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[发明专利]在工件沉积或植入掺杂物质的方法及处理工件的方法-CN201780068648.4有效
发明人：赛梅克·莎里曼;高琦;海伦·L·梅纳德 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文公开了一种在工件上沉积掺杂物质或在工件中植入掺杂物质的方法及处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。
工件沉积植入掺杂物质方法处理

[发明专利]钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料及其在锂电池中的应用-CN202110929913.1在审
发明人：翁启东;张新华;周永 -专利权人：湖州南木纳米科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料及其在锂电池中的应用，所述钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料以钛酸钡为主体，还包括掺杂物质；钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料具有典型的钙钛矿型结构；所述掺杂物质包括用于调节电导率和居里温度的第一掺杂物质和/或用于增大材料正电阻温度系数的第二掺杂物质；所述第一掺杂物质和所述第二掺杂物质在所述钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料中的总掺杂量为0.01wt％‑5wt％。
钛酸钡 ptc 热敏陶瓷材料及其锂电池中的应用

[发明专利]具阻障层的光电半导体元件-CN201310404407.6有效
发明人：刘宗宪;李荣仁;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体元件，包含：一阻障层；一第一半导体层位于阻障层之上，第一半导体层包含一第一掺杂物质及一第二掺杂物质；以及一第二半导体层位于阻障层之下包含第二掺杂物质，其中在第一半导体层中，第一掺杂物质的浓度大于第二掺杂物的浓度，且第二掺杂物在第二半导体层中的浓度大于在第一半导体层的浓度。
半导体层掺杂物质阻障层光电半导体元件掺杂物

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200410068320.7有效
发明人：扬·布洛赫维茨－尼莫斯;吉尔达斯·索林 -专利权人：诺瓦莱德有限公司
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：该目的在设置方面由此得以实现，即至少设置一个聚合物层和两个分子层，其中，如果盖层触点为阴极的话，处于盖层触点下面的层作为传输电子的分子层构成，并通过有机的或者无机的施主掺杂，其中，n型掺杂物包括有机的主物质和施主类的掺杂物质，并且掺杂物的分子质量大于200g/mol。如果盖层触点为阳极的话，处于盖层触点下面的层作为p掺杂的空穴传输分子层构成，并通过有机的或者无机的受主掺杂，其中，掺杂物包括有机的主物质和受主类的掺杂物质，并且掺杂物的分子质量大于200g/mol。
发光元件及其制造方法

[发明专利]一种胶乳掺杂物质的定性分析方法-CN201310195862.X有效
发明人：周聪;赵敏;罗金辉;徐志;叶海辉;高丽华 -专利权人：中国热带农业科学院分析测试中心
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G01N33/44 文献下载
摘要：本发明公开了胶乳掺杂物质的定性分析方法，包括以下步骤：1）特征图的制作；2）定性判断待测掺杂胶乳样品的掺杂物质。本发明能直观定性出多种在胶乳中掺杂的物质，使用本方法不影响干胶含量的准确测定，本方法定性准确、快速，且操作非常简单，便于推广普及。
一种胶乳掺杂物质定性分析方法

[发明专利]通过掺杂物辅助的光致电离来检测化合物-CN201611165820.1在审
发明人： S.达维拉;H.施米德特;H.赖;A.维尔科夫;S.卢科夫 -专利权人：莫福探测仪器有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本公开涉及使用掺杂物辅助的光致电离来检测感兴趣的物质的能力。在所公开的方法和过程中可使用各种掺杂物来检测诸如爆炸物、麻醉剂、非法物质等等的物质。
通过掺杂辅助致电检测化合物

