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[发明专利]一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201610461104.1在审
发明人：周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。
一种简易 odr 结构倒装氮化发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201620575510.6有效
发明人：冯烁;文涛;屈艺;杨振洲 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管，包括支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的金属屏蔽层内部含有金属反射层，所述的半导体结构层包括P型化合物半导体层、活性层、N型化合物半导体层，所述的石墨烯结构层包括石墨烯层和超颖金属层，所述的第一电极包括电极垫和扩展部分；该发光二极管能够防止由于电极材料吸收而引起光损耗，此外，所用的石墨烯材料具有良好的传输特性，节能环保，经济高效。
一种发光二极管

[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201280048326.0有效
发明人：卡伊·格尔克;科比尼安·佩尔茨尔迈尔;理查德·弗勒特尔;克里斯蒂安·施密特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：在至少一个实施形式中，光电子半导体芯片（1）具有用于产生电磁辐射的半导体层序列（2）以及银镜（3）。银镜（3）设置在半导体层序列（2）上。银镜（3）的银添加有氧。氧在银镜（3）中的重量份额优选至少为10^‑5并且更优选最高为10%。
光电子半导体芯片用于制造方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201510097400.3在审
发明人：三木聡;伊藤俊秀 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种高光提取效率的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件，包含:半导体层、第一导电层、及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层。所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率。所述第二导电层的消光系数为0.005以下。
半导体发光元件

[发明专利]基于柔性石墨烯电极的垂直结构LED加工方法-CN201610360660.X在审
发明人：张明亮;胡坤 -专利权人：江苏积汇新能源科技有限公司
申请日： 2016-05-28 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种利用柔性石墨烯电极加工垂直结构LED芯片方法以及用该方法获得的芯片，平坦化基底石墨烯粘附层聚合物表面；将高电导率的石墨烯平铺在粘附聚合物表面上；通过图形化制作出石墨烯底电极；制作镓氮基LED的电荷注入层及发光层，并注入层表面生长修饰分子层；以光刻胶为掩膜，芯片层分割成独立的LED芯片；键合步骤；将LED芯片分离，涂胶钝化芯片侧壁，修饰分子层；将石墨烯铺展在柔性聚合物表面，形成与底电极十字交叉的顶电极；再进行键合；底电极和顶电极金属化，剥离芯片钝化保护层，形成电极压线孔，划片，检测LED芯片。该制备方法完全与现有半导体工艺兼容，可以大幅降低LED芯片成本，提高LED芯片性能，为新一代LED芯片的生产及广泛应用奠定基础。
基于柔性石墨电极垂直结构 led 加工方法

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089450.1在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，接合于承载基板上。发光二极管芯片包括半导体磊晶结构以及至少一电极垫结构。半导体磊晶结构电性连接至承载基板。电极垫结构包括共晶层、阻挡层以及延展层。共晶层适于共晶接合于承载基板上。阻挡层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，以阻挡共晶层材料于共晶接合时扩散。延展层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，且延展层可具有至少一金属材料堆栈形成。延展层减少在共晶接合的过程中因基板随着加热的过程热胀冷缩而对发光二极管芯片产生的应力，避免电极垫结构产生裂缝，而维持发光二极管芯片的质量。
发光二极管芯片

[实用新型]一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片-CN201620053783.4有效
发明人：刘源;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片的电极及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括外延片和电极，电极包括依次层叠在外延片上的Cr膜层、第一Ti膜层、Ni膜层、第二Ti膜层、Al膜层，第一Ti膜层与外延片贴合形成密封空间，Cr膜层位于密封空间内。本实用新型通过第一Ti膜层与外延片贴合形成密封空间，Cr膜层位于密封空间内，利用第一Ti膜层对Cr膜层形成良好的保护，将到达LED芯片表面的水汽与Cr膜层隔绝，避免水汽影响Cr膜层与外延片之间的粘附力，保障电极高湿反向通电环境中性能稳定、不会发生脱落，大幅提升了电极高湿反向通电条件下的可靠性。
一种发光二极管芯片电极

