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[发明专利]三结级联太阳电池及其制作方法-CN201310175899.6在审
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种SiGe支撑三结级联太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，突破了晶格常数的限制，通过采用GeSi合金作为1.0eV子电池与支撑衬底，在GeSi合金表面键合薄层GaAs作为生长GaInP和GaAs子电池的衬底，然后生长GaAs与GaInP子电池，实现带隙分别为1.89/1.42/1.0eV的三结太阳电池。本发明提出的三结太阳电池，不但减少GaAs衬底的消耗，同时还有效解决了生长三结级联太阳电池材料的晶格失配问题，可获得比GaInP/GaAs/Ge三结电池高的开路电压，有利于转换效率的提高。
级联太阳电池及其制作方法

[发明专利]四结太阳能电池-CN201410396263.9无效
发明人：宋明辉;林桂江;陈文浚;毕京锋;李森林 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种四结太阳能电池，具体为首先在一InP衬底上依次形成晶格匹配的第一子电池和第二子电池；在第二子电池上形成一材料过渡层，其中材料过渡层由一Ge低温成核层、一Ge缓冲层和第二缓冲层组成；在材料过渡层上依次形成与材料过渡层晶格匹配的第三子电池和第四子电池。本发明所涉及的四结太阳能电池具有良好的晶体质量，匹配的带隙组合，较高的转化效率等优点。
太阳能电池

[发明专利]用于背面钝化的图案化的铝背触点-CN201380009756.6无效
发明人： D·坦纳;P·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般涉及具有减少的载子复合的太阳能电池，以及用于形成所述太阳能电池的方法。所述太阳能电池具有共晶局部触点和钝化层，所述共晶局部触点和钝化层通过促进背面电场(back surface field；BSF)的形成来减少复合。在所述钝化层上设置图案化的铝背触点，以用于去除来自所述太阳能电池的电流。所述图案化的背触点通过使用比完整表面的背触点更少的材料来减少所述太阳能电池的每瓦特成本。所述形成所述太阳能电池的方法包括：在太阳能电池的背面上沉积包括氧化铝和氮化硅的钝化层，以及随后形成穿过所述钝化层的开口。图案化的铝背触点设置在所述钝化层上所述空穴的上方，并且经热处理以在所述开口内形成硅铝共晶体。
用于背面钝化图案触点

[发明专利]一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法-CN201410179240.2有效
发明人：贾河顺;姜言森;方亮;刘兴村;任现坤;张春艳;马继磊 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法。N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。本发明可以兼容传统晶硅生产线，可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产，相对于传统晶硅太阳电池，避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，降低金属电极的使用量，提高了太阳电池的效率；并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池，不但制备工艺简单，设备成本也很低。
一种衬底背面接触太阳电池结构制备方法

[实用新型]双硅片叠层太阳能电池-CN201320838091.7有效
发明人：宋逸 -专利权人：上海陆亿新能源有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种双硅片叠层太阳能电池，包括串联叠加的两片多晶硅或单晶硅PN结层，上层多晶硅或单晶硅PN结层的上面设有顶层电极层，下面设有连接层；下层多晶硅或单晶硅PN结层的下面设有底层电极层，上面设有连接层；两片多晶硅或单晶硅PN结层通过各自的连接层串联叠加。本实用新型比普通单片PN结单晶硅或多晶硅电池，转换效率增加50～70％以上，实际每瓦成本略增，但单位面积效能大幅增加。
硅片太阳能电池

[发明专利]光电转换元件及太阳能电池-CN201280056585.8无效
发明人：平贺广贵;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：根据实施方式，可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体，所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素，且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60～2.83的元素。
光电转换元件太阳能电池

[发明专利]光伏器件-CN201280044231.1有效
发明人：黄强 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：提供了性能改善的诸如太阳能电池的光伏器件。在一个实施例中，所述光伏器件包括位于半导体衬底的正侧表面的暴露部分上的多金属半导体合金层。所述多金属半导体合金层包括与半导体材料形成合金的至少一种第一元素金属、以及不同于所述第一元素金属并且在与第一元素金属相同的温度下不与半导体材料形成合金的至少一种第二元素金属。所述光伏器件还包括位于所述多金属半导体合金层顶上的含铜层。
器件

[发明专利]碲化镉和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的增效技术-CN201310180459.X无效
发明人：范强;张为 -专利权人：范强
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：碲化镉和铜铟镓硒电池具有类似的前几层结构，从太阳光入射光方向，其上面三层包括光伏玻璃衬顶(1)、透明导电薄膜TCO(2)、硫化镉CdS窗口层(3)，本发明的特征在于玻璃衬顶掺有稀土元素，四周边缘镀有反射膜。本发明采用稀土掺杂玻璃衬顶替代普通超白玻璃衬顶，该掺杂稀土玻璃衬顶具有下转换功能，把太阳光谱中300nm～450nm波段的光谱转换成可见光，克服了透明导电膜TCO(2)和硫化镉CdS窗口层(3)对这部分短波的无效吸收，使碲化镉电池吸收层CdTe或铜铟镓硒电池的吸收层CIGS更加有效地吸收这部分光谱，改善了电池的短波响应，从而达到增加光电流，提高电池光电转换效率的目的。
碲化镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池增效技术

