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[发明专利]光伏装置及其制造方法-CN201380051189.0有效
发明人：增田泰造;奥村健一;近藤高志;松下智纪 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明的主要目的在于提供一种光伏装置及其制造方法，能够降低有害性且提高效率、且使用了化合物半导体。本发明的光伏装置具有：含有化合物半导体的光电变换层、层叠在该光电变换层的表面的半导体层、配置在该半导体层的与光电变换层相反侧的接触层、层叠在该接触层的表面的电极，半导体层含有包含Al、In、P的第一晶体，接触层含有以Ge为主要成分的第二晶体，该光伏装置制造方法包括：在基板上气相生长含有化合物半导体的光电变换层的工序；在形成的光电变换层的表面气相生长具有含有Al、In、P的第一晶体的半导体层的工序；在形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序；在形成的接触层的表面形成电极的工序。
装置及其制造方法

[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法-CN201510092999.1在审
发明人：安俊勇;郭桂荣;郑柱和 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法-CN201380047351.1无效
发明人：山元良高;小出直城 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电转换元件和该光电转换元件的制造方法，包括设置在半导体基板的一个表面的整个面的i型非单晶膜，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。
光电转换元件以及制造方法

[实用新型]一种双面生长的GaAs四结太阳电池-CN201420746164.4有效
发明人：张小宾;王雷;陈丙振;潘旭;张露;张杨;杨翠柏 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面生长的GaAs四结太阳电池，包括GaAs衬底，其中，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底的上表面设置有GaInP子电池、GaAs子电池、GaInNAs子电池和GaAs缓冲层，在所述GaAs衬底的下表面设置有Ga_xIn_1-xP渐变层和Ga_xIn_1-xAs子电池，所述GaInP子电池和GaAs子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs子电池与GaInNAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInNAs子电池与GaAs缓冲层之间通过第一隧道结连接。本实用新型可以更加充分地利用太阳光能量，提高GaAs多结电池的光电转换效率。
一种双面生长 gaas 太阳电池

[发明专利]具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法-CN201410647780.9在审
发明人：舒斌;张鹤鸣;魏璇;陈景明;宣荣喜;胡辉勇;宋建军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法，从下往上依次包括氮化硅薄膜，玻璃层4；透明导电薄膜，P型重掺杂微晶Si薄膜，P型重掺杂氢化单晶碳化硅缓冲层，P型轻掺杂氢化非晶硅，本征氢化非晶硅锗薄膜，n型氢化非晶硅薄膜，背面的透明导电薄膜和铝衬底，所述氮化硅薄膜上设有正电极，所述铝衬底下端设有负电极。本发明加入双层氮化硅(SiN)结构，从而提高了减反射效果，使得太阳电池对入射光的吸收增强，有利于提高太阳电池的光电转换效率；本征层采用氢化非晶硅锗材料，其中锗组分在本征层是渐变的，拓宽了光谱响应范围，增加了电池对太阳光的吸收，从而增加了太阳电池的光电转换效率。
具有渐变组分非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]具有含宽带隙半导体材料的发射极区域的太阳能电池-CN201280071731.4有效
发明人：理查德·M·斯万森;马里乌斯·M·布内亚;大卫·D·史密斯;沈于甄;彼得·J·卡曾斯;蒂姆·丹尼斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明描述了具有由宽带隙半导体材料构成的发射极区域的太阳能电池。在一个实例中，一种方法包括在具有受控气氛的处理设备中，在所述太阳能电池的半导体基板的表面上形成薄电介质层。所述半导体基板具有带隙。在不将所述半导体基板从所述处理设备的受控气氛中移除的情况下，在所述薄电介质层上形成半导体层。所述半导体层具有比所述半导体基板的带隙高至少约0.2电子伏特(eV)的带隙。
具有宽带半导体材料发射极区域太阳能电池

[发明专利]点接触太阳能电池用的改良掺杂图案-CN201380033059.4无效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;约翰·W·奎夫 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-05-01 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明揭示对太阳能电池，尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程，来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
点接触太阳能电池改良掺杂图案

[实用新型]一种PERC太阳能电池-CN201420600172.8有效
发明人：吴坚;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PERC太阳能电池，包括具有PN结的硅片层，以及依次设于硅片层背面的钝化层、氮化硅薄膜层和铝金属层；所述硅片层和钝化层之间设有锗硅合金层；所述锗硅合金层的厚度为1~50微米。本实用新型通过在硅片层和钝化层之间设有锗硅合金层，拓宽了局部背钝化电池的光吸收波长范围，进一步提高局部背钝化电池的转换效率。
一种 perc 太阳能电池

