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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制备锆钛酸铅柔性单晶薄膜的方法-CN202110740680.0在审
发明人：吴金良;尹志岗;江奕天;程勇;张兴旺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备锆钛酸铅柔性单晶薄膜的方法，包括：在单晶衬底上制备a面氧化锌缓冲层；在a面氧化锌缓冲层上外延生长锆钛酸铅单晶薄膜层，得到复合层结构；将复合层结构置于稀酸溶液中，采用湿法腐蚀工艺腐蚀a面氧化锌缓冲层，得到锆钛酸铅单晶薄膜；将锆钛酸铅单晶薄膜转移至柔性衬底上，得到柔性衬底支撑的锆钛酸铅柔性单晶薄膜。本发明可实现锆钛酸铅外延薄膜的柔性化，制备过程具有严格意义上的可控性及可重复性；本发明制备过程简单、成本低、适用范围广，对实现锆钛酸铅柔性电子器件研制具有重要推动作用。
制备锆钛酸铅柔性薄膜方法

[发明专利]场效应存储器件-CN202111584356.0在审
发明人：尹志岗;董昊;程勇;吴金良;江奕天;张兴旺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提供一种场效应存储器件，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体基片；源区和漏区，形成于半导体基片上且相互隔开，源区与漏区之间形成有沟道区，沟道区上形成有栅氧层，栅氧层的两端与源区和漏区相接，栅氧层具有可移动带电缺陷，栅氧层上形成有栅电极；源电极和漏电极，分别形成于源区和漏区上。本公开的场效应存储器件，利用栅氧层中可移动带电缺陷的位置分布来调控沟道电流的开关状态，实现信息的写入。结构简单，容易制备，易于大规模推广应用的特点，可以同时满足目前对非易失存储器提出的快速读写、高读写次数、低功耗、高存储密度、兼容CMOS工艺的要求。
场效应存储器件

[发明专利]一种金属薄膜制备方法-CN202111259468.9在审
发明人： 江奕天;李星星;张兴旺;张昕;张玲 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属薄膜制备方法，包括以下步骤：将云母解理，得到云母衬底；将云母衬底加热至预设温度值；以金属为靶材，采用射频磁控溅射、高能粒子沉积或高能波沉积的方式冲击金属，将金属沉积在所述云母衬底上，得到金属薄膜；以云母作为衬底，将金属薄膜外延生长在云母衬底上，衬底与薄膜之间只存在弱的范德瓦尔斯相互作用，晶格失配对单晶薄膜质量的影响大大降低，能得到高质量的单晶金属薄膜。
一种金属薄膜制备方法

[发明专利]基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法-CN202110985312.2在审
发明人： 江奕天;尹志岗;张兴旺;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，包括：解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，氟金云母衬底包括F‑Mica(001)，氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；将氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到新鲜解理面上，其中，射频磁控溅射时沉积室内温度为600～700℃。本发明操作方法简单，易于实现大面积生长制备；将柔性自支撑铁磁性金属薄膜外延生长在氟金云母衬底上，衬底与薄膜之间只存在弱的范德瓦尔斯相互作用，晶格失配对单晶薄膜质量的影响大大降低，能得到高质量的单晶铁磁性金属薄膜。
基于瓦尔外延制备柔性铁磁性金属薄膜方法

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