“H01L31/06”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果761个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]背接触太阳电池及其制造方法-CN96114483.1无效
发明人：丹尼尔·L·迈耶 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 1996-11-15 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：太阳电池设计和制造方法，主要使用n型掺杂硅和铝来形成p-n结背接触太阳电池。铝合金结位于电池的背面，因此把铝的长处和背接触电池的优点结合起来了。该方法包括如下特点：表面结构化，正背表面场少数载流子镜，表面钝化，使用铝接触电极作为光反射器，因相邻的n⁺和p⁺区的对反偏压的内部保护，以及适于用表面安装技术进行互连电池的改进的主栅线接触设计。为了形成欧姆接触，使用自对准工艺。
接触太阳电池及其制造方法

[发明专利]具有自对准局域深扩散发射极的太阳能电池及其制造方法-CN96197446.X无效
发明人：贾拉尔·萨拉米;艾基奥·希巴塔;丹尼尔·L·迈耶;埃德加·L·科奇卡 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 1996-10-01 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：太阳能电池(10)，具有自对准金属电极(14)和下面的相对深的发射极区(21)以及在不被电极覆盖的表面下的相对浅的发射极区(22)，该太阳能电池在半导体衬底(12)中以下述方法形成：分别在硅半导体衬底(12)的前后表面上形成相对浅的p+和n+扩散区，以所希望的电极图形将铝丝网印刷到衬底的正面，热处理所制造的太阳能电池以形成在电极图形下的相对深的p+型发射极区(21)，同时在衬底表面未覆盖区上生长氧化物钝化层(18)，对未被电极所覆盖区域的正面施加抗反射涂层(19)，以及在太阳能电池的前后表面的电极上丝网印刷银(20)。
具有对准局域扩散发射极太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN02806810.6有效
发明人：生岛聪之;大塚宽之;高桥正俊;渡部武纪 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2002-03-19 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W₁tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W₁代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]光电转换元件-CN03141214.9无效
发明人：保野笃司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件进行叠层光电转换元件中，提供在多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度和/或碳原子浓度有极大值的峰的光电转换元件。因此提供使p/n界面的结构稳定，提高界面特性及膜粘附性，光电转换效率高的光电转换元件。
光电转换元件

[发明专利]增强光电器件和电子器件的光和电特性的等离子淀积工艺-CN95192288.2无效
发明人：李耀民;默里S·贝内特;杨立友 -专利权人：阿莫科/恩龙太阳公司
申请日： 1995-03-09 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。
增强光电器件电子器件光和特性等离子工艺

[实用新型]宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池-CN02294641.1无效
发明人：耿新华;赵颍;薛俊明 -专利权人：南开大学
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型的名称是宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池，涉及叠层电池结构的设计，属于太阳电池技术领域。一般的叠层电池或者光电转换效率低，或者工艺复杂，为此本实用新型在设计电池时，在第(1)个pin的N层与第2个pin电池的P层之间加一特殊增反射层，该增反射层只反射第1个pin电池吸收范围的光，透射第2个pin电池吸收范围的光，在第2个电池pin的N层与金属电极之间加另一个增反射层，负责反射第2个pin电池吸收范围的光，这样，可以提高电池的光电转换效率、减薄吸收层厚度，不容易发生光衰退，大大缩短制备时间，降低成本。
宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池

[发明专利]纳米光－热伏电池及其制备方法-CN01113515.8无效
发明人：陈钟谋 -专利权人：陈钟谋
申请日： 2001-04-11 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米光—热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高掺杂扩散层、电极、离子注入层。离子注入层夹在衬底与高掺杂扩散层之间，形成两个PN结。高掺杂扩散层覆盖离子注入层，使其厚度在1nm-100nm之间。同时本发明还给出了该电池的制备方法，包括氧化、光刻、扩散、离子注入、低压真空化学淀积、蒸铝等步骤。本发明真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能，因此转换效率大大提高，性价比产生了飞跃，可以工业化生产。
纳米电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN00819949.3有效
发明人：大塚寛之 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2000-11-30 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种太阳能电池100，系在半导体基板1的主表面形成凹凸部，并用绝缘膜3被覆该主表面，在主表面形成未被绝缘膜3被覆之半导体层露出区域5(包含凹凸部的至少部分凸部15的顶部)。在半导体层露出区域5内的凸部15之顶部25上，以直接或透过其它导电层来间接接触的方式形成输出取出用电极7。半导体层露出区域5，系以包含凹凸部15的形式用绝缘膜3被覆半导体基板1的主表面，且在凸部15顶部25以外区域将绝缘膜3用蚀刻保护膜4被覆，之后藉蚀刻来除去凸部15顶部25的绝缘膜3，如此般而形成出。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种太阳能转换多结极联光电池-CN03111742.2无效
发明人：李国昌 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种太阳能转换多结极联光电池，属半导体材料技术领域。用于解决现有极联光电池光谱响应范围和光电转换效率方面存在的问题。其方案中包括顶电池、中间电池和底电池，改进后的底电池是Ge的一个或多个PN结电池，中间电池是GaAs的一个或多个PN结电池，顶电池是ZnSe的肖特基结MIS。本发明采用ZnSe、GaAs、Ge三种功能材料搭配，制成单晶薄膜多结极联电池以转换光能。其合成光谱响应曲线可覆盖阳光总光谱能的95％，理论效率达56％，实际效率达30％以上。另外，本发明通过电流匹配、提高开路电压以提高输出功率，采用Au/n－ZnSe肖特基结，避开了P型掺杂的困难，上电极的引出工艺也更为简单。
一种太阳能转换多结极联光电池

