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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体激光元件-CN202180021522.8在审
发明人：丹生贵大;川口真生;萩野裕幸 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：半导体激光元件(10)是具有脊部(180)的半导体激光元件(10)，具备：p型第1包覆层(133)；以及被配置在p型第1包覆层(133)上的p型第2包覆层(134)，p型第1包覆层(133)具有由AlxGa1‑xN层以及AlyGa1‑yN层(0≤x＜y≤1)构成的超晶格结构，p型第2包覆层(134)由AlzGa1‑zN(0≤z＜y)构成，p型第1包覆层(133)具有：没有配置p型第2包覆层(134)的平坦部(133a)；以及从平坦部(133a)向上方突出的、配置有p型第2包覆层(134)的突出部(133b)，突出部(133b)从平坦部(133a)突出的高度比平坦部(133a)的p型第1包覆层(133)的厚度小。
半导体激光元件

[发明专利]氮化物半导体激光元件-CN201680042974.3有效
发明人： 川口真生;今藤修;能崎信一郎;萩野裕幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201380032979.4有效
发明人： 川口真生;春日井秀纪;能崎信一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：半导体发光元件(100)具备由III族氮化物半导体构成的n型光导层(3)、活性层(4)、以及p型光导层(5)，n型光导层(3)包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，在将III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×1018cm‑3以上的AlInN构成，III族氮化物半导体A的膜厚为5nm以下，电流沿着半导体超晶格的层叠方向注入。
半导体发光元件

[发明专利]半导体激光器装置-CN200980104197.0无效
发明人： 川口真生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。
半导体激光器装置

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200980104444.7无效
发明人：左文字克哉;川口真生;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置-CN200880001109.X无效
发明人： 川口真生;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。
半导体激光装置

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