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[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200980143333.7有效
发明人： H-J·克罗科斯津斯基 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种在n掺杂的硅衬底上的太阳能电池，具有：设置在第一主表面中的n+基极区域和在第二主表面中设置的p+掺杂的发射极区域，施加在第一主表面上的指状的基极接触结构，分别带有能够焊接的接触面的、施加在第二主表面上的发射极接触部和同样施加在那里的基极接触轨；以及将第一主表面的指状的接触结构与第二主表面上的基极接触轨连接的穿通接触部、通孔，由此发射极区域以及基极区域通过第二主表面上的焊接接触面连接，其中第二主表面局部地、至少在基极接触轨的区域中没有p+发射极掺杂，并且第一主表面和第二主表面的预先确定的区域至少在通孔周围具有n+n结并且由此具有前表面场。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺-CN201110083015.5有效
发明人：赵春雨;董建荣;陆书龙;李奎龙;赵勇明;季莲;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。
基于 npn 结构激光电池及其制备工艺

[发明专利]硫化镉薄膜太阳电池及其制备方法-CN201110084460.3无效
发明人：李卫;冯良桓;张静全;武莉莉;蔡亚平;谢晗科;朱喆;高静静 -专利权人：四川大学
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜太阳电池的制备方法。提出一种以Cd2SnO4为透明导电层，n型CdS为窗口层，Zn2SnO4作为透明导电层和窗口层之间的缓冲层材料，p型CdS作吸收层的CdS同质结太阳电池结构，在此基础上，采用干法工艺制备出同质结的CdS太阳电池。即在硼硅或铝硅玻璃上射频溅射透明导电层Cd2SnO4，随后射频溅射缓冲层Zn2SnO4，接下来，采用射频溅射法制备n型CdS作为窗口层，然后采用物理气相法室温沉积掺铜CdS并后处理，获得p型CdS作吸收层，或者物理气相法直接在一定温度下生长p型掺铜CdS作吸收层，最后沉积金属电极，并接上引线。采用上述结构和工艺，可更好收集和利用太阳光，有效地对CdS进行p型掺杂处理，并消除晶格失配和界面态带来的影响，从而获得更高的光电转换效率。
硫化薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]CIGS太阳能光电池及其制备方法-CN201110022506.9无效
发明人：钱磊;谢承智;张智恒;刘德昂;顾龙棣 -专利权人：苏州瑞晟太阳能科技有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIGS太阳能光电池，其包括：导电衬底；CIGS活性层，n型半导体层，该n半导体层制作在所述CIGS活性层上，并与之形成pn结；窗口层，该窗口层制作在所述n型半导体层用来保护所述N型半导体层；透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上。该CIGS太阳能光电池的CIGS活性层采用三阶段式的溶液法不仅具有溶液制备法的便宜快捷的优点，而且可优化CIGS活性层的组分比，极大的提高光电转换效率。
cigs 太阳能光电池及其制备方法

[发明专利]基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池-CN201110067715.5无效
发明人：马绍栋;付非亚;王宇飞;王海玲;彭红玲;郑婉华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明，解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题，达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。
基于刻蚀技术 sis 太阳能电池

[发明专利]nc-Si:H/SiN_x超晶格量子阱太阳电池-CN201110066394.7有效
发明人：郭立强;丁建宁;卢超;程广贵;祝俊 -专利权人：江苏大学
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池，特指一种应用nc-Si:H和SiNx构成超晶格纳米量子阱材料的新型太阳电池，利用纳米硅的带隙可调性和结合多氮化硅的良好势垒特性制备了nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池，此种电池的超晶格量子阱材料中，极薄的nc-Si层充当一个封闭载流子的量子阱层，nc-Si:H薄膜光学带隙依次由顶向下形成过渡结构，拓展了太阳电池对光的吸收谱、提高光吸收总量和吸收效率；同时保持第二代薄膜电池低成本优点。
nc si sin sub 晶格量子太阳电池

[发明专利]太阳能电池-CN201110045950.2有效
发明人：胡雁程;陈芃;梁硕玮;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中量子阱层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子阱层的第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子阱层的第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子阱层的第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。
太阳能电池