[实用新型]一种柔性多结GaAs太阳电池-CN201320649984.7有效
发明人：李俊承;杨凯;白继峰;许杰林;吴洪清;张永;蔡建九;方天足;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：一种柔性多结GaAs太阳电池，属于半导体材料技术领域，包括柔性衬底、上电极、下电极和由底电池、中电池、顶电池构成的电池外延结构，所述柔性衬底设置在电池外延结构的底电池背面，所述下电极设置在柔性衬底的另一面，在电池外延结构的顶电池上面设置两个上电极，在所述两个上电极之间设置减反射膜。本实用新型具有一定的柔韧性，能够更好的节省空间。使用一种方法，在柔性衬底上制作出图形，并且通过金属使整个电池结构上下导通，在保持柔性的基础上可以直接应用于目前成熟的封装技术，并且适用于不同形状的组件。
一种柔性 gaas 太阳电池

[发明专利]用于制造太阳能电池的方法以及太阳能电池-CN201280037938.X无效
发明人：延斯·迪尔克·莫施纳;伊冯娜·加森鲍尔;阿加塔·拉霍维奇;马库斯·菲德勒;加布里埃莱·布伦丁;卡塔琳娜·德雷斯勒 -专利权人：肖特太阳能控股公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法和一种这样的太阳能电池。该太阳能电池包括硅基板，硅基板带有面向辐射的正面和背面、沿着背面伸展的第一介电层、沿着第一介电层的背离基板的侧面伸展的第二介电层，第二介电层由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅的组中的一种材料制成，以及沿着第二介电层的背离基板的侧面延伸的金属层。为了能够能够重现地以少的过程步骤来制造带有特别高的效率的太阳能电池，提出了，基板的背面具有在60°入射角的情况下的在80GU以下的光泽度并且第一介电层含有位置固定的负电荷。
用于制造太阳能电池方法以及

[发明专利]具有用于集中光伏应用的铜格栅的隧道结太阳能电池-CN201280033886.9有效
发明人：傅建明;徐征;J·B·亨格;游晨涛 -专利权人：喜瑞能源公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明的一个实施例提供光伏模块。光伏模块包括光学集中器和隧道结太阳能电池。隧道结太阳能电池包括基底层、位于基底层上方的量子隧道势垒（QTB）层、发射极层、前侧电极以及背侧电极。
具有用于集中应用格栅隧道太阳能电池

[发明专利]多晶硅射极太阳电池用的图案化掺杂-CN201280028995.1无效
发明人：约翰·W·葛拉夫 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制造多晶硅太阳能电池的改善的方法。为了形成具有p型区和n型区的多晶硅层，所述层在存在一种类型的掺杂物的情况下生长。在形成已掺杂的多晶硅层之后，选择性地将具有相反掺杂物导电性的离子植入所述多晶硅层的部分中。此选择性植入可使用荫罩幕来执行。
多晶硅射极太阳电池图案掺杂

[发明专利]一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法-CN201310495976.6有效
发明人：李俊承;杨凯;白继峰;许杰林;吴洪清;张永;蔡建九;方天足;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法，属于半导体材料技术领域，先分别准备柔性衬底和同样键合金属的由底电池、中电池和顶电池构成的电池外延结构，并在顶电池外侧制作第一电池衬底；然后在电池外延结构的底电池背部，依次通过蒸镀Ti、Pt和Au层，将电池外延结构与布满整个聚酰亚胺涂层外表面的金属层键合；再在键合后的金属层表面沉积Si3N4，再采用碱性腐蚀液去除电池外延结构上的第一电池衬底；在电池外延结构的顶电池上完成两个上电极和减反射膜的制作；最后将制成的芯片采用光刻胶在第二衬底上粘结Si片，然后再以碱性腐蚀液去除第二衬底。制成器件整体为柔性的，可以在不同形状的表面进行应用，不易破碎。
一种柔性 gaas 太阳电池及其制备方法

[发明专利]高效非微叠层太阳能电池-CN201210278078.0无效
发明人：王华磊;邱骏;胡居涛 -专利权人：江苏武进汉能光伏有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效非微叠层太阳能电池，具有背电极、底电池、顶电池、透明导电层和基板；所述背电极、底电池、顶电池、透明导电层依次层叠；所述底电池为微晶硅电池，底电池具有依次层叠的底电池n层、底电池吸收层和底电池p层；所述顶电池为非晶硅电池，顶电池具有依次层叠的顶电池n层、顶电池吸收层和顶电池p层。本发明提供了一种新的太阳能电池制造方法，可以通过增加光的吸收来提高电池的转化效率，降低微晶层厚度以缩短微晶硅层的沉积时间；同时较薄的微晶硅层还有利于获得纵向具有相近晶化率和晶粒尺寸的薄膜，从而进一步提高效率。
高效非微叠层太阳能电池

[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法-CN201210236070.8有效
发明人：谢伯宗;赖光杰;李可欣;黄世贤 -专利权人：茂迪股份有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种背接触式太阳能电池及其制造方法，该电池包括：一包括一第一面的基板，该第一面具有一第一区域、一第二区域以及一位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域，该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构。该电池还包括分别位于该第一区域与该第二区域的一第一掺杂区与一第二掺杂区，以及一位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元。该制造方法主要是通过两次的蚀刻步骤来形成该二阶阶梯结构，借此能使该电极单元的接触金属隔离制程易于进行，有助于减少制程步骤并使制程简单化。
接触太阳能电池及其制造方法