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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]热光电池及其制备方法-CN00129511.X无效
发明人：陈钟谋 -专利权人：杨希文;张盛武;陈钟谋
申请日： 2000-09-29 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种可将光能转换成电能的光电池及其制备方法。本发明采用N++P+N－;N++P+N－与P+N－混杂结构;P++N+P－;以及P++N+P－与N+P－混杂结构作光电池。还将几乎不耗电的外来电源作为泵浦用,还用高渗杂办法来吸收红外线的硅热光电池。本发明电池的光电流较国际最高水平0.92A/W高出3.2倍,当加上1.5伏偏压后,高出414倍。
光电池及其制备方法

[发明专利]用于生产半导体p,p+和n,n+区的掺杂糊剂-CN00804875.4无效
发明人： A·库贝尔贝克;C·杰琳斯基;L·海德;W·斯托库姆 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2000-02-29 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产单晶和多晶Si片的p,p+和n,n+区的新型硼、磷或硼－铝基掺杂糊剂,本发明进一步涉及使用相应的糊剂作为掩模糊剂在半导体的生产、功率电子元件或光电器件方面的应用。
用于生产半导体掺杂

[实用新型]纳米光－热伏电池-CN01237286.2无效
发明人：陈钟谋 -专利权人：陈钟谋
申请日： 2001-04-11 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米光一热伏电池,包括导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层,以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极。此外,还含有离子注入层,所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间,形成两个PN结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层,使其厚度在1nm—100nm之间。本实用新型真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能,因此转换效率大大提高,性价比产生了飞跃,可以工业化生产。
纳米电池

[发明专利]太阳能电池-CN01119288.7无效
发明人： G·斯特罗布尔;K·藤特舍尔;P·厄贝勒 -专利权人：太阳能利用股份有限公司
申请日： 2001-04-06 - 公布日： 2001-10-17 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种太阳能电池(10)，包括具有n+p结的半导体体区域(12)。为使太阳能电池具有优良的EOL特性，本发明的太阳能电池(10)包括不同厚度(d1、d2)的第一和第二区域(28、30、32、34、48)，第一区域(28、30、48)形成太阳能电池的支撑结构，第二区域(32、34)比第一区域的厚度小很多。
太阳能电池

[发明专利]光电压产生器-CN99119375.X有效
发明人：邱清彰;赖文聪 -专利权人：光磊科技股份有限公司
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电压产生器,包含一衬底;一绝缘层,设置在衬底上;第一杂质扩散层,设置在该缘层上;第二杂质扩散层,和第一杂质扩散层在平行于衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,其一端连接到第二杂质扩散层,而另一端横跨一纵向Pn接面,延伸入第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,连接到第一杂质扩散层,且不连接第三杂质扩散层,而第四杂质扩散层至多横跨一纵向pn接面;以及薄膜电极层和隔离层。
电压产生器

[发明专利]光伏元件及其制备方法-CN99111117.6无效
发明人：村上勉;吉野豪人;都筑幸司;竹山祥史;清水孝一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-06-10 - 公布日： 2000-01-12 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供了低阴影、高能量转换效率、高尺寸自由度、和长时间使用时高可靠性的光伏元件,该光伏元件包括具有产生光电动势的第一半导体结层的光伏层32;提供在光伏层的光入射一侧的电流收集电极34;并联的旁路二极管,其中旁路二极管形成在电流收集电极下面,旁路二极管层38具有区别于光伏层的第一半导体结层的第二半导体结层。
元件及其制备方法

[实用新型]异质面砷化镓背场太阳能电池-CN98209986.X无效
发明人：鞠定德 -专利权人：云南师范大学太阳能研究所;鞠定德
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种异质面砷化镓背场太阳能电池,它由异质面P型镓铝砷层(P－Ga1－xAlxAs)和P型砷化镓层(P－GaAs)以及N型砷化镓层(n－GaAs)三层构成,其特征在于在该异质面三层结构的背面设有一强N型砷化镓层(n+GaAs)。从而构成四层结构的砷化镓背场太阳能电池,有效提高了电池的开路电压以及光电转换效率,并可大大降低电池基片厚度,有利于节约材料,降低电池成本。
异质面砷化镓背场太阳能电池

[发明专利]太阳电池-CN93102702.0无效
发明人：杨永清 -专利权人：杨永清;杨洪东
申请日： 1993-03-15 - 公布日： 1997-08-13 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种能充分吸收太阳光谱中近红外线、可见光、紫外线、X射线光谱中光子，并能转换成电能的效率高、寿命长、造价低的新型太阳能电池。它由衬底1，电极B层2，电池芯H、K、Z、X、G。3、4、5、6、7，电极B层8，密封层9，防震橡胶条10，边框11组成。
太阳电池

