[发明专利]一种激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010762617.2 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111900625B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223;H01S5/024;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种激光器及其制造方法，所述激光器包括：衬底，所述衬底上自下而上依次设置有第一限制层、量子阱和第二限制层；脊形成层，设置在所述第二限制层上，所述脊形成层包括多个波导结构，所述多个波导结构阵列式分布；欧姆接触层，设置在所述脊形成层的脊区上表面；绝缘层，设置在所述脊形成层的脊区侧面以及所述脊形成层的沟槽区；金属层，设置在所述欧姆接触层和所述绝缘层上。本申请实现了在不降低激光器输出光功率的同时，提高激光器的COMD电流阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm，产出约为原来的1.3倍。本发明制备工艺步骤简单，节省生产所用原材料和人工工时；同时减少P面划伤、污染等问题，提升了P面质量。
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- 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。
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- 冈野展贤;狩野祥男;鎌田满;高瀬英治;大金诚;长竹刚;成井启修 - 索尼株式会社
- 2008-05-20 - 2009-10-28 - H01S5/223
- 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
- 半导体激光装置-200780026061.3
- 佐藤智也;高山彻;早川功一;木户口勋 - 松下电器产业株式会社
- 2007-06-19 - 2009-07-22 - H01S5/223
- 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
- 包括带有填充了吸收材料的槽的波导的半导体激光器-200680040189.0
- 约翰·帕特乔 - 宜彼莱那光子学有限公司
- 2006-08-30 - 2008-12-03 - H01S5/223
- 本发明涉及一种半导体激光器，特别是以基本上单纵模发射进行工作的激光器。所述激光器包括一个激光腔，所述激光器进一步包括具有一个界面的一个槽，其特征在于所述槽填充有一种反射材料，该反射材料相对于激光腔材料具有大的折射率虚部。所述槽的所述界面可以是倾斜的或具有一个阶梯，该阶梯引入了一个四分之一波长相移。
- 半导体激光装置及其制造方法-200680000579.5
- 细井浩行;牧田幸治;山中通成 - 松下电器产业株式会社
- 2006-01-12 - 2007-07-25 - H01S5/223
- 一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底(102)上具备第1导电型的包覆层(103)、有源层(104)、第2导电型的第1包覆层(105)、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第2导电型的第2包覆层(108)、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层(107)，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面(118)、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面(119)；第1面与第2面直接连接，或者经由第3中间面连接；在第2面上，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。在本发明中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。
- 专利分类
