壁固定安装有真空炉壁，真空炉壁内活动安装有工作台,工作台的顶侧活动安装有工件，工作台上固定安装有直流辉光放电电源的一端,直流辉光放电电源的另外一端固定安装在真空炉壁上。本实用新型，通过炉内热电偶、外壁热电偶等结构的设置，使得升温的目标温度设定的较高，升温速度快，运用串级控温的方式控制炉内温度，温度较为平稳，外加热的加热器为环形结构，炉内的温度更为均匀，离子电源作为渗氮动力使用，不作升温使用，可大幅度降低高压电源的功率，节省成本，这种控制方式较为简单，避免了炉壁外温超温的现象发生。
一种外加离子渗氮炉加热控制系统

[发明专利]一种聚氨酯组合物及其制备方法-CN202210024881.5有效
发明人：张明志;方永炜;王登攀;龚国欢;宋学峰;胡文娣;向亮;张文杨 -专利权人：滁州杰事杰新材料有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08L75/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚氨酯组合物及其制备方法，该聚氨酯组合物由以下重量份的组分制备而成：聚酯多元醇100份，纳米磁粉100‑600份，钛酸酯偶联剂4‑10份，扩链剂25‑35份，异氰酸酯60‑80份，抗氧剂1‑2份；所述钛酸酯偶联剂为钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑114的混合物。本发明选用钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑114进行复配，对200‑300nm磁粉进行了处理后，可以明显增加磁粉与聚氨酯基体的结合能力，明显提高聚氨酯组合物的力学性能及磁性能。
一种聚氨酯组合及其制备方法

[发明专利]双频低噪声放大电路-CN202310349515.1在审
发明人：刘飞飞;任健;郝俊祥;戴剑;崔亮;王磊;宋学峰;杨琦;陈南庭;王海龙;杨楠;曾雁声;冯晗琛;成立鑫;张忠山;杨旭达;吴浩洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端与第二放大支路的输出端作为双频低噪声放大电路的输出端；第一放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第一工作频段的信号，并对第一工作频段的信号进行放大处理；第二放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第二工作频段的信号，并对第二工作频段的信号进行放大处理；第一工作频段和第二工作频段互不重叠。本发明能够降低噪声系数并减小芯片面积。
双频噪声放大电路

[发明专利]一种高功率射频开关及射频通信装置-CN202310351319.8在审
发明人：王鑫;王绍权;江浩;王磊;王梦坦;周彪;宋学峰;徐永祥;张凯娟;庞龙;李增路 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04B1/525 文献下载
摘要：本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽，减小关断阻抗，减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽，增大关断阻抗，增加底部晶体管分压时的源漏电势差。使各晶体管的源漏电势差均匀分布，避免了顶部晶体管首先达到击穿，提升了射频开关的发射功率处理能力。
一种功率射频开关通信装置

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及相关器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石的良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]一种三聚氰胺甲醛树脂复合材料及其制备方法-CN202210044344.7有效
发明人：王登攀;方永炜;向亮;张文杨;宋学峰;张明志;龚国欢;胡文娣 -专利权人：滁州杰事杰新材料有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08L61/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种三聚氰胺甲醛树脂复合材料及其制备方法，该三聚氰胺甲醛树脂复合材料由以下组分按重量份制备而成：三聚氰胺30‑33份，甲醛38‑42份，NdFeB磁粉70‑200份，二(乙酰丙酮)钛酸二异丙酯0.3‑2份，氢氧化钠0.2‑0.25份。本申请通过将三聚氰胺与甲醛以特定配比混合，制备得到性能优异的产品。此外，本发明采用二(乙酰丙酮)钛酸二异丙酯对NdFeB磁粉改性得到改性磁粉，该改性磁粉能够显著改善三聚氰胺甲醛树脂复合材料的磁性能。
一种三聚甲醛树脂复合材料及其制备方法

[发明专利]体声波滤波器及滤波器组件-CN202110740553.0有效
发明人：张仕强;李丽;王胜福;李宏军;宋学峰;于江涛;张韶华;李亮;梁东升;王小维;汪晓龙;韩易;王晓晶;尹少腾 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明涉及滤波器技术领域，提供一种体声波滤波器及滤波器组件，包括串联连接在输入端子和输出端子之间的第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器；多个并联的薄膜体声波谐振器的一端并联连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器至第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器之间的节点上，多个并联的薄膜体声波谐振器的另一端分别连接接地端子。上述滤波器可允许特定频率的信号通过。
声波滤波器组件

