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[发明专利]太阳能电池及制备方法-CN201811033826.2在审
发明人：白安琪 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括柔性衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、高阻层以及窗口层。背电极层设置于柔性衬底表面。吸收层设置于背电极层远离柔性衬底的表面。缓冲层设置于吸收层远离背电极层的表面。高阻层设置于缓冲层远离吸收层的表面。窗口层设置于高阻层远离缓冲层的表面。窗口层包括层叠设置的氧化铟锡(ITO)层和掺铝氧化锌(AZO)层。氧化铟锡层覆盖于高阻层表面。掺铝氧化锌层远离氧化铟锡层的表面具有纳米结构阵列。AZO层表面的纳米结构可以形成陷光结构，从而减少光的反射。在保持开路电压和填充因子不降低的情况下，提升短路电流，提高电池光电转换效率。AZO层与ITO层形成复合型窗口层，可以兼顾高透光性、高导电性和减反效果。
太阳能电池制备方法

[发明专利]一种实现准全向硅太阳电池的方法及准全向分析方法-CN201810675157.2有效
发明人：沈文忠;庄宇峰;钟思华;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
一种实现全向太阳电池方法分析

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法-CN201711463599.2有效
发明人：邹帅;王栩生;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的绒面结构，所述绒面结构主要由复数个类似倒金字塔的微结构构成；所述类似倒金字塔的微结构的下部为倒棱锥结构，其上部为倒圆台结构；所述类似倒金字塔的微结构的顶部选自圆形、椭圆形或由多条曲线围成的闭合图形中的一种或几种。实验证明：相对于发明专利申请WO2014120830(A1)公开的绒面结构，本发明的电池片的转换效率可提高0.25~0.4%左右，取得了意想不到的效果。
一种晶体太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法-CN201810638896.4有效
发明人：王涛;洪布双;尹丙伟;杨蕾;张元秋 -专利权人：通威太阳能(合肥)有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法，包括以下步骤：S1、碱制绒：形成反射率为15‑17％的金字塔绒面，且金字塔尺寸为5‑10μm；S2、酸洗一：采用HNO3溶液进行酸洗，所述HNO3溶液浓度为0.5‑1％，温度控制为常温，酸洗时间为60‑100s；S3、银离子辅助制绒：形成直径为80‑130nm、深度为150‑200nm的纳米坑洞。本发明将常规单晶碱制绒与常规黑硅的银离子辅助制绒相结合，对单晶硅表面进行制绒，形成微米‑纳米复合结构绒面，在保证较低的反射率的同时，具有较低的比表面积，减小表面复合，进一步提高电池的转换效率，实用性很强，非常值得推广。
纳米复合结构酸洗制绒单晶电池片反射率碱制绒银离子制备单晶硅表面金字塔绒面表面复合转换效率单晶黑硅减小坑洞绒面金字塔电池保证

[发明专利]均匀且定向着色的光伏模块-CN201880042518.8在审
发明人： J·刘;O·J·勒菲弗尔 -专利权人：特斯拉股份有限公司
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：描述了用于均匀着色和定向着色的光伏模块和屋顶瓦片的微结构以及定向和多向涂覆。光伏屋顶瓦片(650)包括在第一侧上具有微尺寸的纹理的玻璃盖(652)，以及与带纹理的玻璃的第一侧邻接的被构造成反射一颜色的光的一层或多层透明材料(654、656)。玻璃盖可以在第一侧上具有纹理，以及与带纹理的玻璃盖的第一侧邻接的球形金属纳米颗粒层(810)。定向着色的太阳能模块可以包括在第一侧上具有纹理的带纹理的玻璃盖和在玻璃盖的第一侧上覆盖纹理的一个或多个分面(1106)的涂层。可以通过在一个或多个方向上涂覆带纹理的玻璃盖来沉积涂层。
纹理玻璃盖屋顶瓦片邻接涂覆着色多层透明材料纳米颗粒层太阳能模块沉积涂层光伏模块均匀着色球形金属微结构多向反射光伏玻璃覆盖

