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[发明专利]具有亚芯片规模封装构造的半导体器件制造方法-CN98122812.7有效
发明人：里奥·M·海金斯三世 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1998-11-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，其特征是具有下述步骤：提供具有多个半导体管芯的晶片，多个半导体管芯的每一半导体管芯都具有一个表面和外围尺寸X及外围尺寸Y，每一半导体管芯的外围尺寸X和外围尺寸Y彼此互相垂直；在所述每一半导体管芯的表面上形成多个电接触；把多个基板覆盖到多个半导体管芯上，使得多个基板的每一基板都电连到多个半导体管芯的各自半导体管芯的多个电接触上，其中，所述每一基板都具有彼此互相垂直的外围尺寸X′和外围尺寸Y′，且至少下述两者之一得到满足：(i)所述每一基板的外围尺寸X′小于所述各自半导体管芯的外围尺寸X，(ii)所述每一基板的外围尺寸Y′小于所述各自半导体管芯的外围尺寸Y；以及在覆盖多个基板后将多个半导体管芯切割成单个管芯。根据本发明的方法允许在晶片级别即在切割成半导体管芯之前进行半导体管芯封装。
具有芯片规模封装构造半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202111465401.0在审
发明人：安运来;张文婷;杨霏;桑玲;刘瑞;田丽欣;张朋;罗松威;杜泽晨;汪玉;王鑫 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法-CN202111287658.1在审
发明人： T.J.斯特罗思曼;D.M.普里科洛;沈一权;林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法。一种半导体器件具有载体，该载体具有固定尺寸。从第一半导体晶圆中将多个第一半导体管芯分割。第一半导体管芯设置在载体上面。载体上面的第一半导体管芯的数目独立于从该第一半导体晶圆中分割的第一半导体管芯的尺寸和数目。在第一半导体管芯和载体上面以及在第一半导体管芯和载体周围淀积密封剂来形成重构的面板。从载体中去除第一半导体管芯。具有与第一半导体管芯的尺寸不同的尺寸的第二半导体管芯设置在载体上面。载体的固定尺寸独立于第二半导体管芯的尺寸。
半导体器件半导体封装使用标准化载体方法

[发明专利]光电半导体装置-CN201710446677.1有效
发明人：陈显德 -专利权人：优显科技股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体装置。光电半导体装置包括磊晶基材以及多个微尺寸光电半导体元件。这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于磊晶基材的表面，各微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米。
光电半导体装置

[发明专利]具有不连续的半导体部分的微电子装置及制作这种装置的方法-CN201180022483.X有效
发明人：罗曼·格沃齐茨基;罗曼·科普帕尔德 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子装置（100），包括：多个相似的不连续的半导体部分（104），所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层（102），所述半导体部分以恒定的距离隔开并且包括与其他部分平行的形状；以及两个电极（108a、108b、108c、108d），所述电极设置成与半导体层接触，使得分隔两个电极的最大距离小于一个半导体部分的最大尺寸，其中，设置半导体部分的形状和尺寸、半导体部分之间的间距、电极的形状和尺寸以及电极相对于半导体部分的布局，使得至少一个半导体部分将两个电极彼此电连接，并且其中，半导体部分的最大尺寸垂直于电极的最大尺寸，所述电极是相似的。
具有连续半导体部分微电子装置制作这种方法

[实用新型]半导体器件-CN201320575197.2有效
发明人：菊池卓;菊池隆文 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，提高将平面尺寸不同的多个半导体芯片层叠的半导体器件的各半导体芯片的设计自由度。该半导体器件，包括：布线基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；第1半导体芯片；第2半导体芯片；第3半导体芯片；以及多个外部端子，其形成于所述布线基板的所述第2面，所述第3半导体芯片的平面尺寸大于所述第1半导体芯片的平面尺寸。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310128708.4在审
发明人：季彦良 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体部件；以及硅基被动部件，沿该半导体部件的厚度方向堆叠在该半导体部件上。本发明中，硅基被动部件可以是与半导体部件同样在晶圆工艺中形成的，因此硅基被动部件的尺寸可以与半导体部件的尺寸相当，并且硅基被动部件堆叠在半导体部件上，因此可以节省面积占用，减小半导体装置的尺寸。
半导体装置

