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[发明专利]一种新型太阳能电池片-CN201210476596.3无效
发明人：楚海元;朱俊豪;张冬强 -专利权人：常州兆阳光能科技有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型太阳能电池片，包括：单晶硅片，所述单晶硅片含有P区，所述单晶硅片的上表面为N+区形成一个PN+结，所述单晶硅片顶部区域有金属电极，所述单晶硅片底部区域有金属底电极，所述金属电极和金属底电极分别与N+区和P区形成欧姆接触。通过上述方式，本发明提供的新型太阳能电池片，结构简单，使用安全方便，成本低，具有将光能转化为电能的功能。
一种新型太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201110276435.5无效
发明人：黄桂武;郭明锦;邱彦凯;蔡锦堂;陈添赐 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池，所述太阳能电池包含光电转换层、抗反射层以及多个导电通道。抗反射层位于光电转换层上。所述些导电通道形成在抗反射层上且电性连接至光电转换层，其中这些导电通道的材质包含导电胶及色料，使其外观颜色与抗反射层的颜色相同。
太阳能电池

[实用新型]一种倒置三结太阳能电池-CN201220399941.3有效
发明人：单智发;张永;蔡建九;方天足;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙；本实用新型有效提高太阳能电池的光电转换效率。
一种倒置太阳能电池

[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法-CN201210368965.7无效
发明人：高艳涛;姜庆堂;邢国强;陶龙忠;张斌;何恬 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法。本发明公开了一种环形正面电极，包括：主栅和细栅；所述细栅为一组以硅片中心为圆心的同心圆环；主栅为中间宽两头尖的针叶形；主栅将细栅等分。本发明根据扩散后硅片薄层电阻值的分布特点设计太阳能电池的正面电极，电性能、加宽了烧结窗口，降低了烧结不良的风险，使电池片功率的整体分布更高更集中，同时也进一步减少了银浆的使用量，降低了成本。
一种晶体非晶硅双节双面电池及其制造方法

[实用新型]晶体硅太阳能电池-CN201220208105.2有效
发明人：郭群超;庞宏杰;王凌云;柳琴;白晓宇;张愿成;张滢清 -专利权人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，它包括晶体硅片衬底，在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结，各PN结分别由P型层和N型层构成，在晶体硅片衬底的前表面顺序设有绒面和减反射层，在晶体硅片衬底的背表面设有金属电极和/或P+层。本实用新型的晶体硅太阳能电池可以有效减少入射光损失；降低电极电阻和接触电阻；有效的提高了太阳能电池的短路电流、开路电压和填充因子，提高了太阳能电池的转换效率；输出电压高，可用于特殊场合。
晶体太阳能电池

[发明专利]有源太阳能电池和制造方法-CN201210031673.4无效
发明人：米科·韦内宁 -专利权人：苏伊诺公司
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种有源太阳能电池和制造方法，用于提高太阳能电池效率。其中太阳能电池包括具有自然带隙NB(NB2、NB3、NB4、NB5、NB6、NB7)的半导体层。所述半导体层还具有至少一个电极，所述至少一个电极被设计为产生所述半导体层中的环境电压V(V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V(r))。因此，进入光子经历修改的NB-V＝B带隙(B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7)，该带隙这里被称作表观带隙。具有E＞B1的光子将被吸收到带隙B中，并且半导体价带中的电子将被激活到导带上，由此引起光电流。根据本发明，调整表观带隙B的能力提供了优化进入光子收集的巨大力量。
有源太阳能电池制造方法

[发明专利]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池-CN201110173366.5无效
发明人：倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm*125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本发明提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249534.9有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。
gainp gaas inganas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249532.X有效
发明人：李奎龙;董建荣;赵勇明;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层、GaAs接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池和Ge或InGaAs的键合层；3)提供一支撑衬底；4)将支撑衬底键合至Ge或InGaAs的键合层表面；5）从GaAs接触层处将GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层。
倒装 gainp gaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法-CN201210283318.6有效
发明人：陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
具有两结锗子电池太阳能电池及其制备方法

[发明专利]GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249553.1有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)GaAs或Ge的接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge衬底层；2）在Ge衬底层表面生长第一Ge子电池；3）在第一Ge子电池表面生长第一隧穿结；4）在第一隧穿结表面生长第二Ge子电池；5）在第二Ge子电池表面生长第二隧穿结；6）在第二隧穿结表面生长GaAs子电池；7）在GaAs子电池表面生长第三隧穿结；8）在第三隧穿结表面生长GaInP子电池；9）在GaInP子电池表面生长接触层。
gainp gaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池及其制备方法-CN201210249554.6有效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底上依次设置的第二接触层、Ge子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、GaInP子电池和第一接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底表面依次生长AlGaAs的牺牲层、第一接触层、GaInP子电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、Ge子电池及第二接触层；3）提供一支撑衬底；4）将支撑衬底键合至第二接触层表面；5）从第一接触层处将GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层。
gainp gaas ge 级联太阳能电池及其制备方法

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249552.7无效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种采用晶格异变技术的GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，包括Ge子电池，以及在Ge子电池上依次设置的InGaAs或GaInP的缓冲层、第一隧道结、第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二隧道结、第二渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种该电池制备方法，包括步骤：提供一Ge子电池；在Ge子电池表面生长InGaAs或GaInP的缓冲层；在InGaAs或GaInP的缓冲层表面生长第一隧道结；在第一隧道结表面生长第一渐变过渡层；在第一渐变过渡层表面生长InGaAs子电池；在InGaAs子电池表面生长第二隧道结；在第二隧道结表面生长第二渐变过渡层；在第二隧道结表面生长GaAs子电池；在GaAs子电池表面生长第三隧道结；在第三隧道结表面生长GaInP子电池；在GaInP子电池表面生长GaAs接触层。
gainp gaas ingaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种倒置三结太阳能电池及其制造方法-CN201210287070.0无效
发明人：单智发;张永;蔡建九;方天足;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，其特征在于：在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙；本发明还提供上述倒置三结太阳能电池的生产方法；本发明有效提高太阳能电池的光电转换效率。
一种倒置太阳能电池及其制造方法

[发明专利]InGaN/Si双结太阳能电池-CN201210246805.5有效
发明人：张启明;王帅;高鹏;王保民;刘如彬;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
ingan si 太阳能电池