[发明专利]光伏电池-CN201010625163.0无效
发明人： B·A·科尔瓦尔;L·察卡拉科斯;F·R·艾哈迈德 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：公开了一种光伏(PV)电池(200)。该PV电池包括多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入该多晶光活性吸收层(204)内，其中该多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。
电池

[发明专利]双面钝化高效硅太阳电池及工艺流程-CN201110041660.0无效
发明人：周之斌;周金莲;童朝俊;张晖嘉;方超;张磊;杨健;马德忠;马玉锋;郭明星;陈珂;汪甡杰 -专利权人：芜湖明远新能源科技有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面钝化的高效太阳电池和工艺方案，主要是由太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺，去磷硅玻璃，制作减反膜，丝网印刷电极、然后烧结的工艺后成为太阳电池，在制作迎光面减反射膜后，增加了一道硅片背面制作氧化铝薄膜钝化层的工序，本发明可以显著提高太阳电池的光电转换效率，成本略有提高，但收益要远远高于投入。
双面钝化高效太阳电池工艺流程

[发明专利]一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法-CN201110040873.1无效
发明人：周之斌;周金莲;张磊;高振华;方超;陶玮;喻龙;童朝俊;刘阳;孙娜娜;刘星;周恩哲;丁开顺 -专利权人：芜湖明远新能源科技有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池制作方法，用单晶硅片为主体材料，在正面和背面分别沉积非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜，再在两面上分别沉积透明导电薄膜构成电极，最后采用丝网印刷形成正、背面的栅电极汇集光生电流。非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜的沉积工艺是热丝化学气相沉积技术，该工艺具有高速、高质量沉积薄膜的优点，适合大规模产业化生产。
一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池-CN201110020790.6无效
发明人：杨宏;帅争峰;王鹤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。
一种纳米晶体硅异质结光伏电池

[发明专利]一种双结太阳电池及其制备方法-CN201010531394.5无效
发明人：韩培德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双结太阳电池及其制备方法。该双结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型层和介质钝化层，且介质钝化层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上交替形成的背光面第二导电类型区和背光面第一导电类型区；在该迎光面第二导电类型层上形成的第一电极；在该背光面第二导电类型区上形成的第二电极；在该背光面第一导电类型区上形成的第三电极；以及在该第二电极和该第三电极之间形成的背光面绝缘介质层。利用本发明，避免了充分光吸收与少子扩散距离有限的矛盾，避免了背结电池中光吸收区与载流子收集区不一致的矛盾，从而提高电池效率。
一种太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201010511747.5无效
发明人：王荣新;邢政;邱凯;张晓东;李晓伟;张宝顺;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池，包括具有光伏单元的外延片，以及覆盖复合于外延片两侧的前电极及背电极，光伏单元为薄膜结构的PN结或PIN结，前电极为透明导电薄膜或具图形结构的多层金属薄膜，太阳能电池在其朝向太阳辐照的一侧具有减反射膜。其制备方法包括：(1)太阳能电池外延片的生长；(2)外延片两侧沉积制作前电极和后电极并退火；(3)在外延片上制备隔离沟槽，并对隔离沟槽进行清洗和绝缘钝化处理，制得窗口区；(4)对外延片的窗口区制作减反射膜。本发明利用多层薄膜材料的沉积，增强太阳光进入太阳能电池结构层，提高光电转换效率。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880128931.2有效
发明人：米泽雅人;筈见公一;高见明宏;森川浩昭;西村邦彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。
电动势装置及其制造方法

[发明专利]一种浅结太阳能电池及其制备方法-CN201010294835.4无效
发明人：夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，钝化层位于晶硅的上面，金属栅电极位于钝化层的上面，晶硅包括有PN结，PN结的深度为10纳米到200纳米。所述制备方法包括：对晶硅进行预处理；利用等离子体浸没离子注入工艺，在晶硅上制备PN结，并对PN结进行钝化处理，形成钝化层；分别在晶硅的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅电极。本发明提供的浅结太阳能电池，能够缩短载流子的传输路径，使光电转换效率提高，并且制备方法简单可控。
一种太阳能电池及其制备方法