[发明专利]光生伏打电池-CN93116580.6无效
发明人： E·索勒;M·格列策尔;T·迈耶 -专利权人：阿苏拉布股份有限公司
申请日： 1993-07-28 - 公布日： 1996-10-09 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种光生伏打电池(1)，包括具有支持面(4)的基片(2)，支持面上有第一电极(6)和通过多个层(14、16；14、24、16)与第一电极隔离的第二电极(10)，多个层中具有至少一个第一串导电材料层(14)在其界面处有激活结(J)，所述激活(J)具有大于其投影面积的扩大的面积。
光生伏打电池

[发明专利]高光电转换效率的P-N结硅光电二极管-CN91103787.X无效
发明人：李建明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 1991-06-08 - 公布日： 1992-12-30 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高光电转换效率的p-n结硅光电二极管器件，其特点是在p-n结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种p-n结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效率，提高光探测器的灵敏度和太阳能电池的效率。
光电转换效率光电二极管

[发明专利]一种光感受器-CN88102717.0无效
发明人：埃米尔·卡米恩尼克基;威廉·C·戈德法布 -专利权人：光学诊断系统有限公司
申请日： 1988-05-03 - 公布日： 1991-04-17 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：在绝缘材料薄片或薄层上形成的静电潜象的无损读出方法和设备。半导体材料薄片或薄层设置于相对靠近该绝缘材料的附近。在该绝缘材料上形成的静电潜象在该半导体材料表面上感生表面耗尽层。当用适当波长的低光强调制后的光束对该半导体材料扫描时，就将在该半导体材料上所储存的各电荷位置和分布状况作为相当于在该半导体材料上所感生的交流表面光电压的模拟电信号而读出，模拟信号的幅值取决于本身的电荷密度。该模拟电信号转换成数字信号，经处理后储存和/或显示出来。
一种光感受器

[发明专利]太阳能电池-CN88101994.1无效
发明人：卡尔-格哈德·赫斯泰;鲁道夫·赫索 -专利权人：纽肯股份有限公司
申请日： 1988-04-13 - 公布日： 1991-01-30 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：推荐一种硅太阳能电池(19)，在其基片(1)的一面上，由一MIS(1、2、3)所产生的电场使由辐射能产生的各载流子分离。少数载流子被在MIS接触的金属(3)中引排出，而多数载流子被配置在其对面的各欧姆接触(4)导去，所述各欧姆接触被定位于比基片表面(22)高的被升高的各区域(21)上。此外，载有各欧姆接触(4)的基体(1)的一面至少完全是由一层钝化层(5)覆盖的。
太阳能电池

[发明专利]宽势阱半导体光电器件-CN89105386.7无效
发明人：陈钟谋;林金庭;蒋宝富;李慧蕊;徐昌文;马云;辛洪起;陆鼎贤 -专利权人：机械电子工业部南京第五十五研究所
申请日： 1989-01-25 - 公布日： 1990-08-08 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：宽势阱半导体光电器件具有弱光效率高、光谱宽、动态范围广、输出大等特点。这种器件由n型半导体材料构成的衬底(1)、隔离沟道(2)、p型扩散层(3)、n+层(4)、氧化层(5)、n型扩散层(6)及分别与各层相连接的电极(7、8、9、)和滤色器(10)组成。为了获得更高的信噪比，n型衬底(1)可由带隔离结构的衬底替代。隔离结由在p型材料上生长n型外延层构成。
势阱半导体光电器件

[发明专利]电-光器件及其制造方法-CN87103244.9无效
发明人：高山彻;山崎舜平;铃木邦男;阿部雅芳;金花美树雄;深田武;柴田克彦;薄田慎人;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1987-04-29 - 公布日： 1990-06-13 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：公开了一种改进的电一光器件，该器件包括一块透明基片和在其相对的两个表面上有一对电极的光电导层。在透明电极和光电导层之间的电极是透明的，并且是用氧化锌制成的，后者不会由于同光电导层接触而发生还原反应。
器件及其制造方法

[发明专利]太阳能电池阵列-CN86100381.0无效
发明人：朱尔斯·D·利维;米勒德·J·詹赛;罗纳德·E·汉尔;戴维·E·瓦特 -专利权人：得克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 1986-02-15 - 公布日： 1990-04-25 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种太阳能电池阵列，该阵列由一对隔开的互相电绝缘的柔性铝箔片形成。带N型外壳的P型半导体球穿过其中的一片，并与两片均有电气耦合。半导体球被固定在有氧化涂层的铝箔片上，这些片材作为防蚀掩膜，蚀刻除去N型外壳。在通过机械研磨去除半导体氧化物之后，半导体球接触另一块片材，球放在压刻和腐蚀出的小孔里，当迫使球进入孔时，片材温度处于500℃至577℃。在带状材料上形成许多这样的阵列，在分割位置放垫片并在上面划割把阵列各自分开，所以片材之一就有凸缘伸到外面以连接另一个阵列的片材，以这样的方法可以用互连的许多阵列来构成大型太阳能板。
太阳能电池阵列

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