[实用新型]一种低成本光探测器-CN201921275908.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低成本光探测器，包括从下往上依次设置的金属层、半导体层、透明电极层，在金属层下面还设有砂纸，在所述金属层和所述透明电极层上分别连接电极，两电极间连接电压源和电流表。本实用新型利用砂纸的磨砂颗粒在金属层上形成凸起，从而提高光吸收效率和热电子的产生效率。因为本实用新型利用磨砂颗粒形成金属层上的凸起，而不是利用其它复杂的微纳结构制备方法，所以成本低。
金属层本实用新型砂纸透明电极层磨砂颗粒凸起光吸收效率半导体层光探测器连接电极微纳结构依次设置电极低成本电流表电压源热电子制备

[发明专利]一种太阳能电池片制备方法-CN201710111365.5有效
发明人：谭伟华;何龙;姜占锋;孙翔;周云坛;滕美玲 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池片制备方法。该太阳能电池片的表面具有电池片孔洞，所述电池片孔洞的开口宽度为400～1000nm，所述电池片孔洞的深度为100～400nm。光电转换效率高、外观无明显晶花、能大规模实际生产。
孔洞电池片太阳能电池片光电转换效率制备开口生产

[发明专利]纳米倒金字塔-准微米金字塔背钝化太阳电池及制法-CN201911046575.6在审
发明人：黄增光;高锟;刘莹;范源 -专利权人：江苏海洋大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构背钝化太阳电池，包括单晶硅基底，单晶硅基底正表面采用纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构发射极，单晶硅基底背表面采用背钝化结构；纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构发射极由硅纳米倒金字塔结构、准微米金字塔结构和2层钝化介质膜构成。本发明还涉及前述太阳电池的制备方法。本发明通过将纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构和背钝化结构结合起来，同时对正面实施PECVD‑SiO
倒金字塔复合结构金字塔单晶硅发射极钝化背钝化结构叠层基底倒金字塔结构光电转换效率钝化介质膜基底背表面金字塔结构表面复合复合损失光谱响应反射率硅纳米减反射全波段正表面短波制备背面

[实用新型]一种太阳能电池片-CN201921205787.X有效
发明人：伏进文;朱兰兰;袁中存 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括电池片本体以及设置于电池片本体上的开槽结构，开槽结构包括多条平行设置的线槽，多条线槽中的至少一条为校正线槽，其余线槽为标准线槽，其中，校正线槽的长度大于标准线槽的长度。该太阳能电池片中，可以使得校正线槽的至少一端能够不被遮挡，从而可以通过肉眼直观地判断线槽与铝栅线是否重合，及时发现异常。
线槽校正太阳能电池片电池片本体开槽结构标准线本实用新型太阳能电池平行设置重合铝栅遮挡直观发现

[发明专利]一种单晶硅光伏电池表面织构结构及其制备方法-CN201810208957.3有效
发明人：闫平平 -专利权人：宇泽(江西)半导体有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明创造涉及一种单晶硅光伏电池表面织构结构，为一种形成在单晶硅{111}晶面上的绒面表面织构，所述绒面表面织构由微米或纳米尺度、具有正三棱锥形状特征的硅微柱或硅微坑所构成，所述正三棱锥的三个侧面由相同的等腰三角形组成。本发明还提供了一种单晶硅光伏电池表面织构结构的制备方法。本发明的单晶硅光伏电池表面织构结构在{111}晶面上形成了正三棱锥的绒面，其具有表面反射率低和光电转换率高的优点。
单晶硅光伏电池表面织构正三棱锥绒面表面织构制备单晶硅表面反射率等腰三角形光电转换率纳米尺度形状特征绒面微坑微柱侧面

