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[发明专利]用于生产纹理化太阳能晶片的方法-CN202080035010.2在审
发明人： V·布尔斯;A·维森 -专利权人：梅耶博格(德国)有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产至少在一侧上纹理化的太阳能晶片的方法，其中，在第一方法步骤中，提供具有锯切损伤的锯切太阳能晶片，并且在最后一个方法步骤结束时提供具有不同尺寸类型的大锥体和小锥体的纹理化太阳能晶片，并且其中，纹理化太阳能晶片可以随后进行进一步加工以生产太阳能电池。本发明解决的问题是在太阳能电池生产技术的框架内提供改进的纹理化方法。该问题通过生产纹理化太阳能晶片的方法来解决，其中，在第一纹理蚀刻步骤中，以低表面积密度产生大锥体，使得在该方法结束时，小于30％的太阳能晶片纹理化表面被大锥体占据；并且在第二纹理蚀刻步骤中，以大表面积密度产生小锥体。
用于生产纹理太阳能晶片方法

[发明专利]一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法-CN202111070161.4在审
发明人：张超华;谢志刚;黄巍辉 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，其具体工艺如下：步骤a1，在第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层；步骤a2，在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层；步骤a3，在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层；步骤a4，先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层，再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层；步骤a5，采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。本发明的目的在于提供一种背接触异质结太阳能电池制造方法，采用化学蚀刻方法实现对第一导电区的开口，使底部半导体层损伤降至最小。
一种采用化学蚀刻裸露第一导电接触异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]一种实现局部制绒的背接触异质结太阳能电池的制造方法-CN202111070167.1在审
发明人：谢志刚;黄巍辉;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现局部制绒的背接触异质结太阳能电池的制造方法，它包括步骤A，其具体工序包括如下：a1，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层和第一绝缘层，a2，采用激光蚀刻方式或化学蚀刻方式除去第一导电区以外区域的第一绝缘层和第一导电型膜层，以形成表面附着有第一绝缘层的第一导电区；a3，对半导体基板的第一主面和第二主面进行双面制绒，以在半导体基板的外露表面形成金字塔绒面。本发明的目的在于提供一种实现局部制绒的背接触异质结太阳能电池的制造方法，仅在第二导电区进行制绒，从而减少第二导电区光照的反射，增加背面的光照吸收。
一种实现局部接触异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法及异质结电池-CN202110012752.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结电池制备方法，包括配置制绒剂，制绒剂包括50±10％碱溶液、水、制绒添加剂；将单晶硅片置于制绒剂内，在单晶片表面生成若干个并列且依次连接的金字塔结构，若干个金字塔结构形成小绒面；在小绒面上依次形成非晶硅层、形成透明导电层；使用银浆原料在透明导电层表面形成主栅线和副栅线。50±10％碱溶液、水、制绒添加剂三者之间的体积比范围为150：10：1～450：30：1；其中，金字塔结构的直径小于银浆原料中50～90％的银颗粒直径。本发明还提供了一种异质结电池。本发明的异质结电池制备方法能够使副栅线的线宽平均窄2.2μm，可以带来约15mA电流的提升。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]太阳能电池片的制备方法-CN202010170396.X有效
发明人：孟祥熙;曹育红;杨立功;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的制备方法，采用正面为非100晶向的单晶硅片制备电池片，且通过制绒制得正面具有棱锥绒面结构的电池片；棱锥顶点在该棱锥底面所在平面上的投影，位于该棱锥底面中心的一侧；且电池片上各棱锥的顶点朝向相同。与现有采用正四棱锥绒面结构的电池片相比，本发明电池片的反射率更低。
太阳能电池制备方法

[发明专利]一种黑硅材料的制备方法-CN202010372627.5在审
发明人：吴立志;张文豪;沈瑞琪 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种黑硅材料的制备方法，具体步骤如下：步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层。步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；步骤4，将表面有金字塔结构的单晶硅片中的的硅片置于H2O2、HF和AgNO3的混合溶液刻蚀；步骤5，步骤4将反应后的硅片，置于一定的浓度HNO3溶液中，超声清洗，以去除Ag颗粒，最终得到黑硅材料。
一种材料制备方法

[发明专利]一种背接触式高光效光伏电池片的制绒装置-CN202110918324.3在审
发明人：赵华飞 -专利权人：浙江中晶新能源股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触式高光效光伏电池片的制绒装置，包括机架、行程导轨、行程电机、升降机械臂、电池片输送板、电池片吸附盘、除尘罩、除尘吹风机、吸尘器、制绒槽、喷液管、温控感应器、加热底板、溶液浓度感应器、节流电磁阀和补液箱。本发明能够提高电池转化效率，且载流子传输时间短，还可避免载流子复合，工艺均匀性和产品稳定性高。
一种接触式高光效光伏电池装置

