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[发明专利]具有选择前面场的后面结太阳能电池-CN201180051167.5无效
发明人：丹尼尔·迈耶;艾吉特·罗哈吉;维诺德·钱德拉塞卡朗;维杰·叶伦德;休伯特·P·戴维斯;本·达米亚尼 -专利权人：桑艾维公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池制造方法的一个实施方式包括：制造n-型硅基底和将n-型掺杂剂引入基底的一个或多个第一和第二区，使得第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度。基底可以经历一次高温退火循环，以形成选择前面场层。在一次退火循环中可以引入氧，以形成原位前面和后面钝化氧化层。在一次共烧操作中，可以进行前面和后面触点的烧透以及与连接的金属化。后面触点的烘烤可以在基底和后面触点的界面形成p+发射层，因此，在发射层和基底的界面形成p-n结。此外，本发明还公开了太阳能电池。
具有选择前面后面太阳能电池

[发明专利]用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结-CN201180050146.1在审
发明人： R·L·吴;D·C·罗;J·C·布瓦维尔 -专利权人：波音公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本发明公开了包括p-掺杂的AlGaInAs隧道层和n-掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。
用于太阳能电池 inp 晶格常数 ii 型高带隙隧道

[发明专利]正装三结级联太阳电池及其制备方法-CN201310093060.8有效
发明人：李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
正装三结级联太阳电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池-CN201110424624.2有效
发明人：金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，其包括：M个沿一直线连续并排且串联连接的P-N结单元、M-1个内电极、一第一收集电极以及一第二收集电极，其中M大于等于2，所述M个P-N结单元依次为第一个P-N结单元至第M个P-N结单元，每相邻两个P-N结单元之间设置有一内电极，所述第一收集电极及第二收集电极分离设置于串联连接的所述M个P-N结单元的外侧，所述M-1个内电极中至少一个内电极包括一碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列包括大致平行的多个碳纳米管，该多个碳纳米管的两端分别连接于相邻的两个P-N结单元，所述太阳能电池具有一受光端面，该受光端面平行于所述直线。本发明提供的太阳能电池具有较高的光电转换效率。
太阳能电池

[发明专利]利用太阳能电池产生电力的方法-CN201180049688.7无效
发明人：松下明生;伊藤彰宏;中川彻;石田秀俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：一种利用太阳能电池产生电力的方法，具有下面的工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极，Z方向为上述p型GaAs层的法线方向，X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部，n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组（I）。工序（b）以满足以下不等式（II）的方式经由聚光透镜，使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域（S），在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
利用太阳能电池产生电力方法

[发明专利]三结太阳电池及其制备方法-CN201310114714.0有效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种三结太阳电池的制备方法，包括步骤：1）在GaAs衬底上依次生长InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，采用正装生长方法生长、制备工艺简单，提高了电池效率。
太阳电池及其制备方法

[发明专利]正装三结级联太阳电池及其制备方法-CN201310114384.5有效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种正装三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了正装三结级联太阳电池的制备方法，包括步骤：1）在GaAs衬底上依次生长GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，采用正装生长方法生长、制备工艺简单，提高了电池效率。
正装三结级联太阳电池及其制备方法

[发明专利]垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法-CN201310084674.X有效
发明人：张保平;蔡晓梅;张江勇;余健;王宇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n-GaN表面；制作器件台面；制作栅状n-GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。
垂直结构 ingan 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]倒装四结太阳电池及其制备方法-CN201310093058.0有效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
倒装太阳电池及其制备方法

[发明专利]三结级联太阳电池及其制备方法-CN201310082858.2有效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaAs顶电池，所述AlGaAs顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，制备工艺简单。带隙组合为~1.93eV、~1.39eV、~0.94eV，具有较高的开路电压，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。采用正装生长方法生长，避免了倒置生长电池结构需要先与其它支撑衬底材料键合再去除GaAs衬底的复杂工艺，降低了电池的制作难度。
级联太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法-CN201310044914.3有效
发明人：张铭;王涛;严辉;沈华龙;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括：玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层，在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺，在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间，经过450-500℃退火处理1-5小时，硅层和铝层位置会发生互换，同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅，继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度，大幅节约原料成本。
一种诱导多晶薄膜太阳能电池制备方法

[实用新型]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池-CN201220507911.X有效
发明人：高艳涛;姜庆堂;邢国强;陶龙忠;张斌;何恬 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，所述电池从上而下依次为：电池的正极、透明导电电极、非晶硅P层、非晶硅本征层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电电极、电池的负极；该电池充分的利用了太阳的光谱，并具有双面发电的优势，本实用新型最大限度的提高晶体硅的有效少子寿命；提高电池的转化效率；再则，整个制造过程采用薄膜电池的制备工艺和设备，制造成本较低。
一种晶体非晶硅双节双面电池

[实用新型]多晶硅薄膜太阳能电池-CN201220678516.8有效
发明人：杨瑞鹏;连春元;于奎龙;沈伟妙;丁鹏;赵燕萍 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜太阳能电池，所述多晶硅薄膜太阳能电池包括：基板；位于所述基板表面的第一电极层；位于所述第一电极层表面的第一掺杂类型多晶硅层；位于所述第一掺杂类型多晶硅层表面的第二掺杂类型多晶硅层；位于所述第二掺杂类型多晶硅层表面的应力层，所述应力层的应力类型与所述第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述应力层表面的第二电极层。所述多晶硅薄膜太阳能电池能够有效提高太阳能的转换效率。
多晶薄膜太阳能电池

[实用新型]单晶硅太阳能电池-CN201220678043.1有效
发明人：杨瑞鹏;连春元;于奎龙;沈伟妙;丁鹏;赵燕萍 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池，所述单晶硅太阳能电池包括：第一掺杂类型单晶硅层和位于所述第一掺杂类型单晶硅层上表面的第二掺杂类型单晶硅层；位于所述第二掺杂类型单晶硅层的表面的第一应力层，所述第一应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述第一应力层表面的第一电极；位于第一掺杂类型单晶硅层下表面的第二电极。所述单晶硅太阳能电池能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。
单晶硅太阳能电池

[发明专利]光电转换元件及太阳能电池-CN201210595830.4有效
发明人：芝崎聪一郎;山崎六月;平贺广贵;中川直之;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性，所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素，0.03≤x≤0.4，0.005≤y≤0.2，0.4≤α≤0.9，0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。
光电转换元件太阳能电池