专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]版图图形-CN202111438403.0在审
  • 王绪根;刘希仕;刘秀勇;朱联合;吴长明;姚振海;陈骆 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-11-30 - 2022-03-08 - H01L21/033
  • 本申请公开了一种版图图形,包括:第一图形,其位于管芯区域内,且位于管芯区域的角落;第二图形,其面积大于第一图形的面积,第二图形位于管芯区域内,第二图形和第一图形不重叠;该版图图形应用于对目标晶圆进行光刻处理,目标晶圆上形成有聚酰亚胺层,通过该版图图形进行光刻处理后,目标晶圆上第一图形和第二图形所在的区域暴露,去除第一图形和所述第二图形所在区域的聚酰亚胺层后,需要进行背部减薄处理和正面撕膜处理。本申请通过将管芯区域内面积较小的第一图形设置在管芯区域的角落,从而能够在一定程度上避开撕膜的方向,降低第一图形附近的脱落现象,进而提高了产品的可靠性和良率。
  • 版图图形
  • [发明专利]带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法-CN201210257595.X有效
  • 吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚 - 山东大学
  • 2012-07-24 - 2012-10-24 - H01L33/44
  • 本发明公开了一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法,该LED管芯是在LED管芯的发光面上溅射有一层的ZnO种子层,ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列,其制备包括以下步骤:(1)生长LED外延片,制作完整结构的LED管芯;(2)在LED发光面溅射一层ZnO种子层;(3)在LED表面制作光刻胶微米周期图形;(4)以光刻胶微米周期图形为模板生长ZnO微米图形阵列;(5)用去胶液去除光刻胶,即得到ZnO微米图形阵列的LED。本发明不仅可以更高比例的提取发射光,也保证了发光二极管整个发光表面出光的均匀性,制作简单,成本低,不会对LED管芯的电学性能造成破坏,能够提高平板GaN基LED的发光效率约40%。
  • 带有zno微米图形阵列led管芯及其制备方法
  • [发明专利]圆片测量数据图形显示方法-CN201010578084.9无效
  • 赵石军 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2010-12-08 - 2012-07-04 - G06F9/44
  • 本发明提供了一种圆片测量数据图形显示方法,其中,包括:通过VB读取数据文件、获取所有坐标及测量数据值信息;根据系统设置或用户定义获取每个坐标的测量数据值对应的管芯颜色;获取X、Y方向坐标的最大值、最小值,确定坐标原点,及根据PitureBox大小计算每个管芯的宽度、高度;另,依次处理所有坐标及测量数据值,根据坐标原点计算当前坐标的位置并根据测量数据值确定画图颜色;根据当前点坐标位置及管芯宽度、高度画出管芯的4条边;根据画图颜色及管芯坐标范围填充管芯颜色。本发明的有益效果是:快速的显示圆片的图形;通过用户指定的逻辑对图形进行颜色的叠加;对多个种类型的数据源进行处理,并对多种类型数据源的相同管芯进行合并分析。
  • 测量数据图形显示方法
  • [发明专利]晶圆的测试方法-CN201110436854.0有效
  • 王磊;马松 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-12-22 - 2012-06-27 - G01R31/26
  • 一种晶圆的测试方法,晶圆包括多种管芯,不同种管芯具有不同的排布位置和排布周期,测试方法包括:对测试设备进行初始化设置,初始化设置包括获取各管芯在晶圆上的排布位置和排布周期、各管芯的对准图形;基于管芯在晶圆上的排布位置和排布周期获得测试设备平移晶圆的平移轨迹;将晶圆放置于测试设备中,基于初始位置处的第一管芯的对准图形对第一管芯进行对准;测试设备通过第一管芯上的测试焊点进行测试;按照第一管芯的排布周期平移晶圆,完成晶圆上所有第一管芯的测试;继续平移晶圆、对准、测试,直至完成对所有管芯的测试;将晶圆从测试设备中取出。
  • 测试方法
  • [发明专利]光刻多余图形的检测方法-CN202111239114.8在审
  • 沈小娟 - 无锡职业技术学院
  • 2021-10-25 - 2021-12-14 - G03F7/20
  • 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种光刻多余图形的检测方法,包括:步骤1:光刻机在涂布有光刻胶的硅片上曝光管芯区域,设定硅片上的光刻版曝光区域为完整的管芯区域;控制光刻机工作台使硅片沿X方向和Y方向歩进M次,每次步进距离为N;其中,步进次数M为5‑15次,步进距离N为10‑50 um;步骤2:显影,检测周围未曝光区域是否有多余图形;若没有,则无光刻多余图形;若有,则通过扫描电子显微镜对多余图形进行定位;步骤3:根据多余图形的位置判断是否停止光刻机工作。本发明判断是否产生多余曝光图形,避免潜在的管芯良率损失。
  • 光刻多余图形检测方法

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