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[发明专利]一种用于检测直流接地极腐蚀性能的方法-CN202110682742.7有效
发明人：童雪芳;谭波;王湘汉;范冕;董晓辉;王磊;李晓岚;何慧雯 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测直流接地极腐蚀性能的方法，属于高压试验领域。本发明方法包括：将直流接地极的电极A作为注流电极，电极B作为回流电极，根据材料标准进行预处理，将引流导线与电极的连接处做绝缘套密封；将电极A埋设于实际土壤环境中，确定电极A的电位补偿点，并测量电极A的接地电阻；将电极B埋设在距离电极A电位补偿点两倍位置的实际土壤环境中；将电极A作阳极，电极B作阴极连接直流电源，在预设时间内对电极A和电极B注入电流；通流结束后按预设的清洗方法进行清洗，且去除腐蚀产物，烘干及测量电极的质量，结合电极的表面积、通流时间及材料密度确定电极A及电极B的腐蚀速率，通过腐蚀速率确定直流接地极的腐蚀性能。
一种用于检测直流接地腐蚀性能方法

[发明专利]面向数据方舱的数据存储管理方法、装置及存储介质-CN202311170762.1在审
发明人：周艳兵;郜允兵;潘瑜春;刘玉;李晓岚;赵亚楠 -专利权人：北京市农林科学院信息技术研究中心
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F16/31 文献下载
摘要：本发明涉及数据存储管理技术领域，提供一种面向数据方舱的数据存储管理方法、装置及存储介质，该方法包括：基于退化耕地监测治理时空数据方舱的应用特征，确定数据方舱的类型；基于不同类型的数据方舱所对应的第一特征，以及待存储数据的元数据对应的第二特征，分别计算不同类型的数据方舱所对应的第一特征与第二特征之间的相似度；基于相似度，将待存储数据存储到对应类型的数据方舱。本发明提供的面向数据方舱的数据存储管理方法，根据不同类型的数据方舱的第一特征与待存储数据的元数据的第二特征，计算待存储数据与不同类型数据方舱的之间的相似度来确定存储方案，实现根据待存储数据的特点和应用场景进行有效存储，提高了数据的访问效率。
面向数据存储管理方法装置介质

[发明专利]一种高压电缆护层保护器选取的方法及系统-CN202110603995.0有效
发明人：李振强;周姣;李晓岚;娄颖;何慧雯;范冕;王磊;李志军;查志鹏;万磊 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02H7/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压电缆护层保护器选取的方法及系统。其中，该方法包括：根据电缆护层的绝缘水平，确定保护器的雷电冲击残压U1的范围和操作冲击残压U2的范围；根据电缆护层的工频短时耐受电压Up，确定保护器的额定电压Ur的范围和额定电压Ur的上限值Urb；根据电缆故障下护层的最大工频过电压Ufp和保护器的工频电压耐受能力，确定保护器的耐受工频电压值和保护器的时间；根据保护器的额定电压Ur的范围，保护器的工频耐受电压值和时间，保护器的雷电冲击残压U1的范围和操作冲击残压U2的范围，确定最终的保护器。
一种高压电缆保护选取方法系统

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法-CN202310773147.3在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;梁庭敬;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体方法

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置-CN202310773170.2在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;高颖;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体装置

[发明专利]一种基于云计算的数字化教学方法、系统及介质-CN202310681136.2在审
发明人：徐文俊;李晓岚;邓楚玲;黄妙玲;李本诚 -专利权人：广州盈培职业技能培训学校有限责任公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06V40/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于云计算的数字化教学方法、系统及介质，通过对线上教学视频数据进行图像提取，得到关键图像数据集，基于关键图像数据集进行动作特征提取、动作建模与动作难度分析，得到动作模型数据与难度信息，并通过三维展示模型进行可视化展示；从云平台中构建并训练基于GAN的动作预测模型，根据动作缺失信息，通过云计算得到预测动作特征数据，并进一步实现教学视频中动作特征数据的修正。通过本发明通过在云平台进行模型搭建，基于云计算进行模型的训练工作，有效降低用户设备的资源使用率，另外，通过GAN算法模型，对出现的缺失动作信息进行预测并生成修正数据，进一步提高信息化教学中的用户体验，提高教学系统对数据缺失的应变能力。
一种基于计算数字化教学方法系统介质

