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[发明专利]一种具有Sp2-CN202210235389.2在审
发明人：李宇翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有Sp2碳含量p型接触层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体和p型接触层，所述p型接触层的Sp2碳含量达30％以上，形成具有Sp2碳含量p型接触层；通过将p型接触层的Sp2碳含量提升至30％以上，Sp2碳可使p型接触层和电极材料间形成中间势垒，使势垒下降0.6eV以上，降低接触电阻，从而使半导体发光元件的电压下降0.05V以上。
一种具有 sp base sup

[发明专利]半导体元件-CN201780041851.2有效
发明人：洪恩珠 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：实施例提供一种半导体元件，该半导体元件包括：衬底；以及半导体结构，该半导体结构被布置在衬底上，其中半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的光吸收层，并且光吸收层具有1.2至1.5的值作为其上表面的最大外周长度相对于其上表面的最大面积的比率。
半导体元件

[发明专利]发光二极管结构及发光装置-CN202180005926.8在审
发明人：杨人龙;左锋;张丽明;林维鹏;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及发光装置，包括发光二极管、保护二极管、绝缘层、两个焊盘和导电结构，保护二极管是反向并联于发光二极管，每个二极管包括外延结构和电极，外延结构包括依次层叠的N半导体层、发光层和P半导体层，电极都位于外延结构上，绝缘层覆盖各二极管的外延结构，第一焊盘位于绝缘层上并电连接第一电极与第四电极，第二焊盘位于绝缘层上并电连接第二电极，导电结构连接于第二焊盘并电连接保护二极管的N半导体层，导电结构与第一电极的材料不同。借此，可大幅提升发光二极管结构的抗ESD能力，特别是提升负向的抗ESD能力。
发光二极管结构发光装置

[发明专利]增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法-CN202210255429.X在审
发明人：周玉刚;潘赛;许朝军;谢自力;刘斌;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
增加射出倒装深紫 led 芯片及其制作方法

[实用新型]LED器件、显示装置及发光装置-CN202123316714.8有效
发明人：刘召军;黄炳铨;张珂 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED器件、显示装置及发光装置。其中，所述LED器件包括LED芯片阵列、钝化层、键合层，所述钝化层覆盖所述LED芯片阵列；所述钝化层上开设有电极接触孔，所述键合层设置于所述电极接触孔内，所述键合层为双层结构。本申请的LED器件，采用双层结构键合层，有效避免了芯片在激光剥离过程中因焊料熔化而脱落，此外，导电层采用高熔点导电材料，焊料层的熔点较导电层的熔点低，有效降低了键合温度，降低了工艺成本。另外，本申请采用公共电极设计，即LED芯片阵列共用第一电极，并通过金属网格线和/或第一半导体层实现电流收集与传输，有效提高了电流均匀性，提高了器件的光电性能。
led 器件显示装置发光装置

[发明专利]一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片-CN202210186828.5在审
发明人：周智斌;季辉;汪延明 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长ALN层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；依次蚀刻贯穿第二型半导体层、多量子阱层以及部分第一型半导体层形成台阶结构；在台阶上沉积保护层；腐蚀保护层后在裸露的第一型半导体层上生长N型第一接触层；然后形成N型第二接触层；在第二型半导体层上形成与保护层并列设置的接触反射层；在N型第二接触层和接触反射层上分别形成第一电极加厚层，在第一电极加厚层上继续形成第二电极加厚层；沉积绝缘层；腐蚀绝缘层至第二电极加厚层分别形成N凹槽和P凹槽；在N凹槽中设置N电极，在P凹槽中设置P电极，得到LED芯片。
一种 led 芯片制备方法所得

[发明专利]一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法-CN202011418472.0有效
发明人：陈芳;莫春兰;吴小明;夏邦美;李新华;陶喜霞;蒋恺;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
一种具有反射电极结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法-CN202011610562.X有效
发明人：刘旺平;梅劲;刘春杨;张武斌;葛永晖 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开提供了一种垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：提供发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层上生长接触层电极，对接触层电极进行热退火处理，接触层电极包括Ni层；在接触层电极上生长第一反射层电极，对第一反射层电极进行热退火处理，第一反射层电极包括第一Ag层，第一反射层电极的退火时间比接触层电极的退火时间短，第一反射层电极的退火温度比接触层电极的退火温度低。本公开能够获得高反射率和低接触电阻率的P电极。
垂直结构发光二极管芯片电极制备方法

