“石原俊一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体处理装置-CN200980142724.7无效
发明人：井野英二;渡边亮;石原俊一;芦田肇;庄子博;吉村桂一 -专利权人：株式会社永创科技
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置(10)具有：由真空容器构成的等离子体处理室(11)；在等离子体处理室(11)内以面对面方式立设的一对基体保持部(12)；在两个基体保持部(12)之间所设置的多个第一反应气体管(13)；在两个基体保持部(12)双方各自与第一反应气体管(13)之间所设置的多个第二反应气体管(14)。第一反应气体管(13)为导体制，与高频电源(151、152)连接。第二反应气体管(14)为导体制，经由匹配器与第一交流偏压电源(153)电连接。第一反应气体管(13)兼作高频天线，第二反应气体管(14)兼作电极。
等离子体处理装置

[发明专利]多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法-CN03804814.0有效
发明人：水谷匡希;石原俊一;中川克己;佐藤宏;吉野豪人;西田彰志;浮世典孝;岩根正晃;岩崎由希子 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。
多晶衬底太阳能电池制备方法

[发明专利]薄膜多晶太阳能电池及其形成方法-CN02121537.5无效
发明人： 石原俊一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：为了同时保证优异的短路电流和占空因数性能,提供一种薄膜多晶太阳能电池,该电池包括基材;设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层;设置在第一半导体层上并且由用与第一半导体层同样导电类型的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层;和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一半导体层和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层,其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层,该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒,且垂直生长与第三半导体层形成接触面。
薄膜多晶太阳能电池及其形成方法

[发明专利]形成晶体薄膜的方法-CN90102669.7无效
发明人： 石原俊一;半那纯一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1990-03-31 - 公布日： 1994-11-16 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：一种形成晶体薄膜的方法，它包括将为形成晶体薄膜的气态原料和能与原料起化学反应的气态卤氧化剂各自引入到装有基片的薄膜形成空间以形成薄膜，基片由按预定温度分布的非单晶材料的表面组成。
形成晶体薄膜方法

[发明专利]形成沉积薄膜的方法-CN86107084.4无效
发明人： 石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-10-21 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种形成沉积膜的方法包括把形成沉积膜的气态原料，对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效地接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用途这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。
形成沉积薄膜方法

[发明专利]形成沉积膜的方法-CN86107141.7无效
发明人： 石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-10-22 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子，至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。
形成沉积方法

[发明专利]电子摄影光敏元件及其制造方法和装置-CN86108453.5无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1991-06-26 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：具有所需的光接收层的改进电子摄影光敏元件，此光接收层的制备是在无等离子体的情况下利用一种能对形成淀积膜层有所贡献的物质与一种电子氧化剂完成的。用来制备此电子摄影光敏元件的方法和设备。
电子摄影光敏元件及其制造方法装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN86108693.7无效
发明人： 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-26 - 公布日： 1990-04-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
薄膜晶体管

[发明专利]光电动势元件的制备方法-CN86108412.8无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1990-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
电动势元件制备方法

[发明专利]图象读取光检测器的制作方法-CN86108452.7无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1990-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
图象读取检测器制作方法

[其他]图象读取光检测器及其制作方法和装置-CN86108452无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1987-09-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
图象读取检测器及其制作方法装置

[其他]薄膜晶体管-CN86108693无效
发明人： 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-26 - 公布日： 1987-08-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
薄膜晶体管

[其他]电子摄影光敏元件及其制造方法和装置-CN86108453无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1987-07-29 - 主分类号： G03G5/02 文献下载
摘要：具有所需的光接收层的改进电子摄影光敏元件，此光接收层的制备是在无等离子体的情况下利用一种能对形成淀积膜层有所贡献的物质与一种电子氧化剂完成的。本发明还包括用来制备此电子摄影光敏元件的方法和设备。
电子摄影光敏元件及其制造方法装置

[其他]光电动势元件及其制备工艺和设备-CN86108412无效
发明人：广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-12-11 - 公布日： 1987-07-29 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
电动势元件及其制备工艺设备

[其他]形成沉积膜的方法-CN86107141无效
发明人： 石原俊一;半那纯一;清水勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-10-22 - 公布日： 1987-06-10 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子；至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。
形成沉积方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top