[实用新型]一种分类存储装置-CN202321274289.7有效
发明人： 李晓岚;陈爽 -专利权人：武汉中部对外经济技术合作集团有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A47B63/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种分类存储装置，包括分类存储组件，所述分类存储组件包括存储箱和抽屉，所述抽屉的两侧安装有滑动组件，所述滑动组件包括滑轨和滑块，所述抽屉上安装有分隔组，所述分隔组件包括隔板和挡槽，所述存储箱的内侧安装有限位组件，所述限位组件包括锁芯和开口，所述抽屉的外侧安装有密封组件，该分类存储装置能够将储存箱内的潮气通过吸水树脂进行吸收，避免数据资料出现受潮，当外界的水分洒落到储存箱的外侧时，吸水树脂吸收水分并将储存箱与外板之间的缝隙密封，保障所存储的数据资料的安全，保障隔板后面的资料的使用安全，对不同的数据资料进行不同的存储管理，无需增加存储设备的投入，适用于人力数据的分类存储使用。
一种分类存储装置

[发明专利]构建混合直流输电系统受端电压源换流站的方法及换流站-CN202011229305.1有效
发明人：周姣;王磊;何慧雯;李晓岚;范冕 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于构建混合直流输电系统受端电压源换流站的方法，所述方法包括：将二极管端间避雷器DA接在限流二极管两端，二极管端间避雷器DA额定电压为396kV，二极管端间避雷器DA操作冲击保护水平为565kV，以及二极管端间避雷器DA柱数为8柱。将限流电抗器端间避雷器DR接在极线限流电抗器两端，极线限流电抗器端间避雷器DR额定电压为629kV，极线限流电抗器端间避雷器DR操作冲击保护水平为904kV，以及极线限流电抗器端间避雷器DR柱数为4柱。将阀厅内中性母线避雷器CBN1接在下桥臂换流阀与限流二极管之间，中性线阀侧避雷器CBN1额定电压为428kV，中性线阀侧避雷器CBN1操作冲击保护水平为652kV，以及中性线阀侧避雷器CBN1柱数为8柱。
构建混合直流输电系统端电压换流方法

[发明专利]自助终端证件识别方法及装置-CN201911136238.6有效
发明人：潘喆琼;龙正雄;胡瑞瑞;毛倩倩;李晓岚;华秋明;柳婷婷;方琛宠;杨建立;赵婉芳;严晓昇;李莉;吴凯 -专利权人：国网浙江省电力有限公司宁波供电公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06V30/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种自助终端证件识别方法及装置，应用于自助终端，包括如下步骤：获取证件的原始图像；通过Otsu算法和Beresen算法对原始图像进行图像二值化处理，得到二值化图像；对二值化图像进行识别区域定位；提取字符的特征向量；通过神经网络框架训练得到的分类器对所提取到字符的特征向量进行特征向量分类，实现字符的识别；同时公开了对应的装置。本发明可实现自助终端业务办理流程在提交证件时就完成证件图片信息的自动识别与核对，从而减轻后台审核人员压力，提升业务办理的效率，更进一步推进营业厅智能化，业务办理便民化。
自助终端证件识别方法装置

[发明专利]一种重金属衰减污染源的土壤污染范围预测方法及系统-CN202010171268.7有效
发明人：郝星耀;潘瑜春;李淑华;董士伟;李晓岚 -专利权人：北京农业信息技术研究中心
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种重金属衰减污染源的土壤污染范围预测方法及系统，该方法包括：将目标污染区域划分为多个预设尺寸的网格，并建立元胞自动机；对于当前时刻的每一网格，元胞自动机根据每一网格当前时刻的污染物浓度、每一网格的污染物浓度输出量、每一网格的污染物浓度输入量，计算每一网格在下一时刻的污染物浓度；重复上述过程，直到超标网格数量达到最大，所有超标网格的边界即为土壤污染影响范围。本发明实施例针对重金属衰减污染源对周边土壤的污染问题，采用元胞自动机地理空间模拟框架，通过将元胞自动机应用到土壤污染范围预测中，确定迭代计算终止的确定方法，实现污染源影响范围的量化动态模拟。
一种重金属衰减污染源土壤污染范围预测方法系统

