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[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201580082173.5有效
发明人： 森川浩昭;西野裕久;中泽幸子;浜笃郎;细川雄一朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池模块制造方法-CN201780078929.8在审
发明人： 森川浩昭;叶影秀德;长谷川裕树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：太阳能电池模块制造方法包括：焊剂涂敷工序，将焊剂涂敷在具有第一面和与第一面相向的第二面的太阳能电池单元中的设在第一面上的第一面连接电极和设在第二面上的第二面连接电极；及层叠工序，将表面由无铅焊锡包覆的第一极耳线、第二面朝上的太阳能电池单元和表面由无铅焊锡包覆的第二极耳线层叠在热板上。另外，太阳能电池模块制造方法包括：按压工序，由按压装置从上部按压第二极耳线；预备加热工序，由热板将太阳能电池单元预备加热到既定的预备加热温度；及加热工序，由灯加热器的红外线从第二面侧将太阳能电池单元加热到既定的加热温度。
太阳能电池单元太阳能电池模块预备加热第二面按压无铅焊锡包覆的焊剂极耳热板涂敷加热制造按压装置层叠工序灯加热器加热工序连接电极电极第一极红外线面连接朝上耳线

[发明专利]太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法-CN201680087244.5在审
发明人： 森川浩昭;米泽雅人;西村邦彦;太田成人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
太阳能电池单元半导体基板导电类型杂质区域栅格基板杂质浓度测定评价对象细长形状形状对应栅格电极杂质层

[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-CN201580081082.X在审
发明人： 森川浩昭;滨笃郎;幸畑隼人;过能慎太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：太阳能电池单元(1)具备p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法、太阳能电池模块-CN201380076925.8有效
发明人： 森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池单元，具备第1导电类型的半导体基板，在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；受光面侧电极，由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成，该受光面侧电极在所述一面侧形成而与所述杂质扩散层电连接；以及背面侧电极，在所述半导体基板的与所述一面侧相反的一侧的背面中形成而与所述杂质扩散层电连接，其中，所述受光面侧电极具备第1金属电极层，该第1金属电极层是与所述半导体基板的一面侧直接接合了的金属膏电极层；第2金属电极层，由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成，是覆盖在所述第1金属电极层上而形成了的镀覆电极层，所述栅电极的剖面积是300μm2以上，所述栅电极的电极宽度是60μm以下。
太阳能电池单元及其制造方法模块

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201610982274.4在审
发明人：米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201280075188.5有效
发明人：米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。
太阳能电池制造方法

[发明专利]测量装置、程序及测量方法-CN201380004820.1无效
发明人：田中英一;玉井正信;森川浩昭;辰田宽和;堂胁优;早川智广;松居惠理子;长谷川真;皆川达也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种测量装置，其包括物镜、载物台、设定单元和控制器。所述载物台用于支撑布置有各自容纳样本的多个加样孔的样本容器，并用于界定所述样本容器与所述物镜的相对位置。所述设定单元用于判定是否将所述多个加样孔中的每个加样孔设定为测量目标并设定所述测量目标。所述控制器用于控制所述载物台，使得被所述设定单元判定为所述测量目标的加样孔与所述物镜彼此面对。
测量装置程序测量方法

[发明专利]制模设备、除粉设备、制模系统以及制模方法-CN201210320818.2无效
发明人：松井健;森川浩昭;新坂一男;葛迫淳一;木原信宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B29C67/00 文献下载
摘要：本申请涉及制模设备、除粉设备、制模系统以及制模方法。其中，该制模设备包括箱保持机构、箱、供应机构以及升降机构。所述箱能够容纳粉末并且可拆卸地设置于所述箱保持机构。设置在箱保持机构上的可拆卸式箱可以容纳粉末。供应机构配置为向所述箱内的制模可行区选择性地供应用于将粉末粘结在一起的液体。升降机构配置为使得所述工作台在所述主体内相对于所述主体上升和下降。
设备系统以及方法

