“H01L33/40”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果350个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN202011615602.X在审
发明人：朱酉良;蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有台面结构，以外露部分第一半导体层；第二电极层，覆盖台面结构，并与台面结构内的第二半导体层电连接；其中，第二电极层的材料为反射性材料，台面结构上的第二电极层呈杯状设置，以使得第二电极层进一步作为反射杯。通过上述方式，本申请能够提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN202011615651.3在审
发明人：朱酉良;马爽;蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，包括第一半导体层；半导体电极，半导体电极设置于第一半导体层上，并与第一半导体层接触，其中半导体电极与第一半导体层具有相同的掺杂类型；金属电极，设置于半导体电极背离第一半导体层的一侧，并与半导体电极形成欧姆接触，其中半导体电极的禁带宽度低于第一半导体层的禁带宽度。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中因高温退火工艺而引起的技术问题，降低制造成本，并提高发光二极管的辐射功率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法-CN202011418477.3在审
发明人：吴小明;莫春兰;李新华;夏邦美;陈芳;陶喜霞;蒋恺;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法，所述P型欧姆反射电极结构采用NiOx/Al。制备方法为：先沉积Ni层，厚度为0.1nm‑10nm；在含氧氛围下进行氧化，使镍氧化成NiOx，降低与P‑AlGaInN的接触电阻；再制备Al层，厚度为10 nm‑300 nm。本发明提出的NiOx/Al P型欧姆反射电极，应用于紫外LED，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，有助于获得高光效的紫外LED。
一种紫外 led 欧姆反射电极结构及其制备方法

[发明专利]具有半导体接触层的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201980055067.6在审
发明人：穆罕默德·托拉比马兹雷埃内;马里耶·格拉斯·贾马;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种光电子半导体器件(10)，包括：第一导电类型的第一半导体层(120)；第二导电类型的第二半导体层(130)，其中第一半导体层和第二半导体层(120，130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电接触第二半导体层(130)的第二接触区域(135)。第二接触区域(135)具有第二金属接触层(134)以及在金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)。半导体接触层(132)的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层(130)的侧上的位置直至在第二金属接触层(134)的侧上的位置改变。
具有半导体接触光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]发光器件及包括发光器件的显示设备-CN201880095522.0在审
发明人：林载翊;崔海润 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：发光器件包括：基板；发光元件，设置在基板上，并且在纵向方向上具有第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，设置在基板上并且以预定距离彼此间隔开，且发光元件插置在第一分隔壁和第二分隔壁之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一分隔壁上以与发光元件的第一端相邻，第二电极设置在第二分隔壁上以与发光元件的第二端相邻；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极将第一电极与发光元件的第一端联接，第二接触电极将第二电极与发光元件的第二端联接。当在平面上观察时，第一电极与第一分隔壁部分地重叠，并且第二电极与第二分隔壁部分地重叠。
发光器件包括显示设备

[实用新型]一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED-CN202021905263.4有效
发明人：蔡端俊;黄生荣 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；n型接触层接引有第一电极；复合金属电极层接引有第二电极；复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层。该欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，通过高功函数金属薄层与p型电导层接触，以获得低电阻的欧姆接触；通过在高功函数金属薄层上沉积高深紫外反射率金属层，增强对深紫外光的反射；通过在高深紫外反射率金属层上沉积保护金属层，以防止下层金属氧化，和增加稳定性。该深紫外LED能够获得高的电注入效率，低开启电压，高的背出光效率。
一种欧姆接触反射电极结构深紫 led

[发明专利]LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置-CN202011147363.X在审
发明人：苏宏波;孙平如 -专利权人：深圳市聚飞光电股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置，包括：衬底，设置于衬底一侧的芯片主体；芯片主体设置有半导体层，半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；半导体层背离衬底一侧设置有第一电极层；第一电极层背离衬底一侧设置有第二电极层，第二电极层完全覆盖第一电极层；第二电极层背离第一电极层一侧设置有第三电极层，第二电极层与渗透第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构。使得第三电极层与目标焊料发生反应得到焊接层的同时，渗透第三电极层的目标焊料与第二电极层发生反应得到稳定的焊接层，在不增加第三电极层厚度的情况下，使得目标焊料与第二电极层与第三电极层分别发生反应形成稳定的焊接结构，进而加强了焊接的可靠性。
led 芯片及其制作方法封装器件显示装置

