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[发明专利]镶嵌铜布线图像传感器-CN200580035823.7有效
发明人：詹姆斯·W.·阿德金森;杰弗里·P.·加比诺;马克·D.·加菲;罗伯特·K.·莱迪;安东尼·K.·斯坦博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器阵列(100)及其制造方法，其中所述传感器包括铜(Cu)金属化层(M1、M2)，允许结合具有改善的厚度均匀性的更薄的层间电介质叠层(130a－c)以获得光敏度提高的像素阵列。在传感器阵列中，每一个Cu金属化层包括形成在每一个阵列像素之间的位置的Cu金属布线结构(135a、135b)。阻挡材料层(132a、132b)形成在横越像素光路的每一个Cu金属布线结构的顶部。通过实施单掩模或自对准掩模方法，执行单次蚀刻以彻底地去除横越所述光路的阻挡层和层间电介质。然后用电介质材料(150)再填充蚀刻的开口(51)。在淀积再填充电介质之前，反射层或吸收材料层(140)沿着蚀刻开口的侧壁形成以通过反射光到下伏的光电二极管(18)或通过消除光反射来提高像素的灵敏度。
镶嵌布线图像传感器

[发明专利]在陶瓷套筒中具有整体透光波导的光伏电池-CN200710008222.8无效
发明人： L·柯廷 -专利权人：光伏公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：光伏电池是本领域中所熟知的半导体器件，当其被放置在闭合电路中，在有光的情况下就会产生电流。产生的电流量典型地是曝露于光的电池面积的函数。本发明是一种改进的光伏电池，其由形成N－P结的多层半导体材料组成，其中在陶瓷套筒中分散有透光颗粒。所述透光颗粒作为波导，使得光可被透射经过多层的半导体材料到达更低的N－P层，在那里这些光被吸收以产生电流。可制造多层的且变化尺寸的光伏电池，产生光伏电池设计者可用的多种形状因子并且使光伏电池可用于许多应用中。本发明还涉及一种制造这种光伏电池的方法。
陶瓷套筒具有整体透光波导电池

[发明专利]硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元-CN200580019248.1有效
发明人：艾莲娜·V·波波娃;谢尔盖·N·克莱曼;列昂尼德·A·菲拉托夫 -专利权人：马普科技促进协会;鲍里斯·阿纳托列维奇·多尔戈舍伊恩
申请日： 2005-05-05 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及高效率光记录检测器，并可用于核工程和激光工程，以及用于工业和医学断层摄影术等。本发明的硅光电倍增器(变型1)包括掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的p++型导电基片，并由多个单元构成，每个单元包含p－导电型外延层，掺杂浓度是在10¹⁸－10¹⁴cm^－3范围内逐渐变化，并生长在基片上；掺杂浓度是在10¹⁵－10¹⁷cm^－3范围内的p－导电型层；和掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的n+导电型层，其中连接n+层与馈送条的多晶硅电阻安排在每个单元的二氧化硅层上，和分隔元件设置在各个单元之间。所述硅光电倍增器(变型2)包括n－型导电基片，在该基片上施加掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的p++型导电层，并由多个单元构成，其中每个单元的多晶硅电阻设置在二氧化硅层上，和分隔元件设置在各个单元之间。
光电倍增器变型单元

[发明专利]全硅化金属栅极-CN200580022861.9有效
发明人：格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。
全硅化金属栅极

[发明专利]一种光生伏打元件-CN200480028728.X无效
发明人：武尔夫·纳格尔 -专利权人：武尔夫·纳格尔
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种光生伏打元件，具体而言在光生伏打单元中用作太阳电池，包括光子吸收器(10)。导电工作元件至少部分地嵌入在光子吸收器(10)中。工作元件(12)通过相界与光子吸收器(10)隔开。工作元件(12)还具有比光子吸收器(12)高的电子迁移率。意外地发现大大提高了所述光生伏打元件的效率。
一种光生伏打元件

[发明专利]一种光电二极管及其制备方法和在CMOS摄像传感器中的应用-CN200510024212.4无效
发明人：朱虹;杨建平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种pin或pn结光电二极管及其制造方法，包括外延生长在衬底上的锗或硅锗(Si_xGe_1－x)吸收层，其增强了光吸收性和光电转换效率，从而提高了光电流。由于锗对光的高吸收系数和对光生载子的高迁移率，该光电二极管应用于CMOS摄像传感器中提高了其对光的敏感度和响应速度，同时抑制了串扰的产生而提高了信噪比。
一种光电二极管及其制备方法 cmos 摄像传感器中的应用

[发明专利]高密度和高编程效率的MRAM设计-CN200480003686.4无效
发明人： D·曾 -专利权人：磁旋科技公司
申请日： 2004-02-02 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：公开了用于提供磁存储器的方法和系统。磁存储器包括磁性元件。磁性元件位于第一和第二写线的交叉点，并通过使用第一写线和第二写线被写入。定向第二写线使其与第一写线成一角度。第二写线具有顶部和至少一个侧面。第二写线的至少一部分由绝缘层覆盖。磁性层覆盖了绝缘层的一部分。绝缘层的该部分位于磁性层与第二写线之间。磁性层包含软磁材料。
高密度编程效率 mram 设计

