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[发明专利]一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法-CN202210537360.X有效
发明人：孙建;王建明;舒华富;章康平;刘勇 -专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说，涉及一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。其包括以下步骤：取用6‑10重量份的碳、12‑15重量份的氯化氢、6‑10重量份的二氧化硅、1‑2重量份的扩散剂、6‑8重量份的硼、氮和磷混合料；加热二氧化硅并投入碳，使得硅被还原得到粗硅，投入氯化氢，对粗硅提纯得到精硅；对精硅沉积得到单质硅，使得单质硅熔融，投入扩散剂改变透光性，并投入硼、氮和磷，使得单质硅冷却凝固形成含有硼、氮和磷杂质的高纯度单晶硅；对单晶硅进行切片，将单晶硅切割成多个方片，并将多个方片叠加排版，焊接制作成串，并对其进行层压形成叠瓦片。本发明提出一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。
一种单晶硅基底太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种TOPCon太阳能电池-CN202321637459.3有效
发明人：沈健;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TOPCon太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面依次向上设置有硼发射极层、第一钝化膜层、第二钝化膜层和正面金属电极，所述硅基体的背面依次向下设置有隧穿氧化层、掺杂层、第二钝化膜层及背面金属电极。本实用新型的一种TOPCon太阳能电池，通过在硅基体的正背面均设置第二钝化膜层，以代替传统的氮化硅膜层，能够有效降低横向传输电阻；此外，使用掺杂层代替传统的多晶硅层，由于掺杂层具有较宽的能带间隙，有利于提高载流子收集的选择性，减少电池背面光的寄生吸收损失，提高电池的光学性能，增强载流子传输，从而有效地提高电池背面的钝化质量。
一种 topcon 太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202011555985.6有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括：第一子电池和第二子电池，以及设置在第一子电池和第二子电池之间的隧穿复合结；隧穿复合结包括第一准金属层和第二准金属层，第一准金属层和第二准金属层具有不同的载流子选择性。本申请中，第一准金属层和第二准金属层具有不同的载流子选择性，使得在第一子电池第二子电池中产生的载流子，在与隧穿复合结接触的表面上的复合率降低，并确保在该表面上载流子被有效地提取，使得第一子电池和第二子电池能很好地电连接，形成转化效率较高的叠层电池；同时，准金属材料具有优异的导电性和热稳定性，减小了子电池之间的电阻损耗，提高了叠层太阳能电池的转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]一种带有翘曲控制层的反向生长三结太阳电池-CN202310979880.0在审
发明人：刘如彬;郭宏亮;张启明;张恒;姚立勇;薛超;杨亦桐;黄洪昌 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有翘曲控制层的反向生长三结太阳电池，属于太阳能电池技术领域，在反向三结电池的底部生长翘曲控制层用于进行应力补偿。在反向三结电池后端增加翘曲控制层，为AlaGabIncAs，(a+b+c＝1)。其中In的组分c从初始层至目标渐变层从x渐变到y，yx。使用p型掺杂剂，掺杂浓度为1×1017‑1×1019cm‑3，厚度范围为1000‑5000nm。通过上述结构，可以降低电池的翘曲、提高器件工艺成品率。
一种带有控制反向生长太阳电池

