[发明专利]金刚线多晶硅片表面织构化加工方法在审

申请号：	201810671760.3	申请日：	2018-06-26
公开（公告）号：	CN110649105A	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	王懿喆;易武雄;潘鼎鼎;张卫	申请（专利权）人：	上海硅洋新能源科技有限公司
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236;H01L31/18
代理公司：	31297 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	邓文武
地址：	201306 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，包括如下步骤：S1:对金刚线多晶硅片的一侧表面进行均匀喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；S2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行腐蚀处理，所述腐蚀液包括4‑10%的氢氟酸，30‑50%的硝酸，0.01‑0.05%的表面活性剂，0.01‑0.5%的缓蚀剂，和0.01‑0.5%的稳定剂，其余为去离子水。本发明能够将金刚线切割应用于多晶硅片的表面织构化加工中，具有减反射效果显著、外观形貌均匀、成本低廉、清洁环保的特点。
搜索关键词：	多晶硅片金刚线表面织构化腐蚀液表面活性剂减反射效果腐蚀处理喷砂处理清洁环保去离子水外观形貌硝酸缓蚀剂氢氟酸入射面太阳光稳定剂线切割放入加工侧面应用
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【主权项】：

1.一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，其特征在于包括如下步骤：/nS1: 对金刚线多晶硅片的一侧表面进行喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；/nS2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行湿法处理，所述腐蚀液包括4-10%的氢氟酸，30-50%的硝酸，0.01-0.05%的表面活性剂，0.01-0.5%的缓蚀剂和0.01-0.5%的稳定剂，其余为去离子水。/n

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摘要：本发明公开了一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，包括如下步骤：S1:对金刚线多晶硅片的一侧表面进行均匀喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；S2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行腐蚀处理，所述腐蚀液包括4‑10%的氢氟酸，30‑50%的硝酸，0.01‑0.05%的表面活性剂，0.01‑0.5%的缓蚀剂，和0.01‑0.5%的稳定剂，其余为去离子水。本发明能够将金刚线切割应用于多晶硅片的表面织构化加工中，具有减反射效果显著、外观形貌均匀、成本低廉、清洁环保的特点。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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