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[发明专利]半导体激光元件-CN202180021522.8在审
发明人：丹生贵大;川口真生;萩野裕幸 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：半导体激光元件(10)是具有脊部(180)的半导体激光元件(10)，具备：p型第1包覆层(133)；以及被配置在p型第1包覆层(133)上的p型第2包覆层(134)，p型第1包覆层(133)具有由AlxGa1‑xN层以及AlyGa1‑yN层(0≤x＜y≤1)构成的超晶格结构，p型第2包覆层(134)由AlzGa1‑zN(0≤z＜y)构成，p型第1包覆层(133)具有：没有配置p型第2包覆层(134)的平坦部(133a)；以及从平坦部(133a)向上方突出的、配置有p型第2包覆层(134)的突出部(133b)，突出部(133b)从平坦部(133a)突出的高度比平坦部(133a)的p型第1包覆层(133)的厚度小。
半导体激光元件

[发明专利]一种激光器及其制造方法-CN202010762617.2有效
发明人：杨国文;唐松;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种激光器及其制造方法，所述激光器包括：衬底，所述衬底上自下而上依次设置有第一限制层、量子阱和第二限制层；脊形成层，设置在所述第二限制层上，所述脊形成层包括多个波导结构，所述多个波导结构阵列式分布；欧姆接触层，设置在所述脊形成层的脊区上表面；绝缘层，设置在所述脊形成层的脊区侧面以及所述脊形成层的沟槽区；金属层，设置在所述欧姆接触层和所述绝缘层上。本申请实现了在不降低激光器输出光功率的同时，提高激光器的COMD电流阈值。
一种激光器及其制造方法

[实用新型]芯片及激光器-CN202023340352.1有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本申请总体来说涉激光技术领域，具体而言，涉及一种芯片及激光器，激光器安装有该芯片，芯片包括衬底、芯片层组、波导条及波导包层，衬底具有芯片区及波导区，芯片层组设置于所述衬底的芯片区，波导条与所述芯片层组间隔集成于所述衬底的波导区，波导条用于引导出射激光的光斑大体呈圆形，波导包层沉积在所述波导条，改善的芯片出射光斑形状，提高激光器芯片与光纤耦合效率。
芯片激光器

[发明专利]半导体激光元件-CN201910490340.X有效
发明人：菅康夫;曾我部隆一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：半导体激光元件经由焊料层粘接面和基座而形成，该面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，该半导体激光元件包括平台部，其在由焊料层粘接的半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离。金属覆盖包含槽部的区域的上表面。平台部以分散为多个的方式被分割。
半导体激光元件

[发明专利]芯片加工方法、芯片及激光器-CN202011614713.9在审
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本申请总体来说涉激光技术领域，具体而言，涉及一种芯片加工方法、芯片及激光器，芯片采用该芯片加工方法加工而成，激光器安装有该芯片，芯片加工方法包括：在衬底加工芯片层组，去除部分所述芯片层组形成波导区，通过生长方式加工覆盖层，将波导区的覆盖层加工成端面朝向芯片层组的波导条，将所述波导条朝向所述芯片层组的一侧部分去除，以在所述波导条与所述芯片层组之间形成间隙，加工波导包层，并去掉所述芯片层组及所述间隙对应的波导包层，波导条用于对芯片层组发出的激光进行整形，使出射激光的光斑接近圆形，提高激光器与光纤耦合效率。
芯片加工方法激光器

[发明专利]一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法-CN201811008424.7有效
发明人：任夫洋;苏建;陈康;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法，通过使用第二光刻胶层和硬质掩膜层作为刻蚀掩膜利用ICP干法刻蚀技术，制备出宽度小于2μm的垂直窄脊条。利用硬质掩膜层在上，第一光刻胶层在下的掩膜结构在保证足够刻蚀选择比的同时保护光刻胶免受离子轰击，维持光刻胶强度，为制作电流注入窗口提供可能。利用ICP产生的等离子体使可剥胶层两个侧壁与氧等离子体反应，可剥胶层宽度变窄，实现了在窄脊条上做出更窄的电流注入窗口的目的。
一种半导体激光器窄脊条结构制作方法