[发明专利]一种基于石墨烯和硒化镉纳米结构的叠层太阳能电池及其制备方法-CN201410609449.8无效
发明人：罗云荣;伍德亮;李春龙;陈冬妮 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯和硒化镉纳米结构的叠层太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的结构从上到下依次为金属上电极1、宽带隙石墨烯叠层2、硒化镉纳米叠层3、窄带隙石墨烯叠层4、金属下电极5。本发明的优点在于：以不同带宽的石墨烯叠层和硒化镉叠层相结合，达到对太阳光的全面吸收，并充分发挥石墨烯优越的导电性能，最终实现提高太阳能电池光电转换效率的目的。
一种基于石墨硒化镉纳米结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池-CN201310335019.7在审
发明人：张启明;王帅;高鹏;吴艳梅;刘如彬;孙强;肖志斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、In_xGa_1-xN第一电池和In_yGa_1-yN第二电池；所述底电池的p-Si层上面至第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，第一电池和第二电池之间有隧道结，其特点是：所述底电池衬底下面制有负电极；第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。本发明由于在底电池衬底下面直接蒸镀负电极，简化了工艺，降低了成本，还可当做反射镜使用，充分利用了太阳光谱、电池总转换效率可达40%以上；通过蒸镀半透明电流扩展层，加强了正电极对载流子的收集，提高了电池的抗辐射能力，延长了电池的使用寿命。
电池生长氮镓铟系太阳能电池

[发明专利]耐辐射倒置变质多结太阳能电池-CN201310544913.5在审
发明人：普拉温·帕特尔;本杰明·邱 -专利权人：安科太阳能公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于空间辐射环境的多结太阳能电池，所述多结太阳能电池具有以减小带隙的次序布置的多个太阳能子电池，所述多个太阳能子电池包含：第一太阳能子电池，其由InGaP构成且具有第一带隙，所述第一太阳能子电池具有与其相关联的第一短路电流；第二太阳能子电池，其由GaAs构成且具有小于所述第一带隙的第二带隙，所述第二太阳能子电池具有与其相关联的第二短路电流；其中在寿命开始状态中，所述第一短路电流小于所述第二短路电流使得AM0转换效率为次优的。然而，在寿命结束状态中，所述短路电流大致匹配，此产生经改进的AM0转换效率。
辐射倒置变质太阳能电池

[实用新型]一种N型PERC晶体硅太阳能电池-CN201420527210.1有效
发明人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池，以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体，为依次叠层的正面银铝电极、减反膜、硼扩散层、N型硅基体、氧化铝钝化膜和蒸镀铝层结构，所述减反膜由氧化铝和氮化硅叠层形成，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵形图形，所述蒸镀铝层透过氧化铝钝化膜上的图形与N型硅基体局域接触。本实用新型通过在电池背面设有钝化膜，有效增加对长波光的吸收，对未来薄片电池提供了技术保证。
一种 perc 晶体太阳能电池

[实用新型]一种背钝化PERC晶体硅太阳能电池-CN201420521233.1有效
发明人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 -专利权人：合肥海润光伏科技有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背钝化PERC晶体硅太阳能电池，为依次叠加的正面银电极、减反膜、磷扩散层、P型硅基体、钝化浆料层和铝印刷层结构，所述钝化浆料层的钝化浆料包含氧化硅颗粒，该钝化浆料印刷在所述P型硅基体的背面，与P型硅基体形成点欧姆接触：本实用新型的背钝化PERC晶体硅太阳能电池的生产避免了采用真空沉积设备和激光设备。
一种钝化 perc 晶体太阳能电池

[发明专利]一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201410467137.8无效
发明人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法，以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散P性发射结并设有丝网印刷的银铝电极，背面从上至下依次设有氧化铝钝化膜和蒸镀铝层，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层通过氧化铝钝化膜与硅基体局域接触。由于氧化铝钝化膜上的镂空，使得部分硅基极露出，该部分硅基体与蒸镀铝层局域接触。本发明通过采用将背钝化与金属化区域局域接触相结合，且巧妙利用氧化铝双面沉积，简化了背面再次沉积薄膜的步骤，同时背面氧化铝中的负固定电荷能在N型硅基体上诱导一层反型层，耗尽表面多数载流子达到良好的背表面钝化效果。具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益。
一种 perc 晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光电动势元件及其制造方法、太阳能电池模块-CN201280071065.4有效
发明人：松浦努;山林弘也;时冈秀忠 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。
电动势元件及其制造方法太阳能电池模块