[发明专利]一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法-CN202310887359.4在审
发明人：毛卫平;陈桂栋;金竹;周晓炜;邓日尧;杨阳;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法，属于钝化接触电池领域，以第一导电类型晶体硅为基底，正面设置正面隧穿介质层、第一导电类型掺杂多晶硅层、正面减反射层、正面金属电极；背面设置背面隧穿介质层、第二导电类型掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极；正面金属电极穿透正面减反射层，并通过正面金属接触层与第一导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触；背面金属电极穿透背面减反射层，并通过背面金属接触层与第二导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触。本发明的有益效果是：正背面采用掺杂多晶硅钝化接触，避免TOPCon电池正面金属电极与发射极掺杂层直接接触导致的金属接触复合，提升了电池开路电压和转换效率。
一种双面掺杂多晶钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法-CN202111211724.7有效
发明人：王智勇;黄瑞;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Si层和n‑GaAs层；n‑Si层的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层，p+‑Si层上依次形成有Si氧化物层和第一隧道结；n‑GaAs层的上下表面分别掺杂形成p+‑GaAs层和n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上形成有GaAs氧化物层，GaAs氧化物层键合在第一隧道结上；在p+‑GaAs层、n‑GaAs层、n+‑GaAs层、GaAs氧化物层、第一隧道结和Si氧化物层刻蚀形成有导电沟槽，导电沟槽内填充有导电材料填充物；p+‑GaAs层和n+‑Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。本发明通过刻蚀出导电沟道实现电池内部电子的有效输运，提高电池内部的电学特性，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率。
一种双面 si gaas 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法-CN202310723906.5在审
发明人：丁建宁;李绿洲;王芹芹;董旭 -专利权人：扬州大学;扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明属于太阳能晶硅电池领域，尤其涉及一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法。本发明在电池正面分别采用掺镓Poly Si层与掺硼Poly Si层应用于底层钝化与finger金属接触，可在提高Poly Si在绒面的钝化效果的同时实现良好的金属接触，同时满足钝化与接触需求。在此基础上，通过在正面表面形成图形化掩膜并反刻处理，在电池正面的金属遮蔽区采用厚Poly作为finger，而非金属遮蔽区采用薄Poly，较现有技术中正面整面Poly寄生吸收明显下降，电池Jsc得到保持。与现有技术相比，本发明中高硼掺杂保证了电极接触效果，带来更高的FF优势；提高了电池的光电能量转换效率。
一种基于 poly finger 钝化接触结构及其制备方法

[发明专利]一种高效、低寄生吸收n型TOPCon电池及其制备方法-CN202310947944.9在审
发明人：郭小飞;付少剑;张明明;范洵;郭世成;戴欣欣 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种高效、低寄生吸收n型TOPCon电池及其制备方法，包括以下步骤：(1)双面制绒；(2)硼扩散；(3)去BSG及背面刻蚀；(4)背面生长隧穿氧化层及多晶硅层；(5)磷扩散；(6)正面刻蚀；(7)镀膜及印刷。本发明对制绒工艺、减反膜种类及其厚度、掺杂浓度等进行选择和优化，使得太阳能电池片的光电转化效率得到改善，最高可达25.376％，明显优于常规的TOPCon电池；本发明对制绒工艺进行改进，通过循环流动的酸性蒸汽不断地与硅片接触腐蚀，保证与硅片反应点位的同时且充分接触，使得生成的腐蚀坑尺寸较小且更加细密均匀，从而降低了光的反射率，对提高电池光电转换效率起到积极作用。
一种高效寄生吸收 topcon 电池及其制备方法

[实用新型]背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统-CN202320570099.3有效
发明人：王永谦;刘生璞;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面的第二区域处形成有凹槽，在凹槽的预设位置处，第一掺杂层包括位于第一区域的第一部分和伸出至凹槽上方的第二部分，在预设位置处，第二掺杂层覆盖凹槽的底面和侧面且包饶第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。如此，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域所产生的边缘复合的影响范围较窄，可有效的提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，提升修复效率和效果。
接触太阳能电池电池组件系统

[发明专利]一种新型TOPCon电池结构及其制备工艺-CN202310627201.3在审
发明人：丰平;李强强;陈兆民 -专利权人：中润新能源（滁州）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型TOPCon电池结构及其制备工艺，关于电池技术领域，新型TOPCon电池结构包括基体，所述基体包括正面和背面，所述正面依次设置有第一氧化隧穿层、第一多晶硅层、第一氮化硅层和第一电极，所述背面依次设置有第二氧化隧穿层、第二多晶硅层、第二氮化硅层和第二电极，所述第一多晶硅层为N型多晶硅层，所述第二多晶硅层为P型多晶硅层，所述第一电极为银电极，第二电极为铝电极，基体为P型单晶硅基体，所述银电极的厚度为6～14μm，所述铝电极的厚度为6～30μm，所述银电极的宽度为15～35μm，所述铝电极的宽度为15～170μm。与现有技术相比，根据本发明的一种新型TOPCon电池结构及其制备工艺，能够大幅度降低TOPCon电池的生产成本，从而提升产品的竞争力。
一种新型 topcon 电池结构及其制备工艺