[发明专利]发光元件-CN202210008926.X在审
发明人：林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的一表面上；一绝缘结构，包含一布拉格反射镜(DBR)结构，形成于第一半导体层的第一表面并覆盖第二半导体层的表面，包含一第一开口以及一第二开口；一第一电极，形成在环绕部上及第二半导体层上；以及一第二电极，形成在第二半导体层上；其中第一电极和第二电极分别包括包括铂(Pt)的一打线层以与焊料相接触，第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米。
发光元件

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置-CN202111416529.8有效
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;彭钰仁;郭桓邵 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。本发明涉及一种发光二极管芯片包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的发光层；第一接触电极和第二接触电极，位于所述半导体外延叠层的第一表面之上，分别与所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层电连接；所述第一接触电极包括第一接触电极的欧姆接触层以及位于所述第一接触电极的欧姆接触层之上的第一电极阻挡层；所述第二接触电极包括第二接触电极的欧姆接触层以及位于所述第二接触电极的欧姆接触层之上的第二电极阻挡层。本发明提供的发光二极管芯片具有高可靠性。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]LED芯片及混晶方法-CN202010260145.0有效
发明人：付小朝;刘权锋;卢敬权 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及混晶方法，LED芯片包括LED本体、第一电极及第二电极，其中，第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。混晶方法包括步骤：1)提供一混晶基板，混晶基板上具有规则排列的磁性单元；2)将具有各种波长的如上的LED芯片混合后分散于混晶基板，通过磁性单元吸附LED芯片的具有磁性的电极，使LED芯片规则排列于混晶基板，移除未被磁性单元吸附的LED芯片；3)将混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上。本发明通过简单高效的方式实现LED芯片的混晶，避免需要对LED芯片进行巨量的分选，大大提升LED芯片的利用率。
led 芯片方法

[发明专利]一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法-CN202011594065.5有效
发明人：黎大兵;陈雨轩;孙晓娟;蒋科;陈洋;张山丽 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法，由下而上依次包括衬底、缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、n型AlyGa1‑yN层、AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN层，n型AlyGa1‑yN层设有通孔结构，n电极通过通孔结构与n型AlxGa1‑xN层直接接触，p型GaN层上制备有p电极。本发明在传统AlGaN基深紫外LED的基础上，设计了AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN(y＞x)异质结的n型欧姆接触，利用其极化效应，有效提高电子浓度，降低欧姆接触电阻，提高电流注入，从而降低LED器件的接触电阻和正向电压，提高功率转换效率。
一种欧姆接触电阻深紫发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种倒装LED芯片的共晶电极结构-CN202120537786.6有效
发明人：郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。本实用新型中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本实用新型通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。
一种倒装 led 芯片电极结构

[实用新型]一种发光二极管芯片及显示装置-CN202122753777.3有效
发明人：张亚;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟;李文涛 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管芯片及显示装置，涉及显示设备技术领域，本申请所提供的发光二极管芯片，主要对连接层的结构的进行了改进，选用了熔点更低并且结构性能更为优秀的锑镍合金层来作为连接层，其中，锑镍合金层相较于传统方式当中的连接层，熔点更低，进而有效降低了工艺损耗，同时，锑镍合金层还具有着硬度更高的特性，降低了连接层形变的风险，有效提升了发光二极管芯片的性能。
一种发光二极管芯片显示装置

[发明专利]一种反射电极及其制备方法和LED芯片-CN202111496290.X在审
发明人：李明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种反射电极及其制备方法和LED芯片。本发明的反射电极，包括依次连接设置的金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层；所述金属反射层包括Ag层；所述叠层金属阻挡层包括Ti层、Ni层、Pt层和Cr层中的至少两种；所述金属覆盖层包括Au层、Cu层、Al层和Zn层中的至少一种。本发明通过金属反射层、叠层金属阻挡层和金属覆盖层的配合，以实现金属反射层与基板之间的高效粘结，同时可以保证金属反射层的稳定性，防止金属反射层的金属迁移，又可以消除不同莫氏硬度造成的拉应力导致的翘起问题。
一种反射电极及其制备方法 led 芯片