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[发明专利]TFT基板、液晶显示面板及显示装置-CN202111498964.X在审
发明人：吴伟 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种TFT基板、液晶显示面板及显示装置。TFT基板包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；其中，栅极绝缘层包括与栅极直接接触的第一绝缘层，第一绝缘层的材料为电子亲和能低于3eV的绝缘材料。本申请实施例提供的TFT基板，通过设置栅极绝缘层中与栅极直接接触的第一绝缘层的材料为电子亲和能低于3eV的绝缘材料，能够有效的阻隔栅极上的电子跃迁至栅极绝缘层进而导致TFT器件性能劣化，提升TFT器件在高亮度环境下的稳定性，使得包含该TFT基板的液晶显示面板可以在高亮度背光下工作，不会出现发绿发黄等显示异常，将该液晶显示面板应用于高亮度户外显示产品中时可以提升户外显示产品的显示品质。
tft 基板液晶显示面板显示装置

[发明专利]一种栅氧结构和制备方法-CN202111614241.1在审
发明人：盛况;邵泽伟;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域中的一种栅氧结构和制备方法，包括SiC衬底层、氧化层、Al2O3层和高介电材料层，栅氧结构和制备方法氧化层设置在栅氧结构和制备方法SiC衬底层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层设置在氧化层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层远离氧化层的一侧设置有高介电材料层，具有沟道迁移率高、栅极能量损耗小的优点，突破了传统栅氧结构的栅极容易漏电流的瓶颈。
一种结构制备方法

[发明专利]铁电晶体管及包括铁电晶体管的组合件-CN202080060213.7在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一些实施例包含一种铁电晶体管，其具有第一电极及第二电极。所述第二电极从所述第一电极偏移达有源区。晶体管栅极沿着所述有源区的一部分。所述有源区包含相邻于所述第一电极的第一源极/漏极区、相邻于所述第二电极的第二源极/漏极区及所述第一与第二源极/漏极区之间的主体区。所述主体区包含相邻于所述晶体管栅极的门控沟道区。所述有源区包含所述第二电极与所述门控沟道区之间的至少一个屏障，其可由电子穿透但不能由空穴穿透。铁电材料在所述晶体管栅极与所述门控沟道区之间。
晶体管包括组合

[发明专利]场效应存储器件-CN202111584356.0在审
发明人：尹志岗;董昊;程勇;吴金良;江奕天;张兴旺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提供一种场效应存储器件，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体基片；源区和漏区，形成于半导体基片上且相互隔开，源区与漏区之间形成有沟道区，沟道区上形成有栅氧层，栅氧层的两端与源区和漏区相接，栅氧层具有可移动带电缺陷，栅氧层上形成有栅电极；源电极和漏电极，分别形成于源区和漏区上。本公开的场效应存储器件，利用栅氧层中可移动带电缺陷的位置分布来调控沟道电流的开关状态，实现信息的写入。结构简单，容易制备，易于大规模推广应用的特点，可以同时满足目前对非易失存储器提出的快速读写、高读写次数、低功耗、高存储密度、兼容CMOS工艺的要求。
场效应存储器件

[发明专利]应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法-CN202080056228.6在审
发明人： S·沃思;L·克诺尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了一种SiC晶体管器件，包括：SiC半导体衬底，SiC半导体衬底具有顶表面和底表面；形成在SiC半导体衬底的顶表面上的SiC外延层，该SiC外延层具有顶表面；形成在SiC外延层的顶表面中的源极结构，该源极结构具有顶表面；源极接触结构，源极接触结构电耦接到源极结构的顶表面；栅极结构，栅极结构包括栅极氧化物、金属栅极和栅极绝缘部；在SiC半导体衬底的底表面上的第一背侧金属接触件；在第一背侧金属接触件上的应力诱导层；在应力诱导层上的第二背侧金属接触件。
应变增强 sic 功率半导体器件制造方法

