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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法-CN202310077425.1在审
发明人：郑柏贤;吴振诚;李资良;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及包括背面电源过孔的半导体器件及其形成方法。公开了形成过孔的方法和包括所述过孔的半导体器件，所述过孔用于将源极/漏极区耦合到半导体器件中的背面互连结构。在一个实施例中，半导体器件包括：导电特征，所述导电特征与栅极结构相邻；电介质层，所述电介质层在所述导电特征和所述栅极结构上；金属过孔，所述金属过孔嵌入在所述电介质层中；以及衬垫层，所述衬垫层在所述金属过孔和所述电介质层之间并且与所述金属过孔和所述电介质层接触，其中，所述衬垫层是氮化硼。
包括背面电源半导体器件及其形成方法

[发明专利]晶体管栅极隔离结构及其形成方法-CN202310059049.3在审
发明人：林立峰;林文凯;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管栅极隔离结构及其形成方法。提供了晶体管栅极隔离结构及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：隔离区域；第一栅极结构，位于所述隔离区域上；第二栅极结构，位于所述隔离区域上；以及栅极隔离结构，在第一截面中位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离结构的上部具有第一浓度的元素，所述栅极隔离结构的下部具有第二浓度的所述元素，所述第一浓度与所述第二浓度不同，所述下部沿着所述第一栅极结构的侧壁、在所述上部之下、以及沿着所述第二栅极结构的侧壁连续地延伸。
晶体管栅极隔离结构及其形成方法

[发明专利]外延下隔离结构-CN202310049311.6在审
发明人：孙志鸿;林文凯;张哲豪;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：实施例提供了在纳米FET晶体管器件的外延区域(例如，外延源极/漏极区域)之下的双层级沟槽隔离结构及其形成方法。第一层级提供具有低k值的隔离结构。第二层级提供的隔离结构具有比第一层隔离结构高的k值、更大的材料密度和更大的蚀刻抗性。
外延隔离结构

[发明专利]形成半导体装置结构的方法-CN202310115760.6在审
发明人：林文凯;张哲豪;刘又荣;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种形成半导体装置结构的方法。在一个实施例中，方法包括形成具有交替堆叠的第一半导体层与第二半导体层的鳍片结构，移除第二半导体层的边缘部分以在相邻第一半导体层之间形成空腔，在第一半导体层的侧壁上选择性地形成钝化层，在第二半导体层的侧壁上形成介电间隔物并填充于空腔中，其中钝化层暴露在外。方法亦包括移除钝化层，并形成磊晶源极/漏极特征，使得磊晶源极/漏极特征与第一半导体层及介电间隔物接触。
形成半导体装置结构方法

[发明专利]半导体器件中的隔离结构的轮廓控制-CN202210886433.6在审
发明人：李维晋;张哲豪;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件中的隔离结构的轮廓控制。公开了具有掺杂浅沟槽隔离(STI)结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成超晶格结构，在第一沉积工艺中围绕超晶格结构和鳍结构沉积氧化物衬垫，在氧化物衬垫上形成掺杂剂源衬垫，在与第一沉积工艺不同的第二沉积工艺中在掺杂剂源衬垫上沉积氧化物填充层，执行掺杂工艺以形成掺杂氧化物衬垫和掺杂氧化物填充层，从超晶格结构的侧壁去除掺杂氧化物衬垫、掺杂氧化物填充层和掺杂剂源衬垫的部分，以及在鳍结构上并围绕第一纳米结构化层形成栅极结构。
半导体器件中的隔离结构轮廓控制

[发明专利]用于晶体管的隔离结构-CN202210845784.2在审
发明人：郭玳榕;吴振诚;柯忠廷;林颂恩;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开总体涉及用于晶体管的隔离结构。根据本公开的半导体结构包括：基鳍，位于衬底之上；纳米结构的堆叠，直接设置在基鳍之上；栅极结构，围绕纳米结构的堆叠中的每一个；隔离特征，设置在衬底之上并与基鳍相邻；以及电介质鳍，直接设置在隔离特征上。电介质鳍包括底部、位于底部之上的中间层和位于中间层之上的顶层。底部包括外层和内层，内层通过外层与栅极结构和隔离特征间隔开。中间层与内层的顶表面和外层的顶表面直接接触。电介质鳍的顶层的介电常数大于中间层的介电常数。
用于晶体管隔离结构

[发明专利]晶体管隔离区域及其形成方法-CN202210800900.9在审
发明人：柯忠廷;郭玳榕;林颂恩;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一源极/漏极区域；第一绝缘鳍，位于所述第一源极/漏极区域之间，所述第一绝缘鳍包括第一下绝缘层和第一上绝缘层；第二源极/漏极区域；以及第二绝缘鳍，位于所述第二源极/漏极区域之间，所述第二绝缘鳍包括第二下绝缘层和第二上绝缘层，所述第一下绝缘层和所述第二下绝缘层包括相同的电介质材料，所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层包括不同的电介质材料。
晶体管隔离区域及其形成方法