[实用新型]一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片-CN201921656468.0有效
发明人：李林;董北平;李鸿建 -专利权人：武汉云岭光电有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟半导体激光晶圆包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长其上端面的外延结构，将覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层去除，通过解理面区域对磷化铟半导体激光晶圆解理得到磷化铟半导体激光芯片。其可以降低磷化铟激光芯片的整体应力，主要是降低解理方向上二氧化硅电介质膜层产生的应力，从而降低其对施加机械外力的影响，保证机械应力能够沿解理方向传递，从而达到理想解理效果。
一种磷化半导体激光芯片

[发明专利]窄脊半导体器件的制备方法-CN201710054287.X有效
发明人：杨冠卿;梁平;徐波;陈涌海;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
半导体器件制备方法

[发明专利]二维光子准晶宽区半导体激光器结构-CN201610563190.7有效
发明人：贾志伟;王利军;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
二维光子准晶宽区半导体激光器结构

[发明专利]一种半导体激光芯片制造方法-CN201811645608.4在审
发明人：仇伯仓 -专利权人：江西德瑞光电技术有限责任公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光芯片制造方法，其制作方法包括，1)、生长衬底依次外延生长为N型包层材料、次波导、主波导、P型包层材料；2)、利用次波导材料的折射率大于包层材料的折射率，次波导对光的空间限制强度弱于主波导，这里一个波导对光的空间限制强度被定义为：3)、沿光波导方向，波导刻蚀深度逐渐加深或者波导的厚度逐渐变薄，光波导中光模式的传播常数相应减小，从而迫使部分光场向次波导转移。本发明优点：可以降低高功率半导体激光器腔面的功率密度，从而提高器件的可靠性。
波导半导体激光芯片空间限制主波导高功率半导体激光器折射率大于包层光波导方向波导材料传播常数外延生长逐渐变薄光波导光模式折射率衬底光场减小刻蚀制造生长加深制作

[发明专利]光半导体装置的制造方法-CN201610141486.X有效
发明人：松本启资 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p‑InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
半导体装置制造方法

[发明专利]硅基横向注入激光器及其制备方法-CN201610836551.0有效
发明人：刘智;成步文;李传波;薛春来;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。
横向注入激光器及其制备方法

[发明专利]边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法-CN201510509173.0有效
发明人： A.莱尔;C.内尔茨;C.鲁姆博尔茨;S.哈陶尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中所述平面化层（3）具有至少两个相叠布置的区域（3a、3b），并且所述平面化层（3）的与所述半导体层堆叠邻接的区域（3b）包含至少一种掺杂物质。
平面化层半导体激光二极管半导体层堆叠边缘发射截面波导面化外延半导体层电磁辐射蚀刻停止层掺杂物质邻接活性层堆叠相叠主面嵌入制造平坦

[发明专利]一种高速激光器芯片制作方法和装置-CN201510746784.7有效
发明人：罗飚;王任凡;刘应军;汤宝 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片的制作方法和装置，所述方法包括：获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数；根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值；将所述外延片置于托盘指定位置；在启动腐蚀过程后，所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中；在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时，触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。通过一种携带伺服系统的腐蚀控制装置，利用激光的测距功能，监测腐蚀区中心厚度是否达到响应阈值，来判断是否完成腐蚀阶段。该方法能够基于获取的激光器芯片制造的相关参数，有效的适应各种激光器芯片的脊波导结构生成。
一种高速激光器芯片制作方法装置

[发明专利]一种小尺寸半导体激光器及其制备方法-CN201310432868.4有效
发明人：刘欢;沈燕;徐现刚;王英 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm，产出约为原来的1.3倍。本发明制备工艺步骤简单，节省生产所用原材料和人工工时；同时减少P面划伤、污染等问题，提升了P面质量。
制备尺寸半导体激光器蒸镀半导体激光器芯片半导体激光器欧姆接触层芯片发明制备工艺带肩结构管芯图形图形周期制备周期蒸发台衬底放入光刻后翻划伤减薄刻蚀清洗污染生产

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