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[发明专利]微通道雪崩光电二极管-CN200780024920.5无效
发明人：齐拉丁·Y·萨迪戈夫 -专利权人：泽科泰克影像系统新加坡有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明的微通道雪崩光电二极管涉及半导体光敏器件，也就是具有内部信号放大的半导体雪崩光电二极管。所述微通道雪崩光电二极管可以用于在医学伽马层析x射线照相装置中记录超微弱的光脉冲直到单个光子、伽马量子和带电粒子，还用于辐射检测和原子物理实验。本发明的器件特征在于，雪崩光电二极管包括衬底和具有不同的电物理性能的半导体层，该半导体层在其间以及与衬底之间具有公共的界面，该雪崩光电二极管还设置有单独的固态区域的至少一个二维矩阵，该单独的固态区域形成在该二维矩阵中并实施为用于形成电势微深度的高导电的岛的形式。为了减小体积内产生电流并改善沿器件表面的电势分布的均匀性，固态区域位于两个额外的半导体层之间，该两个额外的半导体层相对于与它们具有公共界面的半导体层表现出高的电导率。所述发明使得可以在器件体内获得此电势分布形式，其允许光电子在单独的固态区域上收集。
通道雪崩光电二极管

[发明专利]在管线化电荷畴信号处理电路中的共模电荷控制-CN200880004552.2有效
发明人： M·P·安东尼 -专利权人：肯耐特股份有限公司
申请日： 2008-02-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：在差分式斗链器件(BBD)管线中必须要由正当电路功能在每个管线级处将共模电荷维持在可接受的范围内。本发明的实施例用于减少差分式电荷畴管线中的共模电荷变动。根据一个或更多个测得的特性调节管线的给定级处的共模电荷，从而控制整个差分式电荷畴管线的共模电荷变动。
管线电荷信号处理电路中的控制

[实用新型]具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池-CN200820154380.4无效
发明人：李涛勇 -专利权人：李涛勇
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出。根据本实用新型，硅基片上分布有从硅片受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与之连接，从非受光面引出。本实用新型实现电池电极全部由背表面引出，取得了转换效率高、极连方便、可靠性高等有益效果。
具有烧结体内结构太阳电池

[发明专利]一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺-CN200810093812.X无效
发明人：简永杰;杨茹媛;张育绮 -专利权人：东捷科技股份有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一衬底；一透明导电膜；一非晶硅P型半导体层；一超晶格半导体层；一本征型(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，该超晶格半导体层利用不同材料的薄膜相互堆叠而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池的光电转换效率。
一种具有晶格薄膜太阳能电池结构及其工艺

[发明专利]晶体硅太阳能电池-CN200810093367.7无效
发明人：黄麟 -专利权人：黄麟
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极22、窗口层23、第二导电类型重掺杂层24、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底26、背面电极27，本发明通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24就能够降低所述窗口层23带来的复合损失，通过设置所述窗口层23又能够降低所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24带来的欧姆损失，并同时降低所述正面栅状金属电极22带来的遮挡损失，由此可将通常的晶体硅太阳能电池的转换效率提高至少10％以上。
晶体太阳能电池

[实用新型]晶体硅太阳能电池-CN200820085828.1无效
发明人：黄麟 -专利权人：黄麟
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极22、窗口层23、第二导电类型重掺杂层24、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底26、背面电极27，本实用新型通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24就能够降低所述窗口层23带来的复合损失，通过设置所述窗口层23又能够降低所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24带来的欧姆损失，并同时降低所述正面栅状金属电极22带来的遮挡损失，由此可将通常的晶体硅太阳能电池的转换效率提高至少10％以上。
晶体太阳能电池

