[发明专利]一种太阳能电池片制备方法

摘要

本发明提供了一种太阳能电池片制备方法。该太阳能电池片的表面具有电池片孔洞，所述电池片孔洞的开口宽度为400～1000nm，所述电池片孔洞的深度为100～400nm。光电转换效率高、外观无明显晶花、能大规模实际生产。

主权项

1.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤包括：在硅基体表面开设开口宽度为500～1200nm、深度为200～500nm的基体孔洞，后经过扩散、附着减反射膜制得太阳能电池片；/n步骤包括：S11，沉积金属粒子：将硅基体置于含金属离子的盐及氢氟酸的混合液中沉积金属粒子；/nS21，开微纳米孔：将步骤S11所得硅基体置于含氢氟酸及双氧水的刻蚀液中刻蚀；所述刻蚀液中双氧水的体积：氢氟酸的体积：水的体积＝(2～5)：1：(5～8)；步骤S21中所述双氧水的质量浓度为30～32％；所述氢氟酸的质量浓度为49～50％；/nS31，削扩微纳米孔：将步骤S21所得硅基体置于含硝酸及氢氟酸的混合酸液中，所述混合酸液中硝酸的体积：氢氟酸的体积：水的体积＝(5.0～9.0):1:(7～10)；步骤S31中所述硝酸的质量浓度为65～68％；所述氢氟酸的质量浓度为49～50％；/nS41、除多孔硅及微纳米孔修正：将步骤S31所得硅基体置于碱液中去除多孔硅层及对微纳米孔进行修正；/nS51、去除金属粒子；/nS61、扩散；/nS71、镀减反射膜；/nS81、制备太阳能电池电极；/n制得太阳能电池片。/n