[发明专利]象素式图像传感器-CN03823440.8有效
发明人：赵立新 -专利权人：赵立新
申请日： 2003-08-02 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：象素式图像传感器包括横向光电二极管和纵向溢出系统。根据本发明的至少一个实施例，一个图像传感器的象素包括一个横向光电二极管和一个纵向溢出系统。这个纵向溢出系统将横向光电二极管的电荷收集区积累的多余电荷排出，而且对横向光电二极管的电荷收集区进行复位。
象素图像传感器

[发明专利]晶体颗粒太阳电池及其制备方法-CN200410020097.9无效
发明人：刘维一 -专利权人：南开大学
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及晶体颗粒太阳电池及其制备方法。包括导电衬底，半导体晶体颗粒，表面透明导电层构成，在导电衬底与表面透明导电层之间的半导体晶体颗粒间隙处用绝缘材料将导电衬底与表面透明导电层隔离开；颗粒平铺在一个平面上，用涂有防水胶的柔性材料将颗粒粘，一半被防水胶覆盖，另一半裸露。将裸露的颗粒表面层腐蚀掉露出晶粒内部的材料，将其粘接或焊接在导电衬底上，柔性材料和防水胶去除，颗粒间缝隙处填入绝缘材料，将裸露的晶体颗粒表面的氧化和氮化层腐蚀掉，露出导电层，并在上面沉积上表面电极和减反射层。本发明制造过程能耗低，材料利用率高，适于自动化批量生产，可大幅度降低太阳电池的制造成本。
晶体颗粒太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种多吸收层太阳能电池及制造方法-CN200410048066.4在审
发明人：王东生;黄开盛 -专利权人：王东生
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种多吸收层太阳能电池及其制造方法，其发明特点主要包括一个用高反射率的铝或银作电极材料制成的光反射电极、二个铜铟镓硒(CIGS)薄膜吸收层和二个在铜铟镓硒(CIGS)薄膜内形成的同质P－N结。由于电池采用了光反射电极，电池的光吸收效率得到提高，并且由于P－N结是在同质的铜铟镓硒(CIGS)薄膜内形成，具有较少的缺陷及良好的稳定性；电池内部在层叠方向上具有二个或二个以上P－N型结构，相当于多个电池串联起来，使电池更有效地吸收光能，提高了电池的开路电压，节省了空间，使电池的转换效率得到了提高。
一种吸收太阳能电池制造方法

[实用新型]一种薄膜叠层太阳能电池-CN200320119299.X无效
发明人：姚若河;郑学仁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜叠层太阳能电池。该薄膜叠层太阳能电池依次由衬底、电极、p型铜铟硒层、n型硫化镉层、p型多晶硅层、n型多晶硅层和电极叠层构成。本实用新型对太阳光谱的吸收利用率和光电转换效率高、成本低、制备方法简单、稳定性好。
一种薄膜太阳能电池

[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200310117412.5无效
发明人：姚若河;郑学仁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。该薄膜太阳能电池依次由衬底、电极、p型铜铟硒层、n型硫化镉层、p型多晶硅层、n型多晶硅层和电极叠层构成。本发明薄膜太阳能电池的制备方法依下列步骤进行：(1)采用磁控溅射加真空硒化退火方法在衬底上制备p型铜铟硒(CIS)膜；(2)用真空蒸发方法在p型铜铟硒(CIS)膜上生长n型硫化镉(CdS)层形成铜铟硒/硫化镉(CIS/CdS)复合结构；(3)在铜铟硒/硫化镉(CIS/CdS)复合结构上采用PCVD工艺和金属诱导固相晶化方法制备p型多晶硅层、n型多晶硅层；(4)形成多晶硅－铜铟硒叠层复合结构的薄膜太阳能电池。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法-CN03134829.7有效
发明人：胡盛明;李毅 -专利权人：李毅
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及单室沉积非晶硅叠层太阳能电池制造，属于叠层薄膜电池技术。目的是利用单室沉积技术，创造一种低成本大规模生产非晶硅双结叠层太阳能电池。技术特征在单室中充入I层非晶硅工作气体，压力80Pa，温度230℃，放电功率120W，沉积膜厚700～800的I层非晶硅膜；分子泵抽真空度6.0～9.0×10^－3Pa时，在顶电池I层非晶硅膜表面，及顶电池N层微晶硅膜表面分别制作一层40～50氧化物阻挡层，氩离子轰击和氩气冲洗，减少膜层污染。
沉积非晶硅叠层太阳能电池制造方法

[发明专利]微型高效宽光谱换能器及其制备方法-CN01134053.3无效
发明人：陈钟谋 -专利权人：陈钟谋
申请日： 2001-10-17 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型高效宽光谱换能器，属于能量转换技术领域。该换能器包括半导体衬底、扩散层、高渗杂层，以及分别从衬底和高浓度离子注入层引出的电极，半导体衬底和扩散层形成单PN结，此外夹在衬底与高渗杂层之间、形成双PN结的离子注入层。高渗杂层覆盖离子注入层，使离子注入层厚度在1nm-100nm之间，两个以上的双PN结区域从端头半导体衬底与扩散层形成的单PN结区域延伸，并与单PN结的延伸区域相间，构成栅栏状结构。本发明可以将光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均高效率地转换成电能，加之其吸收光谱宽、噪音低、开关速度快的特性，十分适合于在通信以及光电子对抗等诸多领域推广应用。
微型高效光谱换能器及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN97126412.0有效
发明人：西谷干彦;根上卓之;小原直树;和田隆博;桥本泰宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-10-15 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
太阳能电池及其制造方法