[实用新型]一种硅基薄膜太阳能电池-CN202120994785.4有效
发明人：孙堂友;水芙蓉;刘云;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;王阳培华;肖功利;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。
一种薄膜太阳能电池

[实用新型]一种陷光结构玻璃基底的高效钙钛矿太阳能电池-CN202023095593.4有效
发明人：陈乐;罗炜;方博闻;朱保华;孙嘉伟;李洪阳 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供的是一种陷光结构玻璃基底的高效钙钛矿太阳能电池。它由电池背电极层2、背电极电子传输层3、钙钛矿层4、前电极空穴传输层5、前电极层6直接沉积在高效陷光结构玻璃1的陷光结构面组成。钙钛矿太阳能电池直接沉积在陷光结构玻璃陷光面，相对于平板结构能有效减少光反射，增加电池对入射光的光能吸收和光电转化能力，本发明设计能使钙钛矿太阳能电池的效率提升10‑15％。
一种结构玻璃基底高效钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种薄化晶硅电池及制备方法-CN202110736558.6在审
发明人：严文生;臧月 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄化晶硅电池及制备方法，本发明一种薄化晶硅电池，从上到下依次包括第一SiOx薄膜，第一SiNx薄膜、第二SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第三SiNx薄膜、第二SiOx薄膜；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p‑n结，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，选择性发射结上设有金属电极；通过本发明，可以使晶硅电池在厚度减薄的情况下，有效解决电池的光吸收及效率损失。
一种薄化晶硅电池制备方法

[发明专利]一种柔性超薄晶硅电池及制备方法-CN202110734449.0在审
发明人：严文生;臧月 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性超薄晶硅电池及制备方法，本发明从上到下依次包括第一SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第二SiNx薄膜和不锈钢衬底；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p‑n结，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，发射结上设有金属电极；本发明的晶硅厚度在20‑40微米范围内，相对于已有报道电池结构，本电池在转换效率上具有显著提升。
一种柔性超薄电池制备方法

[发明专利]一种太阳电池、绒面结构及其制备方法-CN202110943539.0在审
发明人：孙林;杜俊霖;陈功兵;张林;杨秀清;刘香飞;闫涛;潘登 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种太阳电池、绒面结构及其制备方法，属于太阳电池领域。绒面结构是形成于硅片的表面的，并且该表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域。基于此，绒面结构包括：形成于所述栅线遮盖区域的第一绒面、形成于所述受光暴露区域的第二绒面；其中所述第一绒面的绒面尺寸大于所述第二绒面的绒面尺寸。该绒面结构可以提高电池的电学性能。
一种太阳电池结构及其制备方法

[实用新型]太阳能电池片-CN202023256375.4有效
发明人：肖俊峰;李岩;石刚 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池片。所述太阳能电池片包括：硅片，所述硅片的底表面上设置有凹凸结构；氧化硅层，所述氧化硅层设置在所述硅片的底表面上并和所述硅片的底表面形状适配从而所述氧化硅层的底表面也具有凹凸结构；掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层设置在所述氧化硅层的底表面上；钝化层，所述钝化层设置在所述硅片的顶表面上；正电极和背电极，所述正电极设置在所述钝化层的顶侧，所述背电极设置在所述掺杂多晶硅层的底侧。本实用新型中，通过在硅片的底表面上形成凹凸结构，能够使非晶硅层按预设的方向结晶，最终形成的掺杂多晶硅层的晶粒的晶界大多倾向于垂直于硅片的方向，形成的掺杂多晶硅层的晶粒尺寸大，载流子迁移率高。
太阳能电池

[发明专利]一种光电二极管及其制作方法、电子设备-CN201910108010.X有效
发明人：杜建华;李超;强朝辉;高宇鹏;关峰;黄睿;王治;吕杨;罗超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开一种光电二极管及其制作方法、电子设备，涉及光电转换技术领域，为解决现有的光电二极管的光电转换效率较低的问题。所述光电二极管包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。本发明提供的光电二极管用于将光信号转换为电信号。
一种光电二极管及其制作方法电子设备

[发明专利]异质结电池及异质结电池制备方法-CN202110765905.8在审
发明人：徐晓华;周肃;姚真真;张良;龚道仁;王文静;庄挺挺;杨龙;魏文文 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池，将N型衬底原片一面设计成绒面结构，另一面设计成光面结构，反射率增加，使光面的单位面积的缺陷态密度减小，使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层；而且，光面的反射效果更好，可以增加长波光的吸收率，这些对于提高发电效率都起到重要的作用。
异质结电池制备方法