[发明专利]纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法-CN202210507552.6在审
发明人：龙俊名;张哲豪;吴振诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请提供了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的鳍结构，其中该鳍结构包括鳍和位于鳍上方的层堆叠，该层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；在鳍结构中在第一伪栅极结构和第二伪栅极结构之间形成开口；通过执行注入工艺将鳍的暴露于开口的底部的上层转化为种子层；在开口的底部的种子层上方选择性地沉积电介质层；以及在第二半导体材料的被开口暴露的相对侧壁上选择性地生长源极/漏极材料。
纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]制造介电层的方法-CN201811185781.0在审
发明人：何宜臻;周友华;廖彦豪;张哲纶;吴振诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂。在第一介电膜以及第一成孔剂上形成第二介电膜。第二介电膜与第一介电膜以及第一成孔剂接触。移除第一成孔剂。
制造介电层方法

[发明专利]太阳能电池组件及太阳能电池模组-CN201510127683.1有效
发明人：苏资渊;张评款;吴振诚;黄明远 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能电池组件，包含一背接触式太阳能电池及一绝缘粘贴带。背接触式太阳能电池包含基板、第一导电型掺杂层、第二导电型掺杂层、第一电性接点及第二电性接点。第一导电型掺杂层设置于基板。第二导电型掺杂层设置于基板的并邻近于第一导电型掺杂层。第一电性接点连接第一导电型掺杂层，并与第二导电型掺杂层保持间距。第二电性接点连接第二导电型掺杂层，并与第一导电型掺杂层保持间距。绝缘粘贴带具有一穿孔。绝缘粘贴带贴附于基板，至少部分的绝缘粘贴带位于第一导电型掺杂层，且绝缘粘贴带的穿孔显露出第一电性接点或第二电性接点。绝缘粘贴带可有效避免导电胶向外溢出而发生短路状况，防止背接触式太阳能电池因溢胶而发生失效。
太阳能电池组件模组

[发明专利]框架-CN201410316807.6有效
发明人：陈智勇;苏子文;黄明远;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能面板模块，包含太阳能面板及用以固定太阳能面板所有的侧边的多个框架。每一框架包含底板、第一支撑墙、第二支撑墙、第一板体、第二板体以及嵌合件。第一支撑墙与第二支撑墙连接底板。第二支撑墙的第二开口的上端部及下端部分别高于第一支撑墙的第一开口的上端部及下端部，且第一开口的短边长度小于第二开口的短边长度。第一板体连接第一开口及第二开口的上端部。第二板体连接第一开口及第二开口的下端部，第一板体的第一反射面与第二板体的第二反射面彼此相对。嵌合件连接第一支撑墙及第二支撑墙，用以嵌合太阳能面板的侧边。本发明可提升太阳能面板模块的光电转换效率。
框架

[发明专利]一种太阳能电池模组-CN201410589374.1在审
发明人：张评款;苏资渊;黄明远;吴振诚;赖良星 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池模组，包括：一金属焊带，具有相对设置的一第一电极和一第二电极；一第一太阳能电池片，电性耦接至金属焊带的第一电极；以及一第二太阳能电池片，电性耦接至金属焊带的第二电极，其中第二太阳能电池片依次经由第二电极、金属焊带、第一电极电性串接至第一太阳能电池片，其中金属焊带的受光面进行雾面处理，以增强入射至受光面的光线的散射能力。相比于现有技术，本发明透过对金属焊带的受光面进行雾面处理或微结构设计，可显著减少光线直接反射可能造成的人眼不舒适，还有机会使散射光再次折射回来，提升光的利用效率。
一种太阳能电池模组

[发明专利]背接触式太阳能电池的制作方法-CN201410069201.7有效
发明人：胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种背接触式太阳能电池的制作方法，包含在半导体基板的背光表面上制作n型掺杂区、p型掺杂区以及背抗反射层。借由含铅的导电胶穿过背抗反射层，与n型掺杂区与p型掺杂区连接，而作为n型电极与p型电极。
接触太阳能电池制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210326717.6无效
发明人：赖良星;吕智成;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一基底、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第二重轻掺杂区、一第一电极以及一第二电极。第一轻掺杂区位于基底的一第一表面内，其中第一轻掺杂区具有一第一掺杂类型。第二轻掺杂区与第二重轻掺杂区位于基底的一第二表面内，其中第二轻掺杂区与第二重掺杂区具有一第二掺杂类型，且第一掺杂类型不同于第二掺杂类型。第一电极位于基底的第一表面上。第二电极位于基底的第二表面上。本发明的太阳能电池的背表面电场结构具有两种掺杂浓度，可有效提升光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210292352.X无效
发明人：陈宗保;杨士贤;陈钰君;邱铭晖;林宜宣;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含基板，基板具有受光面与相对于受光面的背面，基板更包含设置于背面的多个沟槽，太阳能电池包含多个n型扩散区与多个p型扩散区，交错地设置于基板之背面与沟槽之表面。通过深入基板的沟槽，可以减少电子-空穴对在移动的过程中再结合的情形。一种太阳能电池的制作方法也在此揭露。通过沟槽的设计，使得n型扩散区与p型扩散区深入基板内部。如此一来，当电子-空穴对产生时，电子或是空穴可以用较短的路径进入对应的n型扩散区或是p型扩散区，有效减少了电子-空穴对在移动的过程中再一次地结合或是被半导体基板中的复合中心捕捉而消失的情形。
太阳能电池及其制作方法

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