[发明专利]高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备-CN201810920927.5有效
发明人：陈敏璋;锺镇阳 -专利权人：陈敏璋
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明揭示一种高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备。本发明的高介电常数介电层包含依序形成于半导体元件的材料层上的M层原子层沉积薄膜，其中M是大于1的整数。该材料层可以是半导体材料层、金属层或另一介电层。每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成。M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于原子层沉积制程期间或之后，经非反应性气体等离子体轰击，其中N是自然数且小于或等于M。
介电常数介电层制造方法执行设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN202111449755.6在审
发明人：刘凯军;周佑联;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请适用于显示技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括铜栅极、有源层及位于有源层及铜栅极之间的绝缘层组，绝缘层组包括至少三个低速沉积栅极绝缘层，至少三个低速沉积栅极绝缘层依次逐层覆盖在铜栅极上；两个低速沉积栅极绝缘层之间设置有中速沉积栅极绝缘层和/或高速沉积栅极绝缘层。在两个低速绝缘层之间设置中速沉积栅极绝缘层和/或高速沉积栅极绝缘层，提高加工效率。一方面利用下部的低速沉积栅极绝缘层的较致密的特点，有效阻挡金属铜的扩散，另一方面利用上部的低速沉积栅极绝缘层的较致密特点，能够与有源层充分接触，保证绝缘层与有源层界面的清洁程度，减少界面的凹凸现象，提高电子迁移率。
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010744693.0在审
发明人：金青洙;金容君;胡显锐;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括间隔设置的源极区及漏极区；在半导体衬底的一侧形成栅氧化层、界面层及栅极层，栅氧化层、界面层及栅极层均位于源极区与漏极区之间，且界面层位于栅氧化层背离半导体衬底的一侧，栅极层位于界面层背离栅氧化层的一侧，且界面层在半导体衬底上的正投影的面积小于栅氧化层在半导体衬底上的正投影的面积。本发明的半导体结构的形成方法，可有效减小栅极致漏电流，降低待机功耗，提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202110347256.X在审
发明人：陈冠廷;张书通;李敏鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，该方法包括：在基板之上形成界面层；在界面层之上形成准反铁电层，其中形成准反铁电层包含执行原子层沉积(ALD)循环，且原子层沉积循环包括：执行第一子循环X次，其中第一子循环包含提供含Zr前驱物；执行第二子循环Y次，其中第二子循环包含提供含Hf前驱物；及执行第三子循环Z次，其中第三子循环包含提供含Zr前驱物，且其中X+Z为Y的至少三倍；及在准反铁电层之上形成栅极电极。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法-CN202110817730.0在审
发明人：康俊勇;李光容;王伟平;吴志明;孔丽晶;吴雅苹;李煦 -专利权人：厦门大学;厦门大学九江研究院
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
一种具有结构碳化硅 mis 器件及其制备方法

[发明专利]超低功耗的薄膜晶体管及其制备方法-CN202010310928.5有效
发明人：程为军;梁仁荣;任天令;李宇星 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提出了超低功耗的薄膜晶体管及其制备方法。该超低功耗的薄膜晶体管包括层叠设置的衬底、隔离层、栅极、栅堆叠结构、沟道薄膜、源漏电极和钝化层，其中，栅堆叠结构设置在栅极与沟道薄膜之间；并且，栅堆叠结构包括层叠设置的至少一层铁电介质薄膜和至少一层金属层。本发明所提出的超低功耗薄膜晶体管，其栅堆叠结构包含至少一层铁电介质薄膜，由于铁电材料的极化反转，引入了负电容效应，栅堆叠结构出现负的微分电容值，从而使薄膜晶体管在室温下能够实现亚阈值摆幅小于60mV/decade，且还具有关态电流小和开态电流大的优势。
功耗薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法-CN202110022063.7在审
发明人：许镇盛;文泰欢;南胜杰;赵常玹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。
结构以及包括半导体器件半导体设备电子设备制造方法

[发明专利]一种超晶格结构薄膜及其应用-CN202110909325.1在审
发明人：彭悦;韩根全;张悦媛;肖文武;刘艳;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种超晶格结构薄膜及其应用。本发明的超晶格结构薄膜为多层膜结构，由HfO2和ZrO2周期性交替叠加形成，总厚度为6‑20nm；一个周期里所述HfO2和ZrO2的层数相同。本发明的超晶格结构薄膜铁电特性优异，可作为铁电栅介质层替代传统铁电场效应晶体管中的铁电栅介质层，极大地降低栅泄漏电流，优化介质层的介电常数，在提升铁电极化的同时提高器件的抗疲劳特性。
一种晶格结构薄膜及其应用

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010264790.X在审
发明人：平尔萱;周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底内具有沟槽；于所述沟槽内形成第一导电层，所述第一导电层的顶部低于所述沟槽的顶部；于所述第一导电层上形成介质层；于所述介质层上形成第二导电层。本发明中，通过在第一导电层与第二导电层之间设置所述介质层，使第一导电层与第二导电层连通形成等电位，同时作为阻挡层防止第一导电层中的导电材料向第二导电层扩散。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]电子器件、其制造方法、和存储设备-CN202011277444.1在审
发明人：文泰欢;申建旭;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件、其制造方法、和存储设备。公开了具有相对较小的漏电流的半导体器件和电容器。所述半导体器件包括半导体层、设置在半导体层上的氧化物层、和设置在氧化物层上的金属层，并且氧化物层中的氢浓度为约0.7原子％或更高。
电子器件制造方法存储设备