[发明专利]微型发光元件及图像显示元件-CN202010688153.5在审
发明人：井口胜次;河西秀典 -专利权人：夏普福山半导体株式会社
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：微型发光元件包括从光释放面侧依次沉积了P侧层、发光层以及N侧层的主体、光释放面侧的公共P电极、与光释放面相反一侧的N电极以及覆盖侧面的反射材料，所述发光层配置在主体中的光释放面侧，侧面以相对于光释放方向敞开的方式倾斜，N电极与反射材料的主体侧的表面是反射可见光的反射面。
微型发光元件图像显示

[发明专利]一种柔性电致发光器件及其制备方法-CN201910423194.9有效
发明人：全晓冬;雷震;丁轶;赵亮;邓璇 -专利权人：珠海纳金科技有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电致发光器件及其制备方法，包括透明基材、第一透明电极、透明绝缘层、发光层、第二透明电极和透明保护层，所述透明基材、所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述透明保护层依次重叠设置，所述透明绝缘层和所述发光层重叠设置于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间，所述第一透明电极和所述第二透明电极均为纳米银线导电薄膜；本发明结构简单，采用纳米银线导电薄膜作为发光层两侧的透明电极，导电性好，具有耐弯折、耐拉伸的优点，且具有双面发光、便于图像化的特点，而且出光效率高，相同照明面积消耗的电功率低。本发明所提供的制备方法，工艺简单，制备环境要求简单，可批量化生产且制作成本低。
一种柔性电致发光器件及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法-CN202011182547.X有效
发明人：兰叶;吴志浩;李鹏 -专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和所述N型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型电极与所述N型半导体层电连接，所述P型电极与所述P型半导体层电连接，所述发光二极管芯片还包括分别位于所述N型电极和所述P型电极上的焊点，所述焊点至少包括SnAgCu层。该发光二极管芯片可以避免锡膏涂覆在电路板上，造成短路的问题。
发光二极管芯片及其制造方法

[实用新型]一种高可靠性UVC LED芯片-CN202021925505.6有效
发明人：仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠性UVC LED芯片，所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和第一电极，还包括第二电极，所述第二电极分别设置在透明导电层和第一电极上；所述第一电极包括N‑接触层、第一阻绝层、第一扩散阻挡层和第一焊垫层。本实用新型通过优化欧姆接触，增加电流扩散性，同时通过第二电极来补平鼓泡电极结构，让电流传导更顺畅，从而提高芯片的整体寿命。
一种可靠性 uvc led 芯片

[实用新型]LED芯片-CN202021734408.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED芯片，LED芯片通过在电流阻挡层和透明导电层上分别设置第一通孔和第二通孔，以及覆于第一通孔和第二通孔内的金属粘附层，可以使P电极不直接设置在透明导电层和电流阻挡层上，而是通过金属粘附层分别与P电极和P型半导体层相连，从而在LED芯片打线流程中，能够分散打线时所带来的挤压力，使力直接作用在P型半导体层上，并通过金属粘附层加强P电极设置的牢固程度，以避免出现所述透明导电层和所述P电极碎裂脱落的问题。
led 芯片

[发明专利]一种LED芯片-CN201910784793.3有效
发明人：刘英策;李俊贤;魏振东;邬新根;黄瑄 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
一种 led 芯片

[发明专利]一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法-CN201811433179.4有效
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；所述接触层的材料采用锑烯。本发明通过采用锑烯形成接触层，锑烯层内的缺陷态很少，载流子在锑烯层内的迁移率很高，有利于实现P型半导体层和电极之间的欧姆接触，不会造成电流拥堵，可以改善发光二极管的串联电阻，而且对有源层发出的光线吸收较少，可以从整体上提升整个发光二极管的光效。
一种发光二极管外延芯片及其制备方法

[发明专利]一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法-CN201910427150.3在审
发明人：王建华;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法，属于光电子技术领域，包括在GaAs基发光二极管外延片p型外延层GaP上蒸镀电流扩展导电膜ITO；通过对表面的电流扩展导电膜ITO高温退火形成欧姆接触；N面减薄，蒸镀N面Au制作N电极，N面合金；在电流扩展导电膜ITO表面涂匀负性光刻胶，通过对准、曝光、显影光刻出电极图形；采用等离子去胶机去除负性光刻胶胶膜，在带负性光刻胶的晶片表面蒸镀GrTiAl或者TiAl，常规剥离制作出P电极；将芯片分割成单独的发光二极管管芯。本发明简化了工艺流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了光刻胶、化学药品等原材料的消耗。
一种 gaas 发光二极管芯片制备方法