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[发明专利]半导体器件的金属化-CN98105194.4无效
发明人：德克·托本;布鲁诺·施普勒;马丁·古奇;彼得·韦甘德 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-03-31 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种用于在一个基片上形成多条导线的方法，包括步骤：在基片的表面形成一个相对非平面的金属层；在该金属层的表面上沉积自平面化材料，以形成与相对非平面的金属层相比具有相对平面的表面的平面化层；在平面化层的表面沉积一个光致抗蚀层；对光致抗蚀层构图，使其形成掩模，以便选择性地暴露平面化层；在平面化层的暴露部分和平面化层暴露部分之下的非平面的金属层上蚀刻出沟槽，以形成导线，其中这些导线被沟槽隔离开。
半导体器件金属化

[发明专利]柔性有机发光二极管显示器及其制作方法-CN201810816005.X在审
发明人：邬可荣;崔昇圭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述制作方法包括：在一柔性衬底上形成一主动阵列层；在所述主动阵列层上形成一平面化层；对所述平面化层进行光蚀刻，使得所述平面化层的一上表面的至少一部份形成一不平整的表面；在所述平面化层的不平整的表面上成一阳极层；在所述阳极上形成一有机发光显示层；在所述有机发光显示层上形成一阴极层；在所述阴极层与所述平面化层上形成一保护层，以覆盖所述阴极层与所述平面化层。
平面化层阴极层柔性有机发光二极管有机发光显示主动阵列显示器平整制作阳极保护层光蚀刻上表面阳极层衬底覆盖

[发明专利]三层抗蚀剂有机层蚀刻-CN200710142651.4有效
发明人： S·S·康;S·J·曹;T·蔡;T·韩 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种在多孔低－k介电层中形成双镶嵌特征的方法。在所述多孔低－k介电层中形成通孔。在所述多孔低－k介电层上形成一有机平面化层，其中，所述有机层填充所述通孔。在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模，在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括提供含有CO₂的蚀刻气体并将含有CO₂的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层使用所述有机平面化层作为掩模，在所述多孔低－k介电层中蚀刻出沟槽。剥离所述有机平面化层。
三层抗蚀剂有机蚀刻

[发明专利]适用于使用在光电装置中的层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造层系统的方法-CN201780082571.6在审
发明人：尼尔·莫里森;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波;海克·兰特格雷夫;斯蒂芬·海因;托比亚斯·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：该层系统包含柔性基板(101)、设置在柔性基板(101)上的平面化层(110)和设置在平面化层(110)上的透明导电氧化物层(120)，其中平面化层(110)构造成包覆柔性基板(101)上的多个缺陷，且其中平面化层构造成共价结合到柔性基板的表面
平面化层柔性基板光电装置透明导电氧化物层连续卷绕式工艺制造共价结合包覆

[发明专利]边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法-CN201510509173.0有效
发明人： A.莱尔;C.内尔茨;C.鲁姆博尔茨;S.哈陶尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中所述平面化层（3）具有至少两个相叠布置的区域（3a、3b），并且所述平面化层（3）的与所述半导体层堆叠邻接的区域（3b）包含至少一种掺杂物质
平面化层半导体激光二极管半导体层堆叠边缘发射截面波导面化外延半导体层电磁辐射蚀刻停止层掺杂物质邻接活性层堆叠相叠主面嵌入制造平坦

[发明专利]有机发光显示装置-CN201811463962.5有效
发明人：兪承沅;李在晟 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：公开了一种包括钝化层、平面化层、覆盖层和堤层的有机发光显示装置。钝化层可以覆盖第一区域以及与第一区域相邻的第二区域，在所述第一区域中设置有机发光二极管。平面化层可以布置在第一区域中的钝化层上。覆盖层可以设置为围绕钝化层上的平面化层。堤层可以至少覆盖平面化层的上部的边缘并且将第一区域分开。
有机发光显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01124865.3有效
发明人：山崎舜平;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-06-28 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括衬底;为了与衬底接触形成的遮蔽膜;为了覆盖遮蔽膜形成在衬底上的平面化绝缘膜;为了与平面化绝缘膜接触形成的半导体层。半导体器件的特征在于遮蔽膜与半导体层叠加、并且平面化绝缘膜夹在它们之间,并且在半导体层形成之前通过CMP对平面化绝缘膜抛光。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光学增强的光转换器-CN201680082899.3有效
发明人：张文博;曹莹;白胜元;李龙 -专利权人：美题隆公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：提供了光转换层(301)，该光转换层包括粘结材料(301b)中的光转换颗粒(301a)，用于将入射在所述光转换层(301)上的激发光生成发射光。平面化层(304)位于所述光转换层(301)的表面上，并且至少一个光学涂层(305)是所述平面化层(304)的一部分或者位于所述平面化层的表面上，所述平面化层的表面与所述光转换层(301)的所述表面相比是相对光滑的
光学增强转换器

