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[发明专利]微粒去除方法和基板处理方法-CN201711377005.6有效
发明人：佐藤润;米泽雅人;千叶贵司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。
微粒去除方法处理

[发明专利]成膜装置-CN201610689242.5有效
发明人： 米泽雅人;三浦繁博;赤间裕之;吉井弘治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，其中，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件，其用于测定被载置于所述旋转台的基板的温度；控制部件，其基于由所述第1温度测定部件测定的第1测定值和由所述第2温度测定部件测定的第2测定值中的至少任一者来对向所述加热部件供给的电力进行控制，所述控制部件在对所述基板进行预定的成膜处理的情况下和在相对于所述处理容器进行所述基板的输入或输出的情况下变更对向所述加热部件供给的电力进行控制的控制方法。
温度测定部件加热部件基板旋转台成膜处理成膜装置处理容器控制部件对向非接触型加热基板接触型上表面变更输出

[发明专利]太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法-CN201680087244.5在审
发明人：森川浩昭;米泽雅人;西村邦彦;太田成人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
太阳能电池单元半导体基板导电类型杂质区域栅格基板杂质浓度测定评价对象细长形状形状对应栅格电极杂质层

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201410635709.9有效
发明人：加藤寿;菊地宏之;米泽雅人;佐藤润;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。
处理装置方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201610982274.4在审
发明人： 米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201280075188.5有效
发明人： 米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。
太阳能电池制造方法

[发明专利]含硅薄膜的低温沉积-CN201310204535.6有效
发明人：杨柳;雷新建;韩冰;萧满超;E·J·卡瓦基;长谷部一秀;松永正信;米泽雅人;程寒松 -专利权人：气体产品与化学公司;东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
薄膜低温沉积

[发明专利]立式成膜装置及其使用方法-CN201010568506.4有效
发明人：松永正信;周保华;米泽雅人;长谷川雅之;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。
立式装置及其使用方法

[发明专利]含硅薄膜的低温沉积-CN200980120277.5有效
发明人：杨柳;雷新建;韩冰;萧满超;E·J·卡瓦基;长谷部一秀;松永正信;米泽雅人;程寒松 -专利权人：气体产品与化学公司;东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
薄膜低温沉积

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880128931.2有效
发明人： 米泽雅人;筈见公一;高见明宏;森川浩昭;西村邦彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。
电动势装置及其制造方法

[发明专利]基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序-CN200810167416.7有效
发明人：竹永裕一;山口达也;王文凌;高桥敏彦;米泽雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置-成膜量模型的存储部。根据上述配置-成膜量模型，通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内，当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。
处理系统装置控制方法程序

[发明专利]半导体膜、半导体器件和它们的生产方法-CN200610144562.9有效
发明人：浅见勇臣;一条充弘;铃木规悦;大沼英人;米泽雅人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×10²⁰/cm³－1×10²¹/cm³浓度的稀有气体元素，和1×10¹⁵/cm³－1×10¹⁷/cm³浓度的氟。
半导体半导体器件它们生产方法

[发明专利]半导体膜、半导体器件和它们的生产方法-CN02121623.1有效
发明人：浅见勇臣;一条充弘;铃木规悦;大沼英人;米泽雅人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。
半导体半导体器件它们生产方法

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