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[外观设计]鱼竿-CN202330518376.1有效
发明人： 黄仕华 -专利权人： 黄仕华
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： 22-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鱼竿。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于休闲钓鱼的工具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鱼竿

[外观设计]簸箕-CN202330524129.2有效
发明人： 黄仕华 -专利权人： 黄仕华
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： 07-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：簸箕。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于盛放垃圾。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
簸箕

[外观设计]喷灌头-CN202330508466.2有效
发明人： 黄仕华 -专利权人： 黄仕华
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：喷灌头。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于安装在水管上对土壤进行灌溉。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
喷灌

[发明专利]一种红荧烯敏化晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202310732104.0在审
发明人： 黄仕华;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种红荧烯敏化晶体硅太阳能电池及其制备方法，首先，在硅片表面旋涂聚乙二醇和对羟基苯磺酸混合溶液作为界面修饰层，其次，采用溶液法制备2‑羟基喹啉‑4‑羧酸掺杂的红荧烯薄膜，最后，在硅片背面采用热蒸镀法制备叉指状的氧化钼/银和氟化锂/银的背接触分别作为空穴和电子传输层。本发明减少了激子在晶界处的淬灭，增加了激子的扩散长度，改善红荧烯与硅之间界面质量，提高了激子在界面处的解离效率。
一种红荧烯敏化晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202310540861.8在审
发明人：廖忠新;邱䶮;黄仕华;张曙光 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅压电陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷技术领域。无铅压电陶瓷的化学通式为：aK0.48Na0.54Nb0.96O3‑bSb2O3‑cZrO2‑dBi2O3‑xFe2O3‑yCuO‑zMnO2，其中0.92≤a≤0.98,0.02≤b≤0.08,0.02≤c≤0.08,0.01≤d≤0.05,0≤x≤0.03，0≤y≤0.03，0≤z≤0.03。本申请通过引入氧化铁、氧化铜、氧化锰三者协同辅助铌酸钾钠基陶瓷的烧结，可以降低陶瓷的烧结温度，避免高温下钾钠元素的挥发，在该较低烧结温度的条件下提高铌酸钾钠基陶瓷的烧结性能，减少气孔率，提高了压电陶瓷的致密度和压电性能。
一种压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]苯二酚修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010155156.2有效
发明人： 黄仕华;张美影;池丹;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯二酚修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其结构自下而上为玻璃、阳极ITO、阳极修饰层HQ‑PEDOT:PSS、钙钛矿光吸收层(FASnI3)0.3(MAPbI3)0.7、第一阴极修饰层PCBM、第二阴极修饰层BCP、阴极银。当在PEDOT:PSS上旋涂HQ溶液时，能有效改善钙钛矿膜的质量并减少了钙钛矿膜的缺陷状态，太阳能电池的性能有所改善。当HQ溶液的质量分数为0.5wt％时，钙钛矿电池性能最佳。
苯二酚修饰钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法-CN202111156884.6有效
发明人： 黄仕华;李林华;郝亚非 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法，TCO薄膜生长采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15‑30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1~20:1，溅射气压为0.1~0.4 Pa；铟靶溅射功率200 W，碲靶溅射功率为20~30 W，钪靶溅射功率为1~2 W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10~20分钟。本发明获得的TCO薄膜中的载流子迁移率高、电阻率较低，同时光透过率也高。
一种迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种嵌入式智能外卖出售装置-CN201810826159.7有效
发明人：何苗;黄细平;黄仕华;温坤华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G07F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及自动售货装置的技术领域，更具体地，涉及一种嵌入式智能外卖出售装置，包括热菜箱、水果冷饮箱、LED显示屏、电子锁、开关电源、红外测距系统、打包装置、脏碗收集装置、点单系统、GPRS通信模块、摄像头模块，其中硬件模块均由主控单元控制；各个硬件之间相互关联，由嵌入式的主控单元进行控制。本发明能够取代人工配送的方式自动出售外卖，节省配送所需的时间和劳动力，缩短消费者自下订单到取得外卖的时间；无需提前下单，能够消除消费者因传统外卖提前下单而花费的精力，能够使得消费者在短时间内得到外卖；且采用电子订单取代纸质订单，能够很好地保护消费者的地址、联系方式等个人信息，避免消费者隐私泄露。
一种嵌入式智能外卖出售装置