[实用新型]除粉装置和造型用设备-CN201220419455.3有效
发明人： 森川浩昭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B29C67/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及除粉装置和造型用设备。所述除粉装置包括箱体、承载台移动机构和除粉处理结构。所述箱体包括具有开口的主体和可移动地设置于所述主体内的承载台。所述箱体能够容纳根据快速原型技术使用粉体而形成的造型物和未结合的粉体，且将所述造型物与所述未结合的粉体一起布置在所述承载台上。所述承载台移动机构能够使所述承载台在所述主体内相对于所述主体向上移动。当通过所述承载台移动机构的驱动操作将所述造型物经由所述开口推出时，所述除粉处理机构用于去除存在于被推出的所述造型物周围的所述未结合的粉体。所述造型用设备包括造型用装置和除粉装置。本实用新型能够提供新型除粉装置，且能够提高造型物的产率和除粉精度。
装置造型设备

[发明专利]除粉装置、造型用设备和造型物的制造方法-CN201210300946.0无效
发明人： 森川浩昭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B29C67/00 文献下载
摘要：本发明涉及除粉装置、造型用设备和造型物制造方法。所述除粉装置包括箱体、承载台移动机构和除粉处理结构。所述箱体包括具有开口的主体和可移动地设置于所述主体内的承载台。所述箱体能够容纳根据快速原型技术使用粉体而形成的造型物和未结合的粉体，且将所述造型物与所述未结合的粉体一起布置在所述承载台上。所述承载台移动机构能够使所述承载台在所述主体内相对于所述主体向上移动。当通过所述承载台移动机构的驱动操作将所述造型物经由所述开口推出时，所述除粉处理机构用于去除存在于被推出的所述造型物周围的所述未结合的粉体。所述造型用设备包括造型用装置和除粉装置。本发明能够提供新型除粉装置，且能够提高造型物的产率和除粉精度。
装置造型设备制造方法

[发明专利]太阳能电池模块-CN200980156745.4无效
发明人：石原隆;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池模块，是在具有透光性的表面侧密封部件与背面侧密封部件之间夹着的填充材料中将电连接的多个太阳能电池单元在表面侧密封部件的面内方向上隔开间隔进行埋设而成的，其中，在背面侧密封部件中，至少与太阳能电池单元对应的区域为高反射率部，具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率为50％以上的高反射率，在邻接的太阳能电池单元间的区域或者在太阳能电池模块的厚度方向上与该区域对应的区域中，在太阳能电池单元的反射防止膜的表面与背面侧密封部件之间的任一个位置处具备低反射率部，该低反射率部具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率不足50％的低反射率。
太阳能电池模块

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN200880129990.1有效
发明人：滨笃郎;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在第1导电类型的半导体基板的一面侧形成第2导电类型的杂质扩散层及反射防止膜，在反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料，在半导体基板的另一面侧形成钝化膜，在钝化膜的至少一部分形成达到半导体基板的另一面侧的多个开口部，以掩埋多个开口部且不与邻接的开口部的第2电极材料接触的方式涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第1电极材料，以与所涂敷的所有第2电极材料接触的方式在钝化膜上涂敷第3电极材料，在第1电极材料及第3电极材料的涂敷后以规定的温度加热半导体基板，从而同时形成贯通反射防止膜而与杂质扩散层电连接的第1电极、在半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域及与高浓度区域电连接的第2电极和第3电极。
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880130064.6有效
发明人：水口一男;森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。
电动势装置及其制造方法

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880129964.9无效
发明人： 森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：得到一种具有用于有效利用光电动势装置中的背面侧的反射光的结构的光电动势装置。具备：p型硅衬底(12)；n型扩散层(13)，其是在p型硅衬底(12)的光入射面侧扩散n型杂质而得到的；表面电极，其形成在n型扩散层(13)上；p+层(14)，其形成在与p型硅衬底(12)的光入射面相对的背面；背面银电极(18)，其形成在p+层(14)上的规定位置处；以及由绝缘性材料构成的反射层(20)，其形成在形成有背面银电极(18)的p+层(14)上，用于反射光。
电动势装置及其制造方法

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