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[发明专利]用于生产太阳能电池的方法-CN201580076715.8有效
发明人： M.皮特罗夫;T.施瓦策 -专利权人：索尔维公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法，该方法包括使用特定气体混合物蚀刻该硅晶片的步骤，该气体混合物包含氟、氟化氢、一种或多种惰性气体以及任选地一种或多种另外的气体，涉及使用所述方法生产的硅晶片以及所述气体混合物的用途。
用于生产太阳能电池方法

[发明专利]一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法-CN201910027266.8有效
发明人：彭铭曾;安运来;郑新和;卫会云;刘三姐;何荧峰;李美玲;宋祎萌;仇鹏;成佳东 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种利用金属微纳结构增强光电导红外成像单元-CN201911367119.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用金属微纳结构增强光电导红外成像单元，包括基底层，所述基底层的上方设置有第一磷化铟层，所述第一磷化铟层的上方设置有电极、第一砷化铟镓层，所述第一砷化铟镓层与电极相互间隔；所述第一砷化铟镓层的上设置有第二磷化铟层，所述第二磷化铟层的上方设置有第二砷化铟镓层；所述第二砷化铟镓层的上方设置有第二电极层，所述第二电极层的上方设置有微纳金属结构层；该利用金属微纳结构增强光电导红外成像单元，金属和半导体材料在受到光照后，会产生光电效应，从而将光能转换为电能，利用仪器检测电信号会变得简便很多，从而可以用来实现将红外辐射转换成人眼可以见的电信号。
一种利用金属结构增强电导红外成像单元

[发明专利]一种宽带光吸收体结构及其制备方法-CN201911372212.1在审
发明人：崔艳霞;邱开放;李国辉;高琳华;石林林;王文艳;郝玉英;吴玉程 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于吸收体光子器件的技术领域，一种宽带光吸收体结构，其由氧化铝封装层、阳极氧化铝模板AAO、倒锥洞状的2‑30层介质/金属复合层构成，其中，氧化铝封装层厚度为0.5‑5纳米，阳极氧化铝模板AAO厚度为100‑1500纳米，每层介质/金属复合层中，介质厚度为1‑150纳米，金属厚度为1‑50纳米。本发明还涉及该宽带光吸收体结构的制备方法。本发明对太阳能光的吸收效率高。
一种宽带吸收体结构及其制备方法

[发明专利]一种高效散热半导体衬底及其制备方法-CN201911397642.9在审
发明人：贾慧民;李承林;魏志鹏;唐吉龙;晏长岭;张晶;方铉;王登魁;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种高效散热半导体衬底及其制备方法。本发明在半导体基底背面沉积金刚石薄膜，然后在正面依次进行减薄和抛光，得到高效散热半导体衬底。本发明提供的衬底正面为极薄的半导体衬底层，背面为高效散热的金刚石薄膜，既符合材料外延生长的要求，也具有优良的导热能力，利用其制备半导体光电子器件，能够提升器件的性能，免除常规光电子器件制备工艺中的减薄、抛光的工艺步骤，不会对正面的器件结构及正面电极造成损伤。
一种高效散热半导体衬底及其制备方法

[发明专利]一种光电半导体器件及其制备方法-CN201911358528.5在审
发明人：程元伟 -专利权人：宿州市高智信息科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电半导体器件及其制备方法，其要点是，包括以下工艺步骤：1)提供衬底，在衬底上依次生长底电池、第一隧道结、中间电池、第二隧道结、子电池、第三隧道结、顶电池；2)在顶电池上沉积多晶硅层，多晶硅层的厚度为550～600nm，并采用POCl对多晶硅层进行掺杂；3)在多晶硅上涂布光刻胶，并选择性掩蔽和腐蚀光刻胶，在多晶硅层上形成刻蚀窗口，腐蚀刻蚀窗口，露出刻蚀窗口底部相对应的顶电池，从而在多晶硅层上得到凹槽；4)对凹槽内进行等离子体反应刻蚀，在凹槽底部的顶电池上得到凹凸不平的表面。本发明提高了吸收面的接收光密度，降低了芯片尺寸，提高了芯片集成度。
一种光电半导体器件及其制备方法

[发明专利]柔性衬底材料和制造电子薄膜器件的方法-CN201580039705.7有效
发明人：尤根·弗雷德里克·温克尔;迈克尔·尼格曼 -专利权人：埃特19有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种柔性衬底材料，其具有对置的正面和背面并且在X‑Y平面中延伸，正面被设置有第一电极层且还被设置有至少一个薄膜，以形成至少一个薄膜器件堆叠，其在垂直于X‑Y平面的Z方向上从X‑Y平面延伸到距离T；衬底材料具有被应用于在衬底材料的面、第一电极层和至少一个薄膜中的至少一者的至少一个保护性结构；至少一个保护性结构从X‑Y平面在Z方向上延伸到距离S，距离S大于距离T。
柔性衬底材料制造电子薄膜器件方法

[发明专利]P型单晶硅HIT光伏电池及其制造方法-CN201811039122.6有效
发明人：管先炳 -专利权人：山西潞阳光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型单晶硅HIT光伏电池的制造方法，该方法包括以下步骤：对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理，在所述P型单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；在所述P型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；在所述P型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层以及第四P型非晶硅层；在所述第四N型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。
单晶硅 hit 电池及其制造方法