[发明专利]利用四甲基胍有机碱在单晶硅表面制绒的方法-CN201910893517.0在审
发明人：黄仕华;张嘉华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，首先清洗硅片，然后以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；将硅片放入制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。本发明提出的四甲基胍有机碱单晶硅制绒后的光学反射率大幅降低，同时消除了制绒液中金属离子对硅片的污染，也降低了制绒废液的后续处理成本。
四甲基胍硅片制绒去离子水体积比有机碱制绒液异丙醇混合溶液单晶硅光学反射率单晶硅片后续处理金属离子溶液残留水浴锅异丙醇预热溶剂超声放入废液冲洗加热备用离子配制清洗下水水位并用污染

[发明专利]太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片-CN201710665447.4有效
发明人：万明 -专利权人：苏州赛万玉山智能科技有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明揭示了太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片，太阳能硅片的切割方法，包括如下步骤：S1，驱动工件进行Z轴方向进给，使工件与切割线接触；S2，驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方往复向进给，切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片。本发明设计精巧，在驱动工件向切割线方向进行轴向进给的同时，驱动工件沿水平方向往复运动，从而使切割线能够在工件表面切割形成波浪形状的三维结构，并且通过对切割线运行速度和两个方向进给参数的设置，提供了一种能够实现三维结构硅片切割的新方法，工序简单，容易实现。
太阳能硅片切割进给三维结构切割线驱动切割线方向波浪形状工件表面硅片切割轴向进给波浪形

[发明专利]金刚线多晶硅片表面织构化加工方法-CN201810671760.3在审
发明人：王懿喆;易武雄;潘鼎鼎;张卫 -专利权人：上海硅洋新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，包括如下步骤：S1:对金刚线多晶硅片的一侧表面进行均匀喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；S2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行腐蚀处理，所述腐蚀液包括4‑10%的氢氟酸，30‑50%的硝酸，0.01‑0.05%的表面活性剂，0.01‑0.5%的缓蚀剂，和0.01‑0.5%的稳定剂，其余为去离子水。本发明能够将金刚线切割应用于多晶硅片的表面织构化加工中，具有减反射效果显著、外观形貌均匀、成本低廉、清洁环保的特点。
多晶硅片金刚线表面织构化腐蚀液表面活性剂减反射效果腐蚀处理喷砂处理清洁环保去离子水外观形貌硝酸缓蚀剂氢氟酸入射面太阳光稳定剂线切割放入加工侧面应用

[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法-CN201810552207.8在审
发明人：曾清华;张超华;谢志刚;王树林;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法，电池包括N型单晶硅片，依次设在硅片正面金字塔绒面上的第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、增透层，依次设在硅片背面P区的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N区金字塔绒面上的第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层、铜栅线电极，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第三本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第一透明导电膜层、第二透明导电膜层、铜种子层及绝缘槽。本发明可以大幅增加工艺窗口，更适合于大规模化量产提升电池的短路电流、开路电压，进而提高电池片效率。
本征非晶硅层透明导电膜层硅片背面铜种子层线电极铜栅金字塔绝缘层异质结太阳能电池电池电池片效率短路电流工艺窗口硅片正面开路电压背接触交叠区绝缘槽增透层量产制造

[发明专利]一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用-CN201910997371.4在审
发明人：张希威;孟丹;苏意文 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用，所述的纳米三维结构异质结包括一层表面具有三维纳米结构的单晶硅片，单晶硅片之上的介电层，介电层之上的由两种二维材料组成的异质结。本发明主要由原子层沉积工艺制备，其保型性的特点可以使二维材料异质结完全覆盖具有三维纳米结构的衬底，形成非常大的异质结结区面积；此外，三维纳米结构的衬底可以有效的调控光吸收，使得入射光在三维纳米结构中经过多次反射，提高了吸光率，进而提高异质结的光电转换效率。
异质结三维纳米结构二维材料单晶硅片三维结构介电层衬底制备原子层沉积工艺光电转换效率多次反射保型性光吸收入射光吸光率结区调控应用