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[实用新型]一种电平检测器、峰值检测电路及突发模式跨阻放大器-CN202222246134.4有效
发明人：向欣 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K5/125 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电平检测器、峰值检测电路及突发模式跨阻放大器，电平检测器包括放大器和滤波器，放大器具有两输入端和一输出端，放大器的第一输入端用于接收电压信号Vin，放大器的第二输入端用于接收第一参考电压信号Vref1，放大器的输出端与滤波器的输入端连接，滤波器的输出端为电平检测器的输出端。该峰值检测电路包括比较器以及电平检测器，电平检测器的输出端与比较器的第一输入端连接，比较器的第二输入端与参考电压发生器的输出端连接，比较器的输出端为峰值检测电路的输出端。峰值检测电路通过使用低通滤波器和放大器代替整流器，提供了具有小纹波的相对大且稳定的跟踪电压。且其功耗较低，响应时间较短，具有快速突发电平检测能力。
一种电平检测器峰值检测电路突发模式放大器

[发明专利]脊波导半导体激光器及其制备方法-CN202211060039.3有效
发明人：李鸿建;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明涉及一种脊波导半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长缓冲层，并于缓冲层上生长量子阱；S2，在量子阱的一相对侧分别对接生长第一InP层，第一InP层生长的高度与量子阱的高度一致；S3，继续在量子阱和第一InP层上依次生长覆盖层和接触层，并在量子阱所在的区域制作脊波导，两第一InP层包裹脊波导；S4，接着完成后续生长制作工艺后得到激光器。还提供一种脊波导半导体激光器。本发明在激光器量子阱的两侧对接生长InP，利用InP高热导率散热，解决器件工作时结温高的问题；同时两侧对接生长的InP增加了激光器的腔长，同时将脊波导包裹起来，在生产制备中易解理，不会出现解理腔面损伤，可显著提高激光器的良率，降低生产成本。
波导半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器制备方法-CN202211006832.5在审
发明人：王远红;余文俊;董北平 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器制作技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制备待减薄的InP LD；S2，将InP LD倒装在玻璃基底上，使InP LD的N面朝上，P面朝下；S3，对InP LD进行减薄；S4，减薄完成后，在InP LD的N面做光刻图形，并进行N面电极制作；S5，电极制作完毕后，采用化学溶剂对N面进行腐蚀得到Bar条。本发明的一种半导体激光器制备方法，基于InP的LD wafer使用N面光刻图形和N面电极制作，然后通过化学溶剂腐蚀的方式来代替常规wafer解条工艺中金刚刀划线的工艺，因为用背面(N面)的腐蚀代替了正面(P面)划线，可以很好地解决解条产生的不均匀导致的裂纹问题，同时也提高了解条的产出良率，避免了正面(P面)2‑5只芯片良率的损失。
一种半导体激光器制备方法

[发明专利]半导体激光器及其制作方法、半导体激光器的升温方法-CN202210443468.2在审
发明人：陈志标;王远红;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，包括衬底、于所述衬底上生长的有源层以及生长在所述有源层上的P型层，在所述P型层上集成有激光二极管以及用于加热所述激光二极管的加热二极管。提供一种半导体激光器的制备方法。还提供一种半导体激光器的升温方法。本发明通过在P型层集成激光二极管和加热二极管，加热效率高、升温明显，可以极大地节省功耗，另外结构以及制作工艺都较为简单，既可以控制成本、提高制作效率，又可以有更好的升温效果。与传统集成加热电阻器方案相比，能简化工艺流程；与分立电阻加热方式比，能提高加热效率。
半导体激光器及其制作方法升温方法

[发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN202210315573.8有效
发明人：李鸿建;龙浩;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；光栅层中的高折射率材料和进行光栅掩埋的材料相同，惰性气体作为光栅层中的低折射率材料。还提供一种制作方法。本发明的光栅层设计中以惰性气体作为低折射率材料，使得光栅层材料折射率差为传统设计的10倍及其以上，极大地提高光栅耦合系数，进而提高激光器的耦合效率和功率效率。光栅层设计材料相同，相较于传统的InGaAsP/InP两种材料，相同的材料设计，易于外延生长，有助于提高界面处光栅层外延生长质量。
半导体激光器及其制作方法

