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[发明专利]二维光子准晶宽区半导体激光器结构-CN201610563190.7有效
发明人：贾志伟;王利军;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
二维光子准晶宽区半导体激光器结构

[发明专利]晶圆键合机台-CN202111414336.9在审
发明人：林俊成;张容华;张茂展 -专利权人：天虹科技股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合机台，包括一载台、三个第一对准单元、三个第二对准单元、一压合板及两个平边对准单元。载台的承载面具有一放置区用以放置一第一晶圆，其中第一对准单元、第二对准单元及平边对准单元设置在放置区周围。第一对准单元用以定位第一晶圆，并承载一第二晶圆。第二对准单元用以定位第二晶圆，而平边对准单元则用以接触第一及第二晶圆的平边，以对准第一晶圆及第二晶圆的角度。压合板面对载台的承载面，并用以压合承载面上经过对位的第一及第二晶圆，而平边对准单元则会随着压合板相对于载台升降。
晶圆键合机台

[实用新型]晶圆键合机构-CN202122914272.0有效
发明人：林俊成;张容华;张茂展 -专利权人：天虹科技股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆键合机构，包括一载台、三个第一对准单元、三个第二对准单元、一压合板及两个平边对准单元。载台的承载面具有一放置区用以放置一第一晶圆，其中第一对准单元、第二对准单元及平边对准单元设置在放置区周围。第一对准单元用以定位第一晶圆，并承载一第二晶圆。第二对准单元用以定位第二晶圆，而平边对准单元则用以接触第一及第二晶圆的平边，以对准第一晶圆及第二晶圆的角度。压合板面对载台的承载面，并用以压合承载面上经过对位的第一及第二晶圆，而平边对准单元则会随着压合板相对于载台升降。
晶圆键合机构

[发明专利]含Mg-Zn-Gd基准晶中间合金及其制备方法-CN201010130628.5无效
发明人：杜文博;王旭东;王朝辉;李淑波 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C22C30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Mg-Zn-Gd基准晶中间合金及其制备方法。该合金的化学成分以质量百分比计为：Mg26.0-43.5％，Zn43.0-62.0％，Gd12.0-13.5％；其铸造组织特征为：由二十面体MgaZnbGdc准晶+Mg7Zn3离异共晶、二十面体MgaZnbGdc准晶+MgZnGd三元相或二十面体MgaZnbGdc准晶+MgZn的多相复合组织所组成，准晶相的体积可达到中间合金总体积的40％～70％。其制备方法是通过控制合金元素含量及凝固工艺，用简单的设备获得一种含Mg-Zn-Gd基热稳定二十面体准晶的中间合金材料，制备工艺简单，生产成本低；生产出的合金中准晶含量高，成分范围宽，热稳定性能好，可热处理
mg zn gd 基准中间合金及其制备方法

[发明专利]一种宽过冷液相区锆基非晶合金-CN201910008325.7有效
发明人：范超;张晓平;王应静;彭炜 -专利权人：盘星新型合金材料(常州)有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽过冷液相区锆基非晶合金。本发明宽过冷液相区锆基非晶合金的组成为：Zr
锆基非晶合金宽过冷液相区过冷液相区原子百分比电子技术功能材料热塑成形应用

[发明专利]含准晶高抗腐蚀性能镁合金及其制备方法和应用-CN201310214206.X有效
发明人：许道奎;韩恩厚 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：本发明涉及镁合金领域，具体为一种高抗腐蚀能力的含准晶高抗腐蚀性能镁合金及其制备方法和应用，特别是在室温条件下NaCl水性溶液中具有较好均匀腐蚀和较高的抗点蚀能力的含准晶镁合金材料及制备该合金材料的方法，解决镁合金抗腐蚀能力极差的问题，通过合理选择合金元素，将准晶相引入到镁合金基体中，制备出了具有较高抗腐蚀性能的含准晶Mg-Li合金。含准晶镁合金可以是α-Μg单相区和α-Μg+β-Li双相区的准晶相强化镁合金，按重量百分数计，其组分及其含量为：Li0-11.5%；Zn5-10%；Y0.5-2%；Mg余量。
含准晶高抗腐蚀性能镁合金及其制备方法应用

[发明专利]一种制作三维光子晶格或光子准晶的方法-CN201710240504.4在审
发明人：靳文涛;张雪华;李林 -专利权人：中原工学院
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作三维光子晶格或光子准晶的方法，步骤如下将激光器发出的激光束经过扩束镜扩束，扩束后变为宽平行光束照射到中央开孔的多楔面棱镜上；中央开孔的多楔面棱镜将宽平行光束转变成相互叠加的（n+1）束光，形成三维干涉光场；将光折变材料放置在三维干涉光场中，经过曝光，制作出三维光子晶格或光子准晶。仅需要单个中央开孔的多楔面棱镜就能实现（n+1）束光干涉，产生三维的干涉光场，进而制作出三维光子晶格或光子准晶结构，制作过程简单可靠。
一种制作三维光子晶格方法

[发明专利]凹形间隔件晶圆孔洞及形成于其中的晶圆位准光学组件-CN201510338862.X有效
发明人：爱德华·纳宾汉;艾伦·马丁 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种晶圆位准光学组件，及形成它们于其中的凹形间隔件晶圆孔洞。晶圆位准光学组件包含间隔件晶圆，其包含多个孔洞。各孔洞具有在间隔件晶圆的平面横剖面中的凹形形状，及与该平面横剖面相交的溢流区。晶圆位准光学组件亦包含光学组件的数组，数组的各光学组件是由硬化的可流动材料形成于多个孔洞的个别的一者内。形成各光学组件的硬化的可流动材料的一部分扩展进入至多个孔洞的个别孔洞的溢流区内。间隔件晶圆包含多个孔洞，多个孔洞中的每个具有在间隔件晶圆的平面横剖面中的凹形形状。多个孔洞中的每个包含与该平面横剖面相交的溢流区。
凹形间隔圆孔形成中的晶圆位准光学组件