[发明专利]一种重金属稳定污染源的土壤污染预测方法及系统-CN202010171255.X有效
发明人：郝星耀;潘瑜春;李淑华;董士伟;李晓岚 -专利权人：北京农业信息技术研究中心
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种重金属稳定污染源的土壤污染预测方法及系统，该方法包括：将目标污染区域划分为多个预设尺寸的网格，并建立元胞自动机模型；对于当前时刻的每一网格，元胞自动机模型根据每一网格的若干邻域网格发生污染的概率，计算每一网格下一时刻发生污染的概率；重复上述过程预设次数，预测每一网格在预设时刻发生污染的概率。本发明实施例采用元胞自动机地理空间模拟框架，通过网格周围的邻域网格发生污染的概率，对该网格下一时刻发生污染的概率进行预测，从而实现对土壤重金属污染风险扩散进行动态模拟，以提高模拟的空间尺度适应性和精度。
一种重金属稳定污染源土壤污染预测方法系统

[发明专利]一种中红外光谱分析仪分析前置光学系统移动结构-CN202111255077.X有效
发明人：林长青;龚秀明;戴锋;卞超;李晓岚;罗平;陈希瑞;程骏;甘强;张正东;丁然;陶加贵;陈轩;李东风;谭婷月;朱胜 -专利权人：中国科学院光电技术研究所;国网江苏省电力有限公司检修分公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：一种中红外光谱分析仪分析前置光学系统移动结构，包括分析仪本体，转动机构，清洁机构和喷水机构；分析仪本体的顶部靠近一侧边缘处固定连接有固定板，固定板的一侧外表面嵌设有显示屏，分析仪本体的顶部固定连接有安装箱，转动机构包括调节部件、机械臂、连接头和两个调节头，通过安装电机转动带动转动板转动，使水管摆动使喷头喷洒更均匀，同时通过固定电机转动，从而移使移动块移移动带动清洁杆移动，同时通过移动块的移动带动清洁杆转动，可对清洁杆对调节头和连接头进行清洗，保持中红外光谱分析仪分析前置光学系统移动结构的清洁，通过机械臂调节连接头和调节头的位置，方便使用者使用调节红外光谱分析仪前置光学系统移动结构。
一种红外光谱分析分析前置光学系统移动结构

[发明专利]一种柔性石墨接地体压接装置-CN202211374099.2在审
发明人：范冕;王湘汉;何慧雯;谭波;童雪芳;王磊;李晓岚 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种柔性石墨接地体压接装置，包括压接变形体、紧固套管、第一端盖和第二端盖。压接变形体为套管结构，压接变形体套置在柔性石墨接地体的压接段的外部，压接变形体可沿自身的径向弹性扩缩。紧固套管套置在压接变形体的外部。第一端盖开设有供柔性石墨接地体穿设的第一穿设孔，第二端盖开设有供柔性石墨接地体穿设的第二穿设孔，第一端盖和第二端盖分别紧固在紧固套管在自身轴向上的两端，并分别沿压接变形体的径向抵压压接变形体在自身轴向上的两端，使得压接变形体收缩，对压接段进行抵压。本申请的装置中，压接变形体使得压接力分布均匀，从而使得压接段充分接触又不会挤压剪断，提高了装置的安全性和可靠性。
一种柔性石墨接地体压接装置

[发明专利]一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法-CN202210938176.6在审
发明人：王书杰;孙聂枫;怀俊彦;徐森锋;史艳磊;邵会民;刘峥;党冀萍;李晓岚;王阳;刘惠生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T0，800℃T0Tm，启动离心旋转设备，使离心力G大于100g；施加离心力后，熔体中的A、B元素向熔池两侧移动，多晶被溶解，籽晶开始生长出单晶；随着多晶不断被溶解和单晶不断生长，熔体向多晶方向迁移，实现单晶制备。采用此方法，可以低温生长单晶，提高生长界面临界剪切应力，降低位错密度。同时，降低压力设备的要求和生长条件，并使得原本不能够利用熔体法制备的晶体实现熔体法的高效生长。
一种重力通过迁移制备化合物晶体方法

[发明专利]一种在VSC直流换流站防护雷电侵入波的方法和装置-CN201810637119.8有效
发明人：王磊;周姣;何慧雯;娄颖;范冕;谭波;童雪芳;李振强;李晓岚;张波;孙泽来;郭攀辉 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在VSC直流换流站防护雷电侵入波的方法和装置，所述方法通过对VSC直流换流站的主接线图、设备参数、导线和杆塔进行电磁暂态计算模型，能准确计算所述换流站在出现反击和绕击时，雷电侵入波过电压在各个设备上的过电压分布，以及相应避雷器上能量的幅值，并根据计算出的过电压提出对应的防护方案，所述防护方案包括调整避雷器柱数、避雷器的布置位置等，对提高VSC换流站雷电防护能力及优化设计水平有重要的应用价值。
一种 vsc 直流换流防护雷电侵入方法装置

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