[实用新型]LED灯丝封装结构-CN201620021991.6有效
发明人：曾茂进;王其远;鲍永均;曹亮亮;陈小波;吴明浩 -专利权人：漳州立达信光电子科技有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种LED灯丝封装结构，包括基板、LED光源及两个电极端，所述LED光源设置在该基板上且与该基板热连接，该两个电极端均由导热材料制成，该两个电极端均包括连接部，所述连接部设置在该基板上且与所述LED光源电连接，所述连接部与该基板热连接。该LED灯丝封装结构具有良好的散热效果。
led 灯丝封装结构

[实用新型]能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构-CN201620103259.3有效
发明人：陈亮;李俊贤;吴奇隆;魏振东;刘英策;李小平;邬新根;黄新茂;蔡立鹤;吕奇孟;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
增进横向电流扩散拥有反射表面 led 芯片电极结构

[发明专利]倒装LED芯片的制作方法-CN201610328141.5无效
发明人：臧雅姝;林素慧;何安和;刘小亮 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
倒装 led 芯片制作方法

[发明专利]一种复合透明导电层的制作工艺-CN201610212122.6在审
发明人：陈亮;李俊贤;吕奇孟;吴奇隆;陈凯轩;张永;刘英策;李小平;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。
一种复合透明导电制作工艺

[发明专利]一种高出光效率的深紫外发光二极管芯片及其制备方法-CN201610031553.2在审
发明人：王帅;陈景文;何炬;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高出光效率的倒装深紫外发光二极管芯片及芯片的制备方法。本发明提供的高出光效率倒装深紫外发光二极管芯片选择采用具有高紫外光反射性的Ni/Al材料作为p型电极材料，不但可以部分改善金属电极与p型GaN的欧姆接触性能，还可以将紫外光反射到蓝宝石面。本发明提供的高出光效率倒装深紫外二极管芯片的制备方法，把外延片蓝宝石衬底减薄到特定厚度，并蒸镀合适厚度的Al薄膜，通过TM模式紫外光与表面等离激元的耦合，部分提高倒装深紫外发光二极管芯片的表面出光效率。
一种高出光效率深紫发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片电极及其制造方法-CN201610156747.5在审
发明人：李庆;刘撰;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片电极及其制造方法，所述电极包括第一金属粘附层、设于第一金属粘附层上的第二金属粘附层、设于第二金属粘附层上的金属保护层、以及设于金属保护层上的金属打线层，所述第二金属粘附层的材料为金属Cr，金属保护层的材料为金属Ti，第二金属粘附层和金属保护层熔合形成Cr-Ti接触电阻。本发明在电极中形成材料为Ti的金属保护层，电极中的第二金属粘附层和金属保护层能够熔合形成Cr-Ti接触电阻，有效提高了LED芯片的横向扩展能力，提高了LED芯片的发光亮度。
一种 led 芯片电极及其制造方法

[发明专利]一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法-CN201510856575.8在审
发明人：杜士达;张建宝;戴江南;陈长清 -专利权人：武汉优炜星科技有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述外延片，从下至上依次包括：衬底，低温AlN成核层，高温AlN本征层，本征Al_xGa_1-xN层、n型Al_xGa_1-xN层，Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN多量子阱层、p型Al_uGa_1-uN电子阻挡层、p型Al_xGa_1-xN层。本发明还提供一种基于所述外延片制备的芯片及芯片的制备方法。本发明提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性DBR层可将大部分紫外光反射回去。本发明提供的深紫外二极管芯片的制备方法。
一种双面发光深紫二极管外延芯片制备方法

[发明专利]一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构与制作方法-CN201510710829.5在审
发明人：吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构，属于发光二极管技术领域，包括一基板和一正电极，基板上表面键合有外延层，外延层包括由下到上依次设置的p-GaP层、P-披覆层、量子阱和N-披覆层，N-披覆层上设有一N型奥姆接触金属层，N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁上设有一绝缘层，N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，还包括一P型奥姆接触金属层，正电极与P型奥姆接触金属层电连接。本发明还提供了上述防止逆向电压击穿发光二极管的结构的制作方法。本发明结构合理，能够避免逆偏压过高造成量子阱发光层被破坏而导致LED失效，既可以使用在垂直版芯片上又可以使用在水平版芯片上。
一种防止逆向电压击穿发光二极管结构制作方法