“H01L31/06”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果761个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]复合电极IBC电池-CN201521053988.4有效
发明人：李高非;王继磊;付少剑;黄金;张娟;白焱辉 -专利权人：晋能清洁能源科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池的制造技术，具体是一种复合电极IBC电池及其制作方法。本实用新型的复合电极IBC电池包括有电池硅片及结合在电池硅片表面的电极；所述电极包括有电镀或丝网印刷方式结合在电池硅片表面的电极金属层，以及焊接复合在电极金属层表面的焊带材料层。本实用新型采用性能和成本较高的电极金属层与硅片形成良好接触，但耗量较少，同时通过成本较低的焊带与第一层金属进行接触，并起到导电传输的作用，从而在保证电池性能的同时有效地降低了产品成本。
复合电极 ibc 电池

[发明专利]一种高效的太阳能电池片及其热处理工艺-CN201610093516.4在审
发明人：杨波;黄亚萍;颜培培;杨道祥 -专利权人：安徽旭能光伏电力有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效的太阳能电池片，包括氮化硅减反膜、N型重掺杂层、P型硅衬底层和背钝化层，所述N型重掺杂层和P型硅衬底层形成PN结，所述氮化硅减反膜设置在N型重掺杂层的上表面，所述背钝化层与P型硅衬底层之间设有氧化硅膜层，所述背钝化层的两侧对称镶嵌有背电极。本发明是一种高效的太阳能电池片，其在P型硅衬底层表面，利用POCl₃液态源扩散工艺制得厚度约为0.5um的N型重掺杂层，正电极可与N型重掺杂层形成良好的欧姆接触，用于收集光生电流,位于最上层的氮化硅减反膜起到钝化和减反射的作用,背钝化层与P型硅片接触，在烧结的过程中，形成良好的Al背场，降低背表面复合电流，增加开路电压。
一种高效太阳能电池及其热处理工艺

[发明专利]叠堆状的集成的多结太阳能电池-CN201510691354.X有效
发明人： W·古特;G·施特罗布尔;F·迪姆罗特;A·W·瓦尔克 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司;弗劳恩霍弗应用技术研究院
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：一种叠堆状的集成的多结太阳能电池，其包括：第一部分电池，其中所述第一部分电池具有层，所述层由具有第一晶格常数和第一带隙能量的InGaP化合物组成，第二部分电池，其中所述第二部分电池具有层，所述层由具有第二晶格常数和第二带隙能量的In_mP_n化合物组成，第三部分电池，其中，所述第三部分电池具有层，所述层由具有第三晶格常数和第三带隙能量的In_xGa_1-xAs_1-yP_y化合物组成，第四部分电池，其中，所述第四部分电池具有层，所述层由具有第四晶格常数和第四带隙能量的InGaAs化合物组成，其中对于所述带隙能量适用：Eg1>Eg2>Eg3>Eg4，并且在两个部分电池之间构造具有晶片键合的区域。
叠堆状集成太阳能电池

[发明专利]一种无Ag主栅线晶硅太阳能电池及其制作工艺-CN201511007850.5在审
发明人：陈金灯;董方;李虎明 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种无Ag主栅线晶硅太阳能电池及其制作工艺。它包括太阳能电池本体，所述的太阳能电池本体包括受光面和背光面，所述太阳能电池本体的受光面上设有若干受光面主栅线和若干受光面副栅线，所述的受光面主栅线与受光面副栅线之间相互垂直，所述太阳能电池本体的背光面上设有若干背光面主栅线，所述的受光面主栅线和背光面主栅线均采用第一导电焊带制作而成，所述的受光面副栅线为Ag副栅线。本发明的有益效果是：不仅大幅度降低Ag浆耗量，减小了成本，且减小了Ag与硅烧结面积，降低缺陷浓度，提升转换效率；可设计多条主栅，进一步提升电池转换效率；能够实现量产，生产成本低。
一种 ag 主栅线晶硅太阳能电池及其制作工艺

[发明专利]一种PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511022501.0在审
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金，形成良好的欧姆接触。
一种 perc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]InGaN/Ge四结太阳电池及制造工艺方法-CN201510926982.1在审
发明人：张启明;张恒;唐悦;刘如彬;高鹏;薛超;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN/Ge四结太阳电池及制造工艺方法，属于太阳能电池结构技术领域，其特征在于：所述InGaN/Ge四结太阳电池包括自下而上的：锗衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、第一隧道结、In_aGa_1-aN电池、第二隧道结、In_bGa_1-bN电池、第三隧道结、In_cGa_1-cN电池、帽层、以及半透明电流扩展层；通过采用上述技术方案，本发明采用正向结构的四结太阳能电池，缩短了工艺流程，易于制作；本结构的理论转换效率可达到55％以上，并可作为完整的电池直接应用；本发明将锗衬底作为底电池使用，有效的提升了太阳电池的性能。
ingan ge 太阳电池制造工艺方法

[发明专利]一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法-CN201510899866.5在审
发明人：刘丽蕊;薛超;石璘;张无迪;姜明序 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法，包括硅衬底；ODR全方位反射器，位于硅衬底之上，由低折射率的介质层和高反射率的金属层构成；太阳电池外延层；栅线及背电极。ODR全方位反射器可使透过电池基体的长波光子充分反射,增加电池对长波光的吸收,从而提高光的利用率，提高太阳电池的转换效率。
一种带有全方位反射倒装太阳电池及其制备方法

