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[发明专利]包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法-CN200410083363.2无效
发明人：辰巳正毅 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明公开一种包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法，所述单片多波长激光元件包括：衬底(101)，带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102)，和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103)，并且第一波长激光振荡部(102)和第二波长激光振荡部(103)均包括：由覆盖脊状部分的侧面并延伸到与脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成的电流阻止层(131)；和覆盖在电流阻止层(131)上的绝缘层(132)，其由具有比电流阻止层(131)低的折射率的材料制成的绝缘性电介质薄膜构成。
包括激光振荡单片波长元件及其制造方法

[发明专利]带有无铝限制层的埋脊半导体激光器-CN00808789.X无效
发明人：扎哈·冯恩 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2000-05-16 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：埋脊半导体二极管激光器最好基于GaAs和AlGaAs族的材料。较薄的上包层被无铝蚀刻截止层和无铝限制层覆盖,较佳的为GaInP,为相对于上包层的反向电导型。在限制层中形成沟槽,延伸至蚀刻截止层。在孔中再次形成额外的AlGaAs,以形成埋脊。在再次形成期间,在底部和孔的两边上都没有铝暴露。限制层最好是符合AlGaAs的点阵。较薄的蚀刻截止层最好具有与夹住它的AlGaAs相同的电导型和相同的带隙。对于产生较短波长辐射的激光器,要增加AlGaAs包层的铝含量,并将一些铝加入限制层,但是少于包层。
有无限制半导体激光器