[实用新型]立体光双面结光电池-CN02227797.8无效
发明人：李映华 -专利权人：李映华
申请日： 2002-05-27 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种立体光双面结光电池，由基片、P－N结、引出电极构成，基片两面分别是P－N结、N－P结，P－N结、N－P结上面是引出电极；引出电极由透明导电材料制成；基片是单晶硅、或结晶硅、或薄膜；本实用新型能利用多面光，使光电转换效率高，成本低。
立体双面光电池

[发明专利]光电装置-CN02142586.8无效
发明人：保野笃司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个p/n型接合的发电层的光电元件，上述发电层的p/n型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值，而且该氮浓度为1×1018原子/厘米3～1×1020原子/厘米3。这种光电元件的光电转换效率高且可靠性高。
光电装置

[发明专利]薄膜多晶太阳能电池及其形成方法-CN02121537.5无效
发明人：石原俊一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：为了同时保证优异的短路电流和占空因数性能,提供一种薄膜多晶太阳能电池,该电池包括基材;设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层;设置在第一半导体层上并且由用与第一半导体层同样导电类型的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层;和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一半导体层和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层,其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层,该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒,且垂直生长与第三半导体层形成接触面。
薄膜多晶太阳能电池及其形成方法

[发明专利]量子型光电晶体管-CN01120624.1无效
发明人：金勋 -专利权人：常绿KOREA株式会社
申请日： 2001-07-17 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子型光电晶体管,通过可靠地将量子结构如信道中的点接触、量子细线与量子点应用到半导体材料上,在使得由传导区的量子效应即由一维或零维的电子或空穴的约束能产生出一个势垒,而此势垒受到到达光子控制的条件下,用光或电磁波照射时可以控制其中信道电流的流动与强度,由其中于两个电极间形成了空穴或电子的约束能量差的量子结构形成了传导区,而当光或电磁波照射到此量子结构中产生的空穴或电子的部分耗尽区上时,此部分耗尽区中便产生电子一空穴对,释放此耗尽区而电流就流入其中。
量子光电晶体管

[发明专利]太阳电池以及太阳电池元件-CN00806892.5无效
发明人：藤森裕司;宫本勉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2000-12-26 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：已有的色素增敏型太阳电池是一种使用碘溶液等的电解质的湿式的太阳电池,所以必须利用密封材料将太阳电池元件中的电解质的碘溶液等密封,存在产生密封破裂和液体漏等许多问题。另外由于仅使用平板的氧化钛,太阳光的吸收面积小所以不能确保实用性的电流及电压。本发明的太阳电池在使用有二氧化钛(TiO2)的太阳电池中,所述二氧化钛半导体的特征在于,该二氧化钛半导体被一对电极挟持,该二氧化钛半导体和该一对电极的至少一个电极形成整流势垒。
太阳电池以及元件

[发明专利]铝合金背面结太阳电池及其制作方法-CN00806689.2有效
发明人：丹尼尔·L·迈尔;休伯特·P·戴维斯;鲁思·A·加西亚;加拉尔·萨拉米 -专利权人：埃伯乐太阳能公司
申请日： 2000-02-01 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：描述一种太阳电池的制造方法。该方法包括提供基极层(118),并在与基极层的非受照表面(128)相同的侧面上制作p－型电导率的发射极层(120),以提供重掺杂发射极层和位于n－型基极层(118)和p－型发射极层(120)之间的p－n结(124)。本发明的基极层具有n－型电导率并被受照表面(126)和与受照表面相对的非受照表面(128)限定。
铝合金背面太阳电池及其制作方法