[实用新型]基于VCSEL片集成的准直偏振光束输出器件-CN202223335471.7有效
发明人：杨穆 -专利权人：嘉兴微瑞光学有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于VCSEL片集成的准直偏振光束输出器件，包括：VCSEL晶圆，具有若干个发光区；亚波长光栅偏振调制层，固接位于所述VCSEL晶圆的若干个发光区的发光方向的一侧部；微透镜阵列光束准直层，固接位于所述亚波长光栅偏振调制层远离所述VCSEL晶圆的一侧部。解决了现有技术中VCSEL输出光束的偏振调制和准直使用分立元件，整体结构尺寸大，导致增加了模组装配和结构设计的难度，以及应用场景受限的技术问题。
基于 vcsel 集成偏振光束输出器件

[发明专利]一种控制超导回旋加速器束流相宽的装置及超导回旋加速器-CN201610617800.7有效
发明人：杨建俊;宋国芳;吕银龙;管锋平;葛涛;崔涛;刘景源 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制超导回旋加速器束流相宽的装置，其设置在超导回旋加速器中心低能区的磁极(8)上，该装置包括支撑杆(5)及穿设在支撑杆(5)内的内杆(4)，内杆(4)的头部并排放置两根准直柱(1、2)，两个准直柱(1、2)之间形成一定宽度的狭缝，当束团的径向尺寸大于该狭缝的宽度时，部分粒子打到两根准直柱上损失掉，实现束流相宽的控制。本发明束流相宽的装置，能够在低能区减小束团的径向尺寸，从而减小束流的纵向相宽，提高了引出效率，降低了束流损失。
一种控制超导回旋加速器束流相宽装置

[实用新型]一种控制超导回旋加速器束流相宽的装置及超导回旋加速器-CN201620820227.5有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种控制超导回旋加速器束流相宽的装置及超导回旋加速器，其设置在超导回旋加速器中心低能区的磁极(8)上，该装置包括支撑杆(5)及穿设在支撑杆(5)内的内杆(4)，内杆(4)的头部并排放置两根准直柱(1、2)，两个准直柱(1、2)之间形成一定宽度的狭缝，当束团的径向尺寸大于该狭缝的宽度时，部分粒子打到两根准直柱上损失掉，实现束流相宽的控制。本实用新型束流相宽的装置，能够在低能区减小束团的径向尺寸，从而减小束流的纵向相宽，提高了引出效率，降低了束流损失。
一种控制超导回旋加速器束流相宽装置

[发明专利]激光准直光纤、系统、制作方法及存储介质-CN202110000693.4在审
发明人：董克攻;张昊宇;黎玥;郭超;颜冬林;李峰云;林宏奂 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本申请提供一种激光准直光纤、系统、制作方法及存储介质，涉及光通信技术领域。激光准直光纤包括传输光纤和输出端帽；传输光纤包括用于接收输入激光的第一输入端以及输出输入激光的第一输出端，输出端帽包括用于从第一输出端接收激光的第二输入端以及输出激光的第二输出端；传输光纤从第一输入端至第一输出端依次设置有腐蚀区和塌缩区，腐蚀区用于剥除泵浦残余光，塌缩区位于第一输出端的端面且与输出端帽连接。激光准直光纤通过腐蚀区能够有效剥除包层中的泵浦残余光，通过塌缩区降低高功率情况下返回光对前端光路的影响，从而提高了高功率宽谱激光的输出质量，并在激光准直系统中配合离轴抛面镜实现覆盖高功率宽谱激光的光谱的准直输出
激光光纤系统制作方法存储介质

[发明专利]光刻套准方法及芯片制作方法-CN202210976828.5在审
发明人：李京兵;石晓宇;王国峰 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请适用于芯片制造技术领域，提出一种光刻套准方法，包括：将晶圆放置于光刻机的载台上，将光刻版放置于光刻机的载盘上，晶圆包括多个曝光区，每个曝光区内设有第一对位标记，光刻版上设有套准标记；将光刻版与晶圆进行粗对准；移动光刻版，以使套准标记与第一对位标记精细对准；将光刻版移动第一预设距离，第一对位标记与套准标记相错开，以利用光刻版对晶圆进行光刻。上述光刻套准方法能够实现多层图案层的套准，节省标记占用的芯片以及提高芯片生产量。本申请还提供了一种芯片制作方法。
光刻方法芯片制作方法

[发明专利]超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管-CN202010150476.9在审
发明人：陈伟;仲雪倩;黄海涛;张永熙 -专利权人：上海瞻芯电子科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请中超级结的制造方法包括：通过外延生长工艺在宽禁带半导体衬底表面上形成外延层；将第一掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入外延层的至少一部分区域，形成第一导电类型区；将第二掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入第一导电类型区的至少一部分区域，形成第二导电类型区，其中，第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型不同；预设晶向为使得掺杂离子沿预设晶向注入会发生沟道效应的晶向。
超级制造方法及其结肖特基二极管

[发明专利]偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法-CN200310116471.0无效
发明人：王书荣;王圩;刘志宏;张瑞英;朱洪亮;王鲁蜂 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为1μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3)二次外延p型磷化铟和n型磷化铟作为条型有源区的限流的掩埋区；4)三次外延p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆接触层；5)制作p面和n面电极并在解理成管芯条后，在管芯条的受光和出光面镀抗反膜，完成器件制备
偏振不灵敏半导体放大器制作方法

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