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[发明专利]热交换元件以及热交换换气装置-CN202080104366.7在审
发明人：渡边智也;坪内刚史;大川俊三郎;外川一;筈见公一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： F28F3/04 文献下载
摘要：热交换元件具有交替地层叠的第一流路形成部件(1)和第二流路形成部件。第一流路形成部件(1)和第二流路形成部件分别具有：肋部(31)，其具有构成第一方向上的第一流路的端部的第一壁部、构成第一方向上的第二流路的端部的第二壁部、以及对在第二方向上相互相邻的第一流路和第二流路进行分隔的第三壁部；板部(15)，其与肋部(31)中的第三方向上的端部(37)相接，并对与第一流路相连的第一连接流路和与第二流路相连的第二连接流路进行分隔；第一封闭部(38)，其设置于肋部(31)的端部(37)，并将第一流路与第二连接流路之间堵塞；以及第二封闭部(39)，其设置于肋部(31)的端部(37)，并将第二流路与第一连接流路之间堵塞。
热交换元件以及换气装置

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880128931.2有效
发明人：米泽雅人;筈见公一;高见明宏;森川浩昭;西村邦彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。
电动势装置及其制造方法