[发明专利]倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池-CN200810171863.X有效
发明人：马克·A·斯坦;阿瑟·科恩费尔德 -专利权人：昂科公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池。一种倒置变形多结太阳能电池及其制作方法，所述太阳能电池包括上部子电池、中部子电池和下部子电池，所述方法包括：提供第一衬底以用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成上部第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成中部第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成下部第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，其中所述太阳能子电池中的至少一者具有异质结基极-发射极层。
倒置变形太阳能电池中的结子电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200810214324.X无效
发明人：文仁植;金大园 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改进工艺的太阳能电池制造方法和一种通过这种方法制造的太阳能电池，这种太阳能电池包括具有通路孔的半导体衬底、发射极部分、基极部分、第一电极和第二电极。发射极部分和基极部分在半导体衬底中形成p-n结。第一电极电连接到发射极部分，而第二电极电连接到基极部分。形成导电性晶体以将第一电极的第一电极部分电连接到发射极部分，从而增加太阳能电池的效率。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种提高硅太阳电池效率的发射极结构-CN200910060859.0无效
发明人：丁孔贤;李化铮;丁孔奇 -专利权人：珈伟太阳能（武汉）有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。本发明利用透明导电膜和焊点收集太阳电池基片表面光电流，利用栅线汇集各焊点的电流并将太阳电池基片产生的电力输出。由于本发明采用了透明导电膜和若干焊点代替背景技术中的分栅线，因此，减小太阳电池基片发射极的遮光面积以及光反射，同时还减小了太阳电池基片顶层横向电流引起的功率损失和电池的串联电阻等，进而提高硅太阳电池的效率。
一种提高太阳电池效率发射极结构

[实用新型]利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池-CN200820160042.1无效
发明人：王玉亭;傅建奇;王栩生;吴现实;高周妙 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司;江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池，包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P⁺层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P⁺层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P⁺层的厚度为5～10μm。本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25-0.6％，本实用新型适合于规模化生产。
利用烧结炉通过二次烧结规模化生产太阳电池

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法-CN200910003203.5有效
发明人：伊坂隆行;安彦义哉;殿村嘉章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明，可以提高太阳能电池的最大电功率。
太阳能电池制造方法

[发明专利]光电池元件及显示面板-CN200910002059.3有效
发明人：卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电池元件及显示面板，该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上，其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上，其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率，以及较佳的结构稳定性。另外，光电池元件的膜层厚度要求可较薄，因此，其较容易整合于显示面板的工艺中。如此一来，当光电池元件因感光所产生的电能便可转为显示面板使用，进而达到节能省电的目的。
光电池元件显示面板

[发明专利]光敏感面积与光不敏感面积的比例增加的光电二极管-CN200780014826.1有效
发明人：罗宾·威尔逊;康纳尔·布罗冈;休·J·格里芬;科马克·麦克纳马拉 -专利权人：艾斯莫斯技术有限公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种光电二极管，其具有增加的光敏感面积与光不敏感面积的比例，该光电二极管包括具有后侧表面和光敏感前侧表面的半导体。该半导体包括具有第一导电性的第一有源层、具有与第一导电性相反的第二导电性的第二有源层以及将第一和第二有源层分开的本征层。多个隔离沟槽设置为将光电二极管分成多个单元。每个单元都具有包括对光敏感的单元有源前侧面积和对光不敏感的单元无源前侧面积的总前侧面积。单元有源前侧面积构成单元总前侧面积的至少95％。还公开了形成该光电二极管的方法。
敏感面积比例增加光电二极管

[发明专利]InAs量子点材料的制备方法及其在太阳能电池中的应用-CN200810051600.5无效
发明人：李林;李占国;李梅;王勇;王晓华;曲轶;薄报学;刘国军 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调节所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、成分和面密度，确定量子点材料的带隙。该方法易于控制，工艺稳定。
inas 量子材料制备方法及其太阳能电池中的应用

[发明专利]多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池-CN200810195062.7有效
发明人：沈鸿烈;黄海宾;吴天如;鲁林峰 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，属太阳能电池技术领域。该太阳能电池由玻璃衬底或者不锈钢衬底，在该衬底上通过磁控溅射沉积的透明导电氧化物层以及通过热丝化学气相沉积方法制备的二个叠接的薄膜子太阳能电池构成，其中一个子电池由p型碳化硅层/n型碳化硅层构成，另一个子电池由p型多晶硅层/n型多晶硅层构成。本发明的特点是由两种不同禁带宽度的硅基材料叠接组成，提高了对太阳光谱的利用率和光电转换效率。采用廉价衬底和低成本薄膜生长源材料，降低了太阳能电池的成本，使之具有与晶体硅太阳能电池的竞争优势。
多晶碳化硅薄膜太阳能电池