[发明专利]一种干海参中外来掺杂物的测定方法-CN201210473885.8无效
发明人：王联珠;朱文嘉;殷邦忠;李烨;李晓庆 -专利权人：中国水产科学研究院黄海水产研究所
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明属于水产品品质鉴定领域，具体地涉及一种干海参中外来掺杂物的测定方法。具体步骤如下：先将干海参复水，在此过程中干海参体内被掺杂的物质（大部分为水溶性）、如盐、糖、胶类物质等溶于水中，此时再将海参烘干，原干海参和处理后干海参重量的差值，即为外来掺杂物的重量，计算出干海参中掺杂物质量百分比本发明运用简单易行的方法，快速、准确地测定干海参中外来掺杂物的量，为干海参的进一步鉴定提供重要的参考依据。
一种海参外来掺杂测定方法

[发明专利]一种可脱除高温烟气中重金属的掺杂氮化硼及其制备方法-CN201910455013.0在审
发明人：李彦龙;李洪喜;李润东;苏欣;王子曦 -专利权人：沈阳航空航天大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种可脱除高温烟气中重金属的掺杂氮化硼，包括掺杂物质以及氮化硼制备时所需的三聚氰胺、硼酸原料，该组分按照摩尔比分为掺杂物：0.1‑1mol，三聚氰胺：1‑5mol，硼酸：1‑5mol。同时还提供了该掺杂氮化硼的其制备方法。该方法在基于两步法制备多孔氮化硼的基础上在第一步前驱体制备时引入掺杂物质，制备出高比表面积，高孔隙率的多孔氮化硼材料，并且根据掺杂物质的不同对于高温烟气中的重金属具有不同的吸附选择性，具有优于非掺杂多孔氮化硼对于高温烟气中重金属的吸附能力
制备高温烟气氮化硼重金属多孔氮化硼掺杂物质掺杂三聚氰胺脱除硼酸吸附选择性高孔隙率硼酸原料前驱体制吸附能力掺杂物非掺杂两步法引入

[发明专利]一种n型半导体金刚石材料的制备方法-CN202310155639.6在审
发明人：贺端威;郭睿昂 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明所述n型半导体金刚石材料的制备方法，工艺步骤如下：(1)单晶金刚石的预处理，以去除单晶金刚石表面的杂质；(2)掺杂坯体的制备，将预处理后的单晶金刚石置于n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体中模压成型，或者将n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体放入箔材或无机非金属材料容器中，再将预处理后的单晶金刚石置于n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体中模压成型；(3)将掺杂坯体放入静高压设备中，在确定的掺杂压力和掺杂温度保温保压进行热扩散掺杂，热扩散掺杂完成后，清洗去除包裹材料和掺杂后的金刚石表面杂质并干燥，即得到晶格完整、掺杂浓度高、性能优良的n型半导体金刚石材料。
一种半导体金刚石材料制备方法

[发明专利]显示面板及显示面板制造方法-CN202111337014.9在审
发明人：刘强;苏圣勋;颜志敏;钱先锐 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供的显示面板及显示面板制造方法，通过在两个发光层之间的像素界定层对应的位置设置掺杂抑制层，可以使得电荷产生层中与所述掺杂抑制层接触的第一位置处的掺杂物质浓度小于不与所述掺杂抑制层接触的第二位置处的掺杂物质浓度
显示面板制造方法

[发明专利]识别物质的存在-CN201480058596.9有效
发明人： R·A·霍尔特;B·珀斯坦 -专利权人：珀金埃尔默新加坡有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：一种用于识别样品中的至少一种掺杂物物质的存在的方法。该方法包括：接收一组样品光谱数据、一组参考光谱数据、多组验证光谱数据以及所述至少一种掺杂物物质的一组掺杂物物质光谱数据，每组验证光谱数据用于一个相应的验证实例。从这些光谱数据，确定代表将在样品光谱数据和参考光谱数据之间执行最小二乘法拟合过程之后剩余的残数的残数数据，并且确定代表将在样品光谱数据、参考光谱数据和掺杂物物质光谱数据之间执行最小二乘法拟合过程之后剩余的残数的修改的样品残数数据该方法然后包括在样品残数数据、修改的样品残数数据、验证残数数据以及修改的验证残数数据之中执行至少一次比较；以及根据所述至少一次比较来确定在所述样品中所述至少一种掺杂物物质的存在的可能性值；以及输出所述可能性值
识别物质存在