[发明专利]极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法-CN202010331592.0在审
发明人：吴俊纬;曾瓅;张家熏;王文志;蒯光国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。本发明实施例提供一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包含：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移
极化半导体晶片装置制造磁性方法

[发明专利]一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法-CN202211670410.8在审
发明人：樊文浩;朱华日;李辉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法，涉及半导体材料技术领域，具体为S1、半导体材料模型的构建S2、半导体材料缺陷模型的构建S3、孤立点缺陷正电子寿命的计算S4、半导体材料点缺陷空位尺寸的检测该半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法是基于第一性原理计算正电子的淹没寿命，可以及其精确的检测出半导体材料点缺陷的空位尺寸。
一种半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法

[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺-CN200810144966.7有效
发明人：吴亮洁;王晴 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺，包括：单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的该上表面具有两个金属垫；以及绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的该前侧面、该后侧面、该左侧面、该右侧面、及该底面。本发明还提供一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺。本发明可以得到相同的可靠度，但是尺寸较小的单一晶粒尺寸半导体元件，保护该元件不受环境影响，并节省了费用，降低工艺的难度。
单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺

[发明专利]半导体产品的关键尺寸控制方法-CN200510002870.3有效
发明人：沈友玮;陈永镇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是有关于半导体制造领域。具体揭示一种半导体产品的关键尺寸控制方法，用以在小体积高准确度半导体产品的制造流程中，控制一半导体处理操作期间一半导体产品的关键尺寸，上述半导体处理操作期间要求一所需能量值以实现上述关键尺寸。上述控制方法包括：测量先前形成在上述产品上的一关键尺寸；根据上述半导体处理操作的一所需关键尺寸及上述测量的关键尺寸计算一第一能量值；以及根据上述计算出的第一能量值以及先前取得的一所需能量获得上述所需能量值，上述先前取得的所需能量对应在上述制造流程中执行在一先前产品上的上述半导体处理操作。
半导体产品关键尺寸控制方法

[发明专利]半导体器件测量方法-CN202010349457.9有效
发明人：李弘祥 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该发明涉及一种半导体器件测量方法，能够减小对半导体器件的关键尺寸进行测量时的测量误差。所述半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元；对所述至少两种最小重复单元进行关键尺寸测量，获取所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据；根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型；根据所述测量模型对所述半导体器件进行关键尺寸测量。
半导体器件测量方法

[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构-CN201110120025.1无效
发明人：吴亮洁;王*晴 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，包括：单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的该上表面具有两个金属垫；以及绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的该前侧面、该后侧面、该左侧面、该右侧面、及该底面。本发明可以得到相同的可靠度，但是尺寸较小的单一晶粒尺寸半导体元件，保护该元件不受环境影响，并节省了费用，降低工艺的难度。
单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201280073539.9有效
发明人：绀野顺平;西田隆文;坂田贤治;木下顺弘;杉山道昭;木田刚;小野善宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，在布线衬底上，通过粘接材料分别层叠俯视时的平面尺寸不同的第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，在平面尺寸相对小的第一半导体芯片上搭载平面尺寸相对大的第二半导体芯片。另外，搭载了第一及第二半导体芯片之后，用树脂封固第一及第二半导体芯片。这里，第二半导体芯片和布线衬底的间隙用树脂封固之前，预先通过搭载第一及第二半导体芯片时使用的粘接材料填塞。
半导体器件制造方法

[发明专利]超级结晶体管及其形成方法-CN201310371353.8有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种超级结晶体管及其形成方法，其中，超级结晶体管包括：半导体衬底内具有第一掺杂离子；位于半导体衬底表面的若干第一半导体层，第一半导体层的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，第一半导体层的顶部尺寸小于底部尺寸，且第一半导体层内具有第一掺杂离子；若干位于相邻第一半导体层之间的半导体衬底表面的沟槽，沟槽的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，且沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；位于沟槽的侧壁和底部表面的第二半导体层，第二半导体层内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反；位于第二半导体层表面的介质层，介质层填充满沟槽；位于第一半导体层表面的栅极结构。
超级结晶体及其形成方法

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