[发明专利]复合电极IBC电池及其制作方法-CN201510945392.3在审
发明人：李高非;王继磊;付少剑;黄金;张娟;白焱辉 -专利权人：晋能清洁能源科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池的制造技术，具体是一种复合电极IBC电池及其制作方法。本发明的复合电极IBC电池包括有电池硅片及结合在电池硅片表面的电极；所述电极包括有电镀或丝网印刷方式结合在电池硅片表面的电极金属层，以及焊接复合在电极金属层表面的焊带材料层。本发明采用性能和成本较高的电极金属层与硅片形成良好接触，但耗量较少，同时通过成本较低的焊带与第一层金属进行接触，并起到导电传输的作用，从而在保证电池性能的同时有效地降低了产品成本。
复合电极 ibc 电池及其制作方法

[发明专利]PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法-CN201510945459.3在审
发明人：黄金;李高非;王继磊;付少剑;张娟;白炎辉 -专利权人：晋能清洁能源科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池的制造技术，涉及一种PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法。该方法步骤如下：对单晶硅片进行常规的制绒、扩散、刻蚀槽去除边缘与背面的PN结、正面PECVD镀氮化硅膜工序后，利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅，然后经过碱槽进行背表面抛光处理；再通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜后，进行常规的激光开槽、丝网印刷正背面金属浆料、烧结工序，制得PERC电池片。本发明将碱抛光工艺整合到现有PERC电池生产工艺中，解决了目前碱抛光引进过程中生产工序复杂，可控性差及正面膜层绕镀导致背表面钝化效果不佳等问题，使得基于碱抛光的PERC电池生产能够较好地适应量产的要求。
perc 晶体太阳能电池生产中的抛光方法

[发明专利]一种铁电-半导体pn结型新型叠层太阳电池-CN201510790233.0在审
发明人：李雪冬;王雪敏;彭丽萍;熊政伟;吴卫东;唐永建 -专利权人：绵阳师范学院
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电-半导体pn结型新型叠层太阳电池，目的在于解决传统(pn)结型太阳电池的开路电压受到材料带隙的限制，会达到极限，而铁电光伏电池的短路电流(光伏电流)较小的问题。该叠层太阳电池包括金属电极、衬底pn结、无机铁电材料层、第二电极。本发明能克服现有传统(pn)结型太阳电池与铁电光伏电池所存在的缺陷，取长补短，将两者有机结合，提供一种铁电-半导体pn结型新型叠层太阳电池。本发明的太阳能电池不仅能提高太阳电池的光伏电压(开路电压)，而且能提高太阳电池的光伏电流(短路电流)，大幅提升太阳电池效率，具有显著的进步意义。
一种半导体 pn 新型太阳电池

[发明专利]一种基于GaSb的Ga_xIn_1-xSb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法-CN201510900948.7在审
发明人：张宝林;吕游;李国兴;徐佳新;徐德前 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种基于GaSb的Ga_xIn_1-xSb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为：上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Ga_x1In_1-x1Sb有源区、n型Ga_x2In_1-x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。本发明利用低压金属有机物化学气相外延(LP-MOCVD)技术，在n型GaSb衬底上制备结构为n型GaSb衬底/n⁺型GaSb背面电场层/n型Ga_x2In_1-x2Sb有源层/p型Ga_x1In_1-x1Sb有源层/p+型GaSb隧穿层/n+型GaSb隧穿层/n型GaSb有源层/p型GaSb有源层/p⁺型ZnS窗口层的基于GaSb的Ga_xIn_1-xSb/GaSb串联结构热光伏电池。
一种基于 gasb ga sub in sb 串联结构热光伏电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510445897.3有效
发明人：沈承焕;郑一炯;郑寅道;尹银彗 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法-CN201510095123.2在审
发明人：王子港;陈奕峰;崔艳峰 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，包括硅片，其特征在于：在所述硅片正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层，石墨烯导电层和低折射率氮化硅减反层。同时，本发明还公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法，包括如下步骤：选取硅片，进行制绒、扩散及后清洗；硅片正面沉积高折射率氮化硅钝化层，折射率为2.2～2.3，膜厚为1～10nm；在氮化硅上面旋涂石墨烯的分散液，后续烘干，形成石墨烯导电层，厚度为1～10nm；在石墨烯层上沉积低折射率氮化硅减反层，折射率为2.0～2.1，膜厚为60～80nm；完成背电极、背电场、正电极印刷、烘干烧结，形成电池。本发明的晶体硅太阳能电池具有良好的抗PID性能和较高的电池转换效率。
一种转化效率 pid 晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201510772304.4在审
发明人：陈阿青 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法。该电池从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N⁺掺杂层、背电极层；所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层；N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。该方法利用光刻等微加工工艺制备周期性有序倒置四棱台结构盲孔矩阵阵列；利用磁控溅射方法制备导电减反射层；丝网印刷技术制备日型前电极；这种电极的受光面是周期性有序的倒置四棱台结构的盲孔阵列，这种特殊阵列能够使得该电池吸收90﹪以上的可见光。
一种具有高效结构晶体太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池外延片-CN201520517528.6有效
发明人：黄添懋;杨晓杰;刘凤全;叶继春 -专利权人：苏州强明光电有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：一种太阳能电池外延片，该太阳能电池外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、组合牺牲层和太阳能电池层，组合牺牲层包括第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第三牺牲层紧贴太阳能电池层设置，第二牺牲层设置于第一牺牲层与第三牺牲层之间，且第二牺牲层的被腐蚀速度快于第一牺牲层和第三牺牲层的被腐蚀速度。解决了现有技术中利用外延剥离技术制作太阳能电池时较早被腐蚀的牺牲层部分对应的衬底和太阳能电池层因长时间与腐蚀液直接接触导致被缓慢腐蚀的技术问题。该外延片可以减少腐蚀液对衬底和太阳能电池层的损害，保证衬底的重复利用和太阳能电池产品的性能。
一种太阳能电池外延