[发明专利]用于在片材上沉积掺杂涂层的夹具及沉积装置-CN201811224500.8在审
发明人：唐永炳;孟醒;陈波;王陶 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在片材上沉积掺杂涂层的夹具及沉积装置，涉及涂层沉积辅助设备技术领域。该夹具包括传动单元和夹持单元，夹持单元用于装载掺杂源，传动单元与夹持单元连接，且传动单元能够在外界驱动下带动夹持单元沿竖向运动，该夹具可调整掺杂源与热丝之间的距离，实现待掺杂物质掺杂量的灵活调节，从而实现待掺杂物质的梯度掺杂，改善了现有沉积过程中掺杂源与热丝之间的距离无法调节，从而导致待掺杂物掺杂量无法灵活调节的缺陷；该夹具结构简单，操作方便，且不会改变沉积装置原有的结构和部件，为在片材上沉积掺杂涂层提供了工业依据。本发明还提供一种沉积装置，包括炉体和上述夹具，夹具位于炉体内并对掺杂源进行装载。
用于片材上沉积掺杂涂层夹具装置

[实用新型]用于在片材上沉积掺杂涂层的夹具及沉积装置-CN201821708390.8有效
发明人：唐永炳;孟醒;陈波;王陶 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于在片材上沉积掺杂涂层的夹具及沉积装置，涉及涂层沉积辅助设备技术领域。该夹具包括传动单元和夹持单元，夹持单元用于装载掺杂源，传动单元与夹持单元连接，且传动单元能够带动夹持单元沿竖向运动，该夹具可调整掺杂源与热丝之间的距离，实现待掺杂物质掺杂量的灵活调节，从而实现待掺杂物质的梯度掺杂，改善了现有沉积过程中掺杂源与热丝之间的距离无法调节，从而导致待掺杂物掺杂量无法灵活调节的缺陷；该夹具结构简单，操作方便，且不会改变沉积装置原有的结构和部件，为在片材上沉积掺杂涂层提供了工业依据。本实用新型还提供一种沉积装置，包括炉体和上述夹具，夹具位于炉体内并对掺杂源进行装载。
夹具沉积装置夹持单元掺杂源沉积传动单元片材本实用新型掺杂掺杂物质掺杂量热丝装载辅助设备夹具结构竖向运动梯度掺杂涂层沉积涂层提供掺杂物可调整原有的灵活炉体体内

[发明专利]通过改变垂直掺杂物质分布以减少硅化物不均匀度的技术-CN200680018759.6无效
发明人： F·维尔博雷特;D·布朗;P·普雷斯 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过修改深漏极和源极区中的垂直掺杂物质(dopant)浓度，可控制金属硅化物区217形成期间的反应行为。为此目的，在金属硅化物界面的目标深度附近形成增加的掺杂物质浓度，从而降低反应速度，并从而改善所得的金属硅化物界面的均匀度。
通过改变垂直掺杂物质分布减少硅化物不均匀技术

[发明专利]可信息编码的多层色码微标记物及制备方法-CN202010539332.2有效
发明人：曹鼎;董迎迎;曹振 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-06-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可信息编码的多层色码微标记物及制备方法，溯源标记技术领域，其中多层色码微标记物，包括具有三层以上膜层的微纳米颗粒，膜层包括树脂基体和均匀分布在树脂基体中的掺杂物，掺杂物包括荧光物质、磁性物质或能被磁性物质吸引的物质、颜料中的一种或两种以上，三层以上膜层用于按照膜层厚度和/或掺杂物种类和颜色进行信息编码。
信息编码多层色码微标记制备方法

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