[发明专利]一种耐高温高湿的新型N-TOPCon电池及其制备方法-CN202310948422.0在审
发明人：张明明;付少剑;郭小飞;王方圆;鲁涛;王金凤;林中亚 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高温高湿的新型N‑TOPCon电池及其制备方法，涉及N‑TOPCon电池加工技术领域。所述新型N‑TOPCon电池为设置常规N‑TOPCon电池正面主栅区域无氧化硅/poly硅掩膜层，而其他区域均有氧化硅/poly硅掩膜层结构。本发明克服了现有技术的不足，在发射极金属化后，选择性的在发射电极上面形成一层高绝缘性的氧化硅或者poly硅掩膜层，即保证了发射极的接触性和抗水气及金属腐蚀能力，又保证了主栅区域的高拉力性，形成一个局部高抗pid等可靠性发射电极结构，能较大的提升组件在高温高湿下的环境下的使用寿命。
一种耐高温新型 topcon 电池及其制备方法

[实用新型]背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统-CN202320539422.0有效
发明人：王永谦;刘生璞;丁森;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面至少一个第二区域包括沟槽区域和非沟槽区域，非沟槽区域处形成有至少一个第一内陷区域，第一掺杂层设置在第一区域以及非沟槽区域中除第一内陷区域以外的区域上，第二掺杂层设于第一内陷区域表面，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的极性相反。如此，非沟槽区域上的第一掺杂层和非沟槽区域下方的第二掺杂层形成交叉，从而形成一个容易识别的定位识别点，提升了定位识别效果和准确性。通过在非沟槽区域形成第一内陷区域并在第一内陷区域处引入第一掺杂层和第二掺杂层之间的复合接触，可增强电注入效果，提高修复效率和效果。
接触太阳能电池电池组件系统

[实用新型]背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统-CN202320571219.1有效
发明人：王永谦;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，背接触太阳能电池的硅基底的背面的P型区域内沿P型区域的长度方向形成有若干内陷区域，若干内陷区域间隔设置；接触层可包括覆盖内陷区域表面的P型掺杂层和填充在内陷区域内的铝硅合金层。钝化膜层上与内陷区域对应的位置开设有开口，内陷区域的宽度大于开口的宽度且内陷区域在厚度方向上的正投影面积大于开口在厚度方向上的正投影面积。如此，P型区域上形成的内陷区域为相互间隔设置而并非连续形成，可以有效的降低掺杂区复合和扩展电阻损失，同时，在激光开槽形成开口时，开口的大小开设得较小，有效的减少激光损伤，有效地解决电阻与激光损伤的矛盾。
接触太阳能电池电池组件系统

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310402802.4在审
发明人：廖光明;王浩;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置在半导体衬底的第二表面的隧穿层、掺杂导电层和硅氧掺杂层，硅氧掺杂层对应于金属化区域，掺杂导电层的厚度为30nm～100nm；位于掺杂导电层表面的第二钝化层，第二钝化层覆盖硅氧掺杂层和非金属化区域的掺杂导电层；设置在半导体衬底的第一表面的第一钝化层，穿过第一钝化层与半导体衬底形成电连接的第一电极；穿过第二钝化层、硅氧掺杂层与掺杂导电层形成电连接的第二电极。本申请局域化硅氧掺杂层设计，能够减薄电池背面膜层的厚度，降低电池背面吸光效应的同时使得电池背面的复合电流密度较低，提升电池总体光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法-CN202310719206.9在审
发明人：丁建宁;王芹芹;李绿洲 -专利权人：扬州大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法。所述电池以N/P型单晶硅片作为基体，正面依次为隧穿层，重掺杂p++/n++纳米晶化合物层，轻掺杂p+/n+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，p++/n++finger；背面依次为隧穿层，重掺杂n++/p++纳米晶化合物层，轻掺杂n+/p+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，n++/p++finger。本发明制备双面发电的高效选择性发射极晶硅电池，一方面形成正背面的全钝化接触层；可显著提升开路电压；另一方面形成选择性发射极，进一步降低了寄生光吸收。
一种双面发电高效选择性发射极电池及其制备方法

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