[发明专利]一种聚甲基丙烯酸甲酯复合材料及其制备方法-CN202210024875.X有效
发明人：张明志;方永炜;王登攀;龚国欢;宋学峰;胡文娣;向亮;张文杨 -专利权人：滁州杰事杰新材料有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C08F120/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚甲基丙烯酸甲酯复合材料及其制备方法，该聚甲基丙烯酸甲酯复合材料由以下重量份的组分制备而成：甲基丙烯酸甲酯100份，微米级磁粉40‑400份，钛酸酯偶联剂0.2‑8份，自由基聚合引发剂0.1‑0.2份；所述钛酸酯偶联剂为钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑114的混合物。本发明选用钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑114的混合物对微米级磁粉进行处理，可以明显增加微米级磁粉与聚甲基丙烯酸甲酯的结合能力，明显提高聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的力学性能及磁性能。
一种甲基丙烯酸复合材料及其制备方法

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]电流复用低噪声放大器及集成电路-CN202310224502.1在审
发明人：杨楠;刘飞飞;戴剑;崔亮;王磊;宋学峰;杨琦;陈南庭;王凯;王海龙;任健;俊祥;曾雁声;晗琛;成立鑫;张忠山 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。
电流低噪声放大器集成电路

[发明专利]一种强磁性尼龙66组合物及其制备方法-CN202210024813.9有效
发明人：张明志;方永炜;王登攀;龚国欢;宋学峰;胡文娣;向亮;张文杨 -专利权人：滁州杰事杰新材料有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种强磁性尼龙66组合物及其制备方法，所述强磁性尼龙66组合物由以下组分按重量份制备而成：纳米磁粉50‑150份，钛酸酯偶联剂0.25‑3份，尼龙66盐60‑80份，扩链剂1‑2份，抗氧剂0.5‑1份；所述钛酸酯偶联剂为钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑311组成的混合物。本发明选用钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑311的混合物作为偶联剂对纳米磁粉进行处理，可以明显增加纳米磁粉与尼龙66的结合能力，大幅提高复合材料的力学性能及磁性能。本发明使用粒径为200‑300nm的球形四氧化三铁为纳米磁粉，该尺寸范围内的纳米磁粉对尼龙66组合物具有较好的改性效果。
一种磁性尼龙 66 组合及其制备方法

[发明专利]一种浇铸尼龙复合材料及其制备方法-CN202210024882.X有效
发明人：张明志;方永炜;王登攀;龚国欢;宋学峰;胡文娣;向亮;张文杨 -专利权人：滁州杰事杰新材料有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C08G69/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种浇铸尼龙复合材料及其制备方法，该浇铸尼龙复合材料由以下重量份的组分制备而成：内酰胺100份，纳米磁粉40‑300份，催化剂0.2‑2份，活化剂0.5‑3份，钛酸酯偶联剂0.5‑5份，抗氧剂1‑2份；所述钛酸酯偶联剂为钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑311组成的混合物。本发明选用钛酸酯偶联剂TC‑WT与钛酸酯偶联剂TC‑311的混合物作为偶联剂对纳米磁粉进行处理，可以明显增加磁粉与尼龙6基体的结合能力，大幅提高复合材料的力学性能及磁性能。本发明使用粒径为100‑200nm的球形四氧化三铁为纳米磁粉，该尺寸范围内的纳米磁粉对复合材料具有较好的改性效果。
一种浇铸尼龙复合材料及其制备方法

[发明专利]单刀双掷微波开关-CN202310249449.0在审
发明人：戴剑;王磊;李士卿;崔亮;陈南庭;宋学峰;侯伦;刘方罡;刘海峰;郭丰强;武世英;申靖轩;范仁钰;傅琦;刘乐乐;高显;苏辰飞;梁家铖 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；第一晶体管的第一端连接输入端口，第一晶体管的第二端连接第一输出端口，第一晶体管的栅极连接第一控制端口；第二晶体管的第一端连接输入端口，第二晶体管的第二端连接第二输出端口，第二晶体管的栅极连接第二控制端口；第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间，第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。本申请提供的单刀双掷微波开关具有低插入损耗，降低了射频信号的损耗。
单刀微波开关

[发明专利]放大器芯片-CN202010504537.7有效
发明人：赵瑞华;卜爱民;由利人;王磊;白锐;宋学峰;徐达;李丰;汤晓东;周瑞;胡松祥;马伟宾;郝俊祥;王亚君;杨旭达 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所述放大器电路的输入端为所述放大器芯片的输入端，所述放大器电路的输出端连接所述滤波电路的输入端，所述滤波电路的输出端为所述放大器芯片的输出端。本发明提供的放大器芯片拥有更好的集成度，能够在集成层数较多时保持原有的集成效果。
放大器芯片

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