[发明专利]一种半导体激光器制备方法-CN202110950473.8有效
发明人：李鸿建;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明及光通信激光器技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制作具有沟槽的特殊陪条；S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金。本发明的一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。
一种半导体激光器制备方法

[发明专利]一种自生成脊型波导的激光器制作方法-CN202111415222.6在审
发明人：李鸿建;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种自生成脊型波导的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构，并于外延结构的正上方覆盖掩膜层；S2，刻蚀部分掩膜层至露出外延结构；S3，于掩膜层上生长第一InP层，外延结构上无掩膜层遮挡的区域的第一InP层的生长速率快；S4，在第一InP层上生长接触层；S5，去掉掩膜层，进行电极制作，并进行减薄、解理、测试，以完成制作。本发明利用宽的介质掩膜，进行小面积外延生长，使得无掩膜区域InP盖层的材料生长速率快，缩短了外延生长时间，节省了时间和物料成本；选择区域生长InP盖层和接触层，自生成脊型波导，省去了脊型波导和接触条的制作，简化了激光器的工艺流程，而且该选择区域外延生长方法，重复性好，易于实现产业化量产。
一种生成波导激光器制作方法

[实用新型]一种边发射半导体激光器芯片测试系统-CN202121748074.5有效
发明人：龙浩;李万军;向欣 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种边发射半导体激光器芯片测试系统，包括上料区、下料区、测试区以及取料机构，测试区包括多个测试载台，取料机构包括若干取料头以及用于驱使各取料头旋转的转轴，上料区、下料区以及各测试载台环绕转轴设置，上料区、下料区以及各测试载台环绕的方向与转轴旋转的方向一致，各测试载台位于上料区至下料区之间的环绕路径上。本实用新型通过环绕式的布局，转轴转动即可完成上料、测试以及下料的动作，没有过多的绕行作业路径，极大地减小系统的体积，减小占地面积；同步实现芯片的搬运，缩减芯片搬运时间。且根据配置不同尺寸载台可以实现多载台配置下完成不同温度条件下的测试。
一种发射半导体激光器芯片测试系统

[发明专利]一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法-CN202011358393.5有效
发明人：陈志标;周丹 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法，该高速率半导体激光器封装结构包括半导体激光器和热沉，所述热沉上设有P型过渡电极，所述半导体激光器倒装在热沉上，半导体激光器的P型电极朝下，并通过焊料与热沉上对应的P型过渡电极焊接，热沉上的P型过渡电极与管座上对应的封装引脚电连接，本发明的有源区条宽为1‑5um，P面电极很窄，大大提高了速率，所述半导体激光器的P面无需设置金丝引线焊盘，能达到提高散热并降低寄生电容的效果，从而提升激光器速率。
一种速率半导体激光器及其封装结构方法

[发明专利]一种小发散角半导体激光器及其制备方法-CN202011037170.9有效
发明人：陈志标 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种小发散角半导体激光器及其制备方法，该小发散角半导体激光器包括半导体激光器本体以及设置在半导体激光器本体出光端的一侧或者两侧的模斑转换器，在模斑转换器区域设置有模场扩展层，该模场扩展层设置在有源层的上方，激光器本体和模斑转换器具有相同的有源层，模场扩展层仅设置在模斑转换器区域，模场扩展层将激光器模式扩大，从而降低发散角。该小发散角半导体激光器仅仅在模斑转换器区域设置有模场扩展层，同时该模场扩展层设置在有源层上方，不对有源层进行刻蚀，对激光器的性能影响很小的条件下获得小发散角。
一种发散半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种掩埋异质结的制备方法-CN202110451693.6有效
发明人：李鸿建;郭娟 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩埋异质结的制备方法，包括：S1，在外延层表面制作光栅层；S2，再于光栅层上生长InP盖层，以将光栅层表面的凹槽填平，得到平整的表面；S3，接着于InP盖层上生长牺牲层及非晶态半导体材料层，以得到过渡结构；S4，继续在过渡结构上生长SiO2/SiNx掩膜层，然后对过渡结构进行刻蚀形成台状结构；S5，待台状结构形成完毕后，去掉SiO2/SiNx掩膜层，以非晶态半导体材料层作为当前的掩膜层继续在台状结构上依次生长P‑InP层和N‑InP层。本发明通过在限制层生长前去掉SiO2/SiNx掩膜层，从而去掉屋檐结构，采用非晶态半导体材料层为自对准掩膜，进行MOCVD电流限制层生长，这些非晶态的外延层容易去掉，实现了自对准非晶态半导体材料做掩膜的功能，避免了常规技术中的屋檐结构。
一种掩埋异质结制备方法