[发明专利]具有平面化层的有机发光二极管显示器-CN202211493033.5在审
发明人： P·曼德里克;B·拉尔古迪·维斯韦沃兰;A·马哈詹;C-H·常;C·E·格拉佐夫斯基;D·L·韦;芦慧;石井孝英;T·阿分塔克斯;刘晗;谢承志;A·瑟曼;张世昌;陈科维;林上智;蔡宗廷;崔宰源;A·贾姆希德·罗德巴里;常鼎国;J-P·S·吉罗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：本公开涉及具有平面化层的有机发光二极管显示器。本文公开了一种可具有显示器诸如有机发光二极管显示器的电子设备。有机发光二极管(OLED)显示器可具有有机发光二极管像素阵列，该有机发光二极管像素各自具有插置在阴极和阳极之间的OLED层。第一钝化层、第一平面化层和第二钝化层可形成在阴极上方。第一钝化层和第二钝化层可由无机材料形成。第二平面化层可以形成在第二钝化层上方介于第二钝化层与偏振片之间。第二平面化层可以在显示器的有效区域的边缘处平坦化偏振片，其中该偏振片否则将具有陡峭的锥度。以这种方式平坦化偏振片减轻从偏振片的不期望的二次反射。第一平面化层和第二平面化层可由有机材料形成。
具有平面化有机发光二极管显示器

[发明专利]边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法-CN201510508859.8有效
发明人： A.莱尔;C.内尔茨;C.鲁姆博尔茨;S.哈陶尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中
边缘发射半导体激光二极管及其制造方法

[发明专利]平面化腐蚀半导体器件的方法-CN98103051.3有效
发明人：朴桂仙;金贤洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-07-21 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面化腐蚀半导体器件以使微痕发生频率最小化的方法，其中制备老化至少两小时的悬浮液以平面化腐蚀形成在半导体衬底上的层。在老化期间较重的悬浮颗粒聚集在容器的下部。除了重颗粒之外，容器上部的悬浮液可用于平面化腐蚀层。根据制造半导体器件的这种方法，至少老化悬浮液两个小时，由此在平面化腐蚀工艺期间使较重悬浮颗粒的微痕发生频率最小化，并且悬浮液的质量几乎不影响平面化腐蚀工艺。
平面化腐蚀半导体器件方法

[发明专利]显示装置-CN202210950769.4在审
发明人：申丁澈;金圣基;洪基相;李永旭 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，一种显示装置包括：在基板之上的晶体管；在晶体管之上的平面化层；在平面化层之上的发光元件；以及在基板与发光元件之间的多个绝缘层，并且多个绝缘层和平面化层中的至少一个是掺杂有氢捕获材料的氢阻挡层
显示装置

[发明专利]使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构-CN02816119.X有效
发明人：姚向宇;张如皋;易培豪;王晖 -专利权人： ACM研究公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。
使用平面化方法电解抛光相结合形成半导体结构

[发明专利]光学增强的光转换器-CN202210188144.9在审
发明人：张文博;曹莹;白胜元;李龙 -专利权人：美题隆公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：光转换器包括光转换层，该光转换层包括在粘结材料中的光转换颗粒，用于将入射在所述光转换层上的激发光生成发射光；位于所述光转换层的表面上的平面化层，以及作为所述平面化层的表面的一部分或者位于所述平面化层的所述表面上的至少一个光学涂层，所述平面化层的所述表面与所述光转换层的所述表面相比是相对光滑的。
光学增强转换器

[发明专利]在平面化过程中保护磁位的方法-CN201210208548.6无效
发明人：郭晓民;M·R·费尔德鲍姆;P·拉乔拉;H·拉姆 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：各实施例披露了一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层；在止蚀层上沉积碳填充层；以及在碳域的平面化和回蚀过程中使用止蚀层以在碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。
平面化过程保护方法

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