[发明专利]光半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610141486.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977787B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 松本启资 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223;H01S5/227 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p‑InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体装置的制造方法，该光半导体装置集成了填埋型光元件、高台面脊型光元件以及将所述填埋型光元件和所述高台面脊型光元件连接的波导，该填埋型光元件使用了不包含Al的材料，该高台面脊型光元件使用了Al类材料，该光半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：在衬底之上依次生长下包层、不包含Al类材料的第1芯层以及第1上包层；在形成所述填埋型光元件的区域，在所述第1上包层之上形成第1绝缘膜；将所述第1绝缘膜用作掩模而对所述第1芯层以及所述第1上包层进行蚀刻；在所述第1绝缘膜以外的区域，在所述下包层之上依次选择性地生长不包含Al类材料的第2芯层以及第2上包层；在去除所述第1绝缘膜后，在形成所述填埋型光元件、所述高台面脊型光元件以及所述波导的区域，在所述第1以及第2上包层之上，在形成所述高台面脊型光元件的区域形成在内侧具有镂空部的第2绝缘膜；将所述第2绝缘膜用作掩模而对所述第1及第2芯层以及所述第1及第2上包层进行蚀刻，在所述镂空部的下方，在所述第2芯层以及所述第2上包层形成凹部；在所述第2绝缘膜以外的区域，在所述下包层之上依次选择性地生长具有Al类材料的第3芯层以及第3上包层；在去除所述第2绝缘膜后，在形成所述填埋型光元件、所述高台面脊型光元件以及所述波导的区域，在所述第1、第2以及第3上包层之上形成第3绝缘膜，将形成在所述凹部内的所述第3芯层以及所述第3上包层利用所述第3绝缘膜覆盖；将所述第3绝缘膜用作掩模而对所述第1、第2及第3芯层以及所述第1、第2及第3上包层进行蚀刻，将除形成在所述凹部内的所述第3芯层以及所述第3上包层以外的所述第3芯层以及所述第3上包层去除；在去除所述第3绝缘膜后，在形成所述填埋型光元件、所述高台面脊型光元件以及所述波导的区域，在所述第1、第2以及第3上包层之上形成第4绝缘膜，将形成在所述凹部内的所述第3芯层以及所述第3上包层利用所述第4绝缘膜覆盖；将所述第4绝缘膜用作掩模而对所述第1及第2芯层以及所述第1及第2上包层进行蚀刻，形成所述填埋型光元件的脊部，而不使形成在所述凹部内的所述第3芯层以及所述第3上包层露出；在所述第4绝缘膜以外的区域，在所述下包层之上形成填埋层，将所述填埋型光元件的所述脊部的两侧利用所述填埋层进行填埋；在去除所述第4绝缘膜后，在形成所述填埋型光元件、所述高台面脊型光元件以及所述波导的区域，在所述第1、第2及第3上包层以及所述填埋层之上形成第5绝缘膜；以及将所述第5绝缘膜用作掩模而对所述第2及第3芯层、所述第2及第3上包层以及所述填埋层进行蚀刻，形成所述高台面脊型光元件的高台面脊部。
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- 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p‑InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
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- 专利分类