[发明专利]边发射半导体激光器芯片测试方法以及系统-CN202110865398.5在审
发明人：龙浩;李万军;向欣 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种边发射半导体激光器芯片测试系统，包括上料区、下料区、测试区以及取料机构，测试区包括多个测试载台，取料机构包括若干取料头以及用于驱使各取料头旋转的转轴，上料区、下料区以及各测试载台环绕转轴设置，上料区、下料区以及各测试载台环绕的方向与转轴旋转的方向一致，各测试载台位于上料区至下料区之间的环绕路径上，上料区、下料区以及各测试载台合起来的数量与各取料头的数量相同且一一对应配置。提供一种边发射半导体激光器芯片测试方法。本发明通过环绕式的布局，转轴转动即可完成上料、测试以及下料的动作，没有过多的绕行作业路径，极大地减小系统的体积，减小占地面积；同步实现芯片的搬运，极大地缩减了芯片搬运时间。
发射半导体激光器芯片测试方法以及系统

[发明专利]一种半导体激光器-CN202010604971.2在审
发明人：李鸿建 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，一种半导体激光器，包括衬底、在所述衬底上依次生长的生长结构以及于所述生长结构上形成的导电通道，所述导电通道为长条状的条体，所述条体至少一部分本体为于所述条体的两个侧边外扩形成的加宽部，两个所述侧边为所述条体的长度方向的侧边。本发明的一种半导体激光器，通过增大条体的局部体积，可以降低电流注入密度，进而减轻发热效应，抑制空间烧孔效应，以提高器件的稳定性和延长器件的寿命。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体激光器-CN202010807968.0有效
发明人：向欣 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01S5/02257 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，包括两个出光通道、多个谐振腔以及与各谐振腔一一对应的多个谐振腔电流注入区，每一谐振腔均具有两个输出端，且各谐振腔位于同一侧的输出端均汇聚至同一个出光通道，每一谐振腔电流注入区注入的电流由与其对应的谐振腔产生激光，每一激光在其产生的谐振腔中朝两个输出端的方向激射，并从该输出端处汇聚的出光通道射出。本发明通过在各谐振腔的两端设出光通道，并将两同侧的谐振腔的输出端均汇聚至同侧的出光通道，解决了现有技术中需要根据实际通道进行贴片带来的一系列缺陷；通过对称环形谐振腔，在不影响芯片的尺寸的基础上，增加谐振腔的有效长度，同时再配合可调的谐振腔电流注入区，达到功率和速率可调的目的。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体激光器外延结构-CN201910935171.6有效
发明人：李鸿建;罗绍军 -专利权人： 武汉云岭光电有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种半导体激光器外延结构，包括位于最底层的衬底、生长在所述衬底上的InP缓冲层以及位于最高层的电极接触层，还包括位于所述InP缓冲层和所述电极接触层之间的多量子阱层，靠近所述多量子阱层制作超晶格层，所述超晶格层位于所述InP缓冲层和所述电极接触层之间。本发明的一种半导体激光器外延结构，通过超晶格层可以吸收能量高于激光发射波长的光子，减小激光光源的半波宽，进而提高半导体激光器的信号识别度。
一种半导体激光器外延结构

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