[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池-CN201911325265.8在审
发明人：李杰;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造太阳能电池的方法以及由此方法制造的太阳能电池。该方法包括使用掺杂剂对硅衬底进行扩散以形成经掺杂的硅衬底；以及使用脉冲激光照射经掺杂的硅衬底，以在硅衬底的第一表面上形成多个图案结构，其中多个图案结构中的相邻图案结构之间的间距位于1微米至100微米之间。通过使用根据本公开的实施例，可以减少硅衬底中的损伤区和缺陷区并且提高光电转换效率。
用于制造太阳能电池方法

[发明专利]一种高转换效率异质结器件-CN201911352677.0在审
发明人：马立云;姚婷婷;李刚;沈洪雪;彭赛奥;金克武;王天齐;杨扬;王东;汤永康;甘治平;时君;黄海青;程国送 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开一种高转换效率异质结器件，包括p型晶硅衬底，所述p型晶硅衬底的底面设有背电极，p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极，所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构；该异质结器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点，转换效率高，增强异质结光伏器件的整体性能。
一种转换效率异质结器件

[发明专利]太阳能电池制备方法-CN201711066328.3有效
发明人：唐碧见;龙昭钦;周慧敏;徐志群;冷金标 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池制备方法，包括：对硅片进行表面清洗处理；对所述硅片分别依次进行第一次制绒和第二次制绒，以形成三个制绒面，其中一个制绒面位于所述硅片的一侧，另外两个制绒面位于所述硅片的另一侧；利用石英舟对所述硅片进行磷扩散，以形成三个PN结，其中，所述石英舟上设有多个间隔设置的栅栏；对所述硅片进行刻蚀，以去除所述硅片表面的磷硅玻璃；在所述硅片的表面制作减反射膜；在所述硅片的表面制作上下电极；将所述硅片送入烧结炉烧结；对烧结后得到的太阳能电池进行性能测试。本发明通过增加PN结，能够提升载流子的收集，大弧度提升太阳能电池的转换效率。
太阳能电池制备方法

[实用新型]凹面阵列的石墨烯-金属异质结光电探测器-CN201920946522.9有效
发明人：李全福;张祺;朱小虎;彭慧玲;刘卫华;宋辉;李廷会;刘林生;汪海船;黄瑞 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够增加了受光面，增加石墨烯对光的吸收，避免转移过程对石墨烯造成的破坏的凹面阵列的石墨烯‑金属异质结光电探测器。该凹面阵列的石墨烯‑金属异质结光电探测器，包括衬底；所述衬底上由下至上依次设置有绝缘层、生长层、石墨烯层；所述衬底上设置有阵列分布的向下凹陷的凹槽；所述绝缘层上设置有与凹槽匹配的第一凸面；所述生长层上设置有第二凸面；所述石墨烯层上设置有第三凸面；所述石墨烯层的第三凸面的内凹槽内壁上设置有增透层；所述石墨烯层上第三凸面内凹槽的两侧分别设置有波浪形叉指的高功函电极和低功函电极。采用该凹面阵列的石墨烯‑金属异质结光电探测器，具有体积小，集成度高，识别范围广等特点。
凹面阵列石墨金属异质结光电探测器

[实用新型]一种后刻蚀式N型接触钝化电池-CN201921832835.8有效
发明人：王伟;马志杰;张一波;顾文操;盛健;张淳 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，n+多晶硅层朝向背面钝化层的表面局部凸出并嵌入背面钝化层中，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10‑50nm，n+多晶硅层的凸出部份的厚度为50‑250nm。本实用新型既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。
一种刻蚀接触钝化电池

[发明专利]一种选择性发射极PERC电池的激光掺杂图形-CN201911328451.7在审
发明人：贾佳;邱家梁;王丽婷;黄惜惜;周肃;杨睿 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极PERC电池的激光掺杂图形，包括若干组相互平行的主体模块，所述的主体模块包括两条相互平行的直线，所述直线的两端均设有向外弯曲的弧线。本方案中的弧形设置为同时向上、向外弯曲，正好可以应对PERC电池加工时正电极网版向外和两边变形的情况，从而提升网版变形后激光槽的对准问题，且此激光图形可适用于批量生产，工艺时间短、稳定性好。
一种选择性发射极 perc 电池激光掺杂图形

[实用新型]一种防眩光网箱式花型太阳能玻璃-CN201921266356.4有效
发明人：王科;陈刚;朱明达;刘明刚;陈海峰;唐高山;纪朋远;周志文;贺志奇;陈诚;胡小娅 -专利权人：东莞南玻太阳能玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃技术领域，特别是涉及一种防眩光网箱式花型太阳能玻璃，其包括玻璃主体、以及设置于玻璃主体的表面的按正方形矩阵排布的网箱结构；网箱结构为横纵相交的弧形面“田埂”结构、以及倒置的弧面四方锥结构组成的凹凸结构；弧形面“田埂”结构的最高点均在同一平面上，横向的弧形面“田埂”结构与纵向的弧形面“田埂”结构的交界处通过第一弧面连接；倒置的弧面四方锥结构的四个侧面均为相同弧度的主弧面，相邻两个主弧面的交界处通过第二弧面连接。该防眩光网箱式花型太阳能玻璃能增加漫反射，并形成多个面不同的反射方向，同时增加了陷光作用，进而起到很好的防眩光效果，能降低同一光源在玻璃表面各个方向上的反光亮度。
一种眩光网箱式花型太阳能玻璃