[发明专利]一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202211624308.4在审
发明人： 黄仕华;骆芸尔;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法，所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间。电池具备Ag/ITO/Mnz1MoOy2/MoOy1/SiOp/p‑c‑Si/SiOp/TiOx1/Mnz2TiOx2/Ca/Al的结构。本发明能提高氧化钛或氧化钼薄膜对晶体硅的钝化效果，且制备过程中大幅降低了等离子对薄膜的轰击，提升了薄膜的钝化性能。
一种低成本掺杂结晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池-CN202211623964.2在审
发明人： 黄仕华;骆芸尔;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，包括n型单晶硅基础层，n型单晶硅基础层的反面依次有氟掺杂的氮化硅层/富氮的氮化硅层/银层，n型单晶硅基础层的正面依次有氟掺杂的氮化硅层/氧掺杂的氮化硅层/银电极。氟掺杂的氮化硅对硅起到了优异的表面钝化作用，氧掺杂的氮化硅、富氮的氮化硅分别起到了空穴选择性接触和电子选择性接触的作用。通过掺杂调控氮化硅薄膜中的固有电荷密度以及电荷的正负属性，从而改变材料的电荷俘获能力，使得氮化硅薄膜材料兼具电子选择性接触和空穴选择性接触的功能，同时电池的制备成本也可以得到大幅降低，并非常适合工业化量产。
基于钝化场效应掺杂晶体太阳能电池

[发明专利]一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法-CN202011229632.7有效
发明人： 黄仕华;康桥;丁月珂;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法，包括单晶硅片，单晶硅片的正反面均交替沉积有n层HfOx和HfNy，n＝5‑20；每一层HfOx或HfNy的厚度为3nm，其中最接近单晶硅片的为第1层，即HfOx1和HfNy1，最远离单晶硅片的为第n层，即HfOxn和HfNyn；其中：2.0x1x2…x9xn1.0，1.33y1y2…y9yn0.67。本发明采用反应磁控溅射方法沉积组分渐变的HfOx/HfNy多层薄膜，对单晶硅实现全表面钝化和选择性接触，可以克服上述提到的隧穿氧化层钝化接触技术的缺陷，并具有不使用危险气体(硅烷、磷烷或硼烷)、沉积速度快、成本低等优点。
一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法

[发明专利]一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210001736.5在审
发明人： 黄仕华;池丹;章磊;康桥;施虹西;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半透明钙钛矿太阳能电池以及其制备方法；半透明钙钛矿太阳能电池自下而上包括：ITO氧化铟锡导电玻璃层、空穴传输层、阳极修饰层、钙钛矿活性层、阴极修饰层、电子传输层、阴极缓冲层、透明阴极、银栅线。本发明中制备的半透明钙钛矿太阳能电池在平均透光率达到38％的情况下，光电转换效率达到14％以上，非常适合光伏建筑一体化的商业化应用。
一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]测量晶体硅太阳能电池少子寿命的方法-CN202211221598.8在审
发明人： 黄仕华;李林华;欧亚梨;郝亚非 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量晶体硅太阳能电池少子寿命的方法，通过泵浦光和探测光的组合以不同角度照射样品，根据不同频率下的光强度变化量，拟合计算获得少子寿命。本发明设置简单紧凑，对空间要求低，同时拟合过程也相对简单。
测量晶体太阳能电池少子寿命方法

[发明专利]叠层钝化接触结构的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池-CN202211221600.1在审
发明人： 黄仕华;李林华;吴金玉 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层钝化接触结构的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池，具有下述结构：以n型单晶硅片为基底，在其正面周期性地具有NiOx/Ni叠层，其中0x1.0，并在表面具有ITO层和银电极；在其背面周期性地具有TiOy/Ti叠层，其中1.0y2.0，并在表面具有钙/镁金属薄膜层和银电极。本发明可以降低势垒高度，促进电子的传输，从而进一步提升电池效率。
钝化接触结构掺杂结晶体太阳能电池

[发明专利]晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法-CN202211221599.2在审
发明人： 黄仕华;李林华;吴金玉 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法，采用激光刻蚀的方法在样品表面开出两个微槽，微槽宽度与样品宽度相等，微槽深度大于功能介质薄膜厚度；随后在微槽中填入导电银浆，最后测量微槽与银电极、微槽与微槽之间的电阻，计算得到钝化接触结构的接触电阻率。本发明可以相对方便地精确测量钝化接触结构的接触电阻率。
晶体